飞思卡尔单片机mc9s12

A. 飞思卡尔的MC9S08系列和MC9S12系列单片机是8位单片机还是32位单片机

9S08是8位机，9S12是16位机。

至于你所说的比较，这是很困难的，因为首先你列出的是非常宽泛的分类，例如“STM单片机”下面按照内核又可以分为好多种，每种内核下面又有很多的型号。
单纯比性能还好说，你又扯出个价格，而价格跟渠道、用量关联密切，根本没有统一的标准。同一款芯片或许你拿到的价格是10元，而我5元就能拿到，那么“性价比”是用谁的价格来评价呢？

B. 飞思卡尔MC9S12XS128MAL单片机中断问题

生产厂商Freescale Semiconctor - NXP
供应商：拍明芯城元器件商城
工厂包装数量 300
程序存储器大小 128 kB
输入/输出端数量 91 I/O
Number of Timers/Counters 12 Timer
封装/外壳 LQFP-112
工作电源电压 2.5 V, 5 V
核心 HCS12X
数据总线宽度 16 bit
品牌 NXP / Freescale
程序存储器类型 Flash
安装风格 SMD/SMT
最大时钟频率 40 MHz
最高工作温度 + 125 C
Number of ADC Channels 16 Channel
数据RAM大小 8 kB
长度 20 mm
接口类型 CAN, SCI, SPI
RoHS RoHS Compliant
系列 S12XS
ADC分辨率 12 bit
身高 1.45 mm
封装 Tray
最低工作温度 - 40 C
信息处理器系列 S12XS

C. 飞思卡尔 mc9s12xs128 单片机 怎样才可以 在EPROM 或者在 FASH 中 保存运行的参数

有相关资料可以参考的，你搜一下flash to epprom相关资料：
用Flash模拟EEPROM
本程序利用S08系列单片机的片内Flash模拟EEPROM。解决部分8位机没有EEPROM导致在运用上的局限。本程序提供一个初始化函数和三个功能函数。用户必须在调用功能函数前调用调用初始化函数。三个功能函数分别是字节写入、字节读取、EEPROM全擦除。用户必须保证调用功能函数前有至少30Bate的栈空间。
本程序参考飞思卡尔公司提供的《在 HCS08 微控制器上使用 FLASH 存储器模拟 EEPROM》。并在源程序的基础上精简了部分功能，减少了RAM使用量。并尝试使用分页机制确定EEPROM地址。
接口函数的EEPROM地址寻址由页地址和页内偏移量组成。即把用户定义的EEPROM分为若干个大小为256字节的页。其地址与FLASH地址的换算关系为：
FLASH真实地址=EEPROM空间起始地址+页地址×256+页内偏移地址
用户在使用EEPROM是只用确定数据保存在EEPROM的相对地址即可。接口函数原型为：
EEPROM_WRITE_DATA(数据,页地址, 页内偏移地址);
Char EEPROM_READ_DATA(页地址, 页内偏移地址);

1. 程序流程分析与设计。
由于S08系列单片机在Flash写入时序中不能进行任何的Flash读操作，Flash写入指令必须放到RAM中执行并关闭所有可屏蔽中断。程序流程如图13-1-？。

字节写入/.全擦除程序流程 字节读取程序流程
图13-1-？
2.程序源代码。此程序在CodeWarrior 6.0继承编译环境中编译通过

/*****************************************************/
//河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室
// 文件名：flash_program.h
// CPU ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 调试环境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述: 头文件，用于保存初始化EEPROM设定、用户定制参数、编译器参数等信息。
/*****************************************************/
#include <hidef.h>
#include "derivative.h"
#include <stdio.h>

/*************flash编程指令（请勿改动）*****************/
#define BLACK_CHECK 0x05 //查空指令
#define BITE_PROGRAM 0x20 //字节编程指令
#define BURST_PROGRAM 0x25 //快速编程指令
#define PAGE_ERASE 0x40 //页擦除指令（1页=512字节）
#define MASS_ERASE 0x41 //全擦除指令

/******用户定制参数（根据单片机型号和用户flash使用情况定制）**********/
#define EEPROM_START_ADDRESS 0xE000 //EEPROM区起始地址。512B的倍数
#define EEPROM_PAGE_NUM 8 //EEPROM页数。1page=256B
#define BUS_FREQUENCY 2000 //总线频率。单位（KHz）

/********************编译器相关参数**************************/
#define INT8U unsigned char //无符号字节变量。根据编译器更改。默认CodeWarrior 6.0
#define INT16U unsigned short int //无符号字变量。根据编译器更改。默认CodeWarrior 6.0
/***********EEPROM API函数原型***********/
//初始化程序。此函数必须在使用EEPROM前调用。建议用户在系统初始化是调用。
void INIT_EEPROM(void);
//EEPROM擦除函数。擦除所有EEPROM数据。
void EEPROM_ERASE(void);
//EEPROM字节写入函数。写入一个字节到EEPROM指定区域。
void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)
//EEPROM读出函数。读出一个指定的区域所保存的字节的到函数返回值。
char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address);
/****************************END************************************/

