模拟电子技术pdf元增民

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⑵ 模拟电子技术问题

兄台你给的这个图左半部画错了！

图示是简化的半导体及PN结结构的平面表达。N区一个五价杂质原子提散派供一个自由电子，原子变为1价正离子，画得不错；P区一个三价杂质原子提供一个空穴，中性原子不带电。但是你给的图P区画的是负离子，所以是错的。

正确的图，来自于《模拟电子技术简明教程》元增民编写，清华大学出版社2014,。

可见在上图左图中，N区自由电子跑到P区填充空穴，原地留下正离子，P区中性原子得到电子变成负离子。N区正离子区与P区负离子区组成内电场，并产生内电势Ub。

重物下落是受到重力作用，电子移动是受到扩散势Ee的作用。扩散势液虚Ee是动力，内电势Ub是阻力。随着电子扩散冲埋贺进行，阻力越来越大。当Ub=Ee时电子扩散停止，内电场稳定形成。

外加正电压U与Ub一样对电子扩散是阻力。外加正电压越大，内电场就越窄。外加正电压U超过Ee时，内电场不再存在，PN结导通。PN结导通后，在N区，电源驱动自由电子直接运动，在P区电源驱动电子依次填补空穴，形成电流，见右图。

⑶ 模拟电子技术这个例题我感觉是不是缺少条件的呢，而且后面答案也是有问题的，电工电子模拟电子技术部分。

这是天津大学出版社的《注册电气工程师执业资格考试基础考试复习教程》公共基础部分第585页的一道例题，其错漏多得出奇。

1. 缺已知条件Ucc=15V；

2. Ib该是29.2μA，而不是25.46μA

3. Ic 该是2.92mA，而不是2.546μA

4. 电路图中的Rc是多余的
   

5. 既然图纸给出了R从，实际又缺Rc数值

这道题，Rc是当做0计算的

Uce=Ucc-ReIe≈15V-0.6x 2.92mA=13.23V

2015年注册电气工程师执业资格考试基础考试马上要在9月除进行，时不我待。

推荐阅读《模拟电子技术简明教程》（元增民）、清华大学出版社，那是专门为注电基础考试而编写的。

《模拟电子技术简明教程》的作者元增民教授已经连续两年为银孚国际学院、磁针教育等院校注电培训讲授模数电，模明樱电部分所用讲义就是这本《模拟电子技术简明教程》而且已经获得了相当棒的教学效果。元增民教授所参与教授的银孚2014级学员已经在14年基础考试中获态腊得50%以上的通过率帆槐滑，是全国平均百分之十几的平均通过率的两倍以上！他本人被评为银孚学员教学名师，详见银孚注册电气工程师学院网站。

⑷ 模拟电子技术。一个固定偏置的共射极放大电路。在基极和发极的电阻上并了电容是干吗用

准确地说，不是“固定偏置”，而是分压偏置，不是“基极和发极的电阻”，而是发射极与直流地之间所接的负反馈电阻，用Re表示。Re主要是用来使工作点具有一定的稳定性。但Re要影响电压放大倍数。给Re并联一个大电容，可以使其只有工作点稳定能力，但不影响电压放大倍数。这个电容具体多大才算合适，一般取100微法。
具体可参考元增民《模拟电子技术则圆》。这本书对这类问题讲得最清楚。而且这本书已经把工作点稳定性设计由落后的经验设计提高到先进锋盯御的定银岩量设计，怎么样根据工作点稳定性设计要求确定发射极反馈电阻Re和基极偏置电阻Rb，介绍的很详细很地道。

⑸ 请问哪里有元增民《模拟电子技术》

一个学科及教材通常都需要几百年才能逐渐成熟起来，像数学、物理。模拟电子技术进课堂才不足50年。目前的模电教材太嫩。不乏讲错的，更多的是只有一些笼统说法但没有可操作的执行办法，就好像只有政策文件没有实施细则。像工作点应当选在交流负载线中点，不错，但几十年已经说了几百遍，就是难执行。元增民《模拟电子技术》这本书，纠正了一些错误，更多的是根据理论制定了很多可执行的实施细则。例如基极临界偏置电阻计算公式是针对不知道管子β值时的设计方法，临界集电极—发射极偏置电压计算公式是针对已知β时的设计方法。另外一方面说，可以说目前模电教材只有分析没有设计，这是大家最烦的。很多人都看出这一点了，进行探讨，然后在自己的书名中加进“设计”两字，但是进展不大。这本书讲设计最多，各种各样的设计方法，做教材富富有余，写作业应付考试不在话下，还堪称手册。目前很多网上书店，当当网、卓越网、互动网等都有这本书。

⑹ 模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中：uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”我感觉写反了吧

没有看过华成英的《帮你学模拟》。
但三个伍帆耐不等式中：
“uGS>uGS(th），且uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”
中间的一轿郑个错了！
应为腔春：uGD<UGS（th）。这就是说，G、D间沟道被夹断，即“预夹断”。

⑺ 在模拟电子技术中怎样计算直流电源的供给功率

忽略基极偏置电阻消耗，直流电源的供给功率等于直流电源电压Ucc与集电极临界偏置电流Iccr的乘积：P=UccIccr。
关键是集电极临界偏置电流Iccr的计算。关于Iccr的分析计算棚悔册可参考元增链宏民《模拟电前判子技术》中国电力出版社2009。

⑻ 模拟电子技术基础中的最大输出电压问题

这是基本共射放大器的两个条件，两者是一致的，前者只是后者空载的特例。前者只是适用于空载，后者空载负载通吃。
后来一处的Rl该是负载电阻RL
空载就是RL→∞。
RL→∞时，Rc//RL=Rc，Ic*(Rc//RL)=Ic*Rc=Ucc-Uceq，这样两个公式就统一一样了。

之所以出现这样的问题，是因为胡目前老旧模电书很少介绍放大器最大不失真输出电压幅度Uom。个别介绍的，又说的含含糊糊，模棱两首中可。

介绍一本新体系特色《模拟电子技术简明教程》（元增民）。放大器最大不失真输出电压幅度是由最佳工作点实现的。这本书对放大器最大不失真输出电压幅度及最佳工作点介绍最详细周到。

例如基本共射放大器的最大不失真输出电压幅度，这本书就直接写明了：
Uom(max)=Ucc/(2+Rc/RL)，最佳偏置电阻是Rb(cr)=β(Rc+Rc//RL)

新体系特色《模拟电子技术简明教程》（元增民）一版再版，全国已经有好几十个院校模电教学自主统订采用，考试及格率保证在90%以上，作者所任教班级考试及格率更是雄踞99%以上。

模电教学统订元增民特色《模拟电子技术》特色教科书的全国已经有几十所院校，其中15所院校如下
1. 西南交通大学
2. 湖南农业大学
3. 浙江海洋大学
4. 温州大学
6. 青岛工学院
5. 上海商学院
7. 广州商学院
8. 景德镇陶瓷学院
9. 长沙大中芹竖学
10.天津天狮学院
11.北京城市学院
12.银孚注册电气工程师学院
13.山东卖大信息职业技术学院
14.湖南机电职业技术学院
15.常德职业技术学院

⑼ 模拟电子技术中如何消除交越失真

为了消除这个缺点，可以考虑采用甲乙类互补对称电路如图：

⑽ 求元增民《模拟电子技术》和铃木雅臣《晶体管电路设计》pdf，谢谢！！

有这两本的PDF，《模拟电子技术》，最新2014年版，可网络私信