⑴ ST福利：如何使用STM32F103C8T6的後64KB flash
ST福利揭秘：利用STM32F103C8T6的隱藏快閃記憶體資源
在STM32F103C8T6和CBT6型號中，雖然它們都採用LQFP48封裝，但主要區別在於快閃記憶體容量，C8T6為64KB，而CBT6則擁有更大的128KB。實際上，C8T6與CBT6使用的是同一die封裝，ST公司巧妙地提供了額外的64KB快閃記憶體空間供用戶利用。
通過簡單的操作，我們可以充分挖掘C8T6的這一潛能。首先，確保使用SWD介面連接DAPLink模擬器，僅需GND、SWCLK、SWDIO和3V3四根線。接著，從github下載預先配置好的openocd環境和腳本，無需額外安裝，雙擊即可執行。
操作流程包括：檢測晶元ID，通過flash_write.bat將預先准備的128KB鏡像寫入，驗證寫入成功，然後使用flash_mp.bat導出數據並進行hash校驗。這些腳本分別執行掛載、快閃記憶體操作、擦除以及設置讀寫許可權。
重要的是，openocd允許用戶通過自定義配置來指定快閃記憶體大小，即使IDE如Keil或IAR未識別C8T6的全部快閃記憶體容量。這得益於openocd的底層靈活性，通過調整flash bank配置，我們可以利用C8T6的額外空間。
總結，盡管CBT6是更直接的選擇，但對openocd和DAPLink有深入理解的開發者，可以通過這種方式充分利用STM32F103C8T6的後64KB快閃記憶體，擴展應用的存儲能力。
⑵ stm32的嵌入式快閃記憶體:大容量產品主存儲塊最大為64k*64位，每個存儲塊劃分為256個2k 位元組的頁，這兩句話
按照存儲單元的元[位]來講，這兩種說法是相等的：
64K * 64bits = 64 * 4 *2K * 8bits = 256個2K位元組；
也就是說，總的存儲容量還是沒變的。
我的理解是這樣的：
前者側重頁外，後者側重頁內，兩種說法是和存儲器的組織形式有關的：
主存儲塊的最大數目 = 64K * 64位，而每個單獨的頁（也就是存儲晶元）的構成形式是2K*8位，那麼就需要進行擴展：
首先應進行位擴展，即2K * 8位擴展為2K * 64位，則需要8個存儲晶元，3根片選線，11根地址線；
然後進行字擴展，即2K 擴展為 64K，此時需要32個位擴展後的存儲晶元，5根地址線；
如此共需要存儲晶元數量為：32 * 8 = 256個，也就是存儲塊內共需要256個頁，19根地址線。