/*****************************************************/
//河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室
// 文件名：flash_program.c
// C P U ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 调试环境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述:提供了一个初始化函数和三个功能函数供用户调用，没有可更改参数。
/*****************************************************/
#include "flash_program.h"

const INT8U FLASH_CODE[]={ // ; flash操作代码
0x45, 0x18, 0x26, // LDHX #$1826 ; FCMD地址写入H：X
0xA6, 0x00, // LDA #$00 ; 0x00为命令占位符
0xF7, // STA ,X ; 将命令写入FCMD命令缓存器
0x5A, // DECX ; 指针指向 FSTAT
0xF6, // LDA ,X ;
0xAA, 0x80, // ORA #$80 ;
0xF7, // STA ,X ; 置位FSTAT_FCBEF。启动flash写入命令
0xF6, // LDA ,X ; 等待3个时钟周期（请勿删除此代码）
0xF6, // LDA ,X ; 读取FSTAT
0xA5, 0x30, // BIT #$30
0x26, 0x05, // BNE *+6 ; 错误则返回
//LOOP
0xF6, // LDA ,X ; 等待写操作结束
0xA5, 0x40, // BIT #$40
0x27, 0xFB, // BEQ *-3 ; 跳转到LOOP
//EXIT:
0X81 //RTS ; 返回
};
/*********************初始化函数**********************************/
#if BUS_FREQUENCY >= 12000
void INIT_EEPROM(void){FCDIV=(((BUS_FREQUENCY/(8*175)))|0x40)-1;}
#endif
#if BUS_FREQUENCY < 12000
void INIT_EEPROM(void){FCDIV=(BUS_FREQUENCY/175)-1;}
#endif

/***********************EEPROM字节写入函数****************************/
void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)
{

INT16U address; //存放写入地址
INT8U code_space[23]; //初始化代码空间

if(EEPROM_page>=EEPROM_PAGE_NUM)return; //地址错误返回，保护用户代码
address=offset_address+EEPROM_page*256+EEPROM_START_ADDRESS; //地址转化
(void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23); //复制flash操作代码到RAM

code_space[4] = BITE_PROGRAM; //修改命令占位符为写入命令

DisableInterrupts; //关中断
if (FSTAT&0x10){ //清错误标志
FSTAT = FSTAT|0x10;
}
_asm
{ //写入初始化
LDHX address;
LDA data;
STA ,X; //写入缓存
TSX;
JSR 2,x; //跳入RAM执行
}
EnableInterrupts; //开中断
__RESET_WATCHDOG();
}

/********************EEPROM字读取入函数********************************/
char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address){

unsigned short int address; //地址变量
char rusult; //数据变量
address=offset_address+EEPROM_page*0x100+EEPROM_START_ADDRESS; //地址转换
asm{
LDHX address;
LDA ,X; //读取地址到数据变量
STA rusult;
}
__RESET_WATCHDOG();
return(rusult); //返回
}

/**********************EEPROM擦除函数********************************/
void EEPROM_ERASE(void)
{
INT16U address;
INT8U i; //循环变量
INT8U code_space[23];

for(i=0;i<(EEPROM_PAGE_NUM/2);i++){ //分页擦除

address=i*0x200+EEPROM_START_ADDRESS;

(void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23); //复制flash操作代码到RAM

code_space[4] = PAGE_ERASE; //修改命令占位符为擦除命令

DisableInterrupts; //关中断

if (FSTAT&0x10){ //清错误标志
FSTAT = FSTAT | 0x10;
}
_asm
{
LDHX address; //擦除地址写入缓存
STA ,X;
TSX;
JSR 3,x; //跳入RAM执行
}
EnableInterrupts; //开中断
__RESET_WATCHDOG();
}
}
/****************************END************************************/

/*****************************************************/
// 版权所有（c）河南工业大学
// 文件名：mian.c
// C P U ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 调试环境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述: 测试Flash模拟EEPROM程序。
/*****************************************************/
#include <hidef.h>
#include "derivative.h"
#include "flash_program.h"

void main(void){
char temp;
PTADD=0XFF;

INIT_EEPROM(); //初始化Flash控制寄存器。
do{
EEPROM_WRITE_DATA(88,0,0); //写入一个字节。
temp=EEPROM_READ_DATA(0,0); //读取一个字节
}while(temp!=88); //若写入失败则再次写入
PTAD_PTAD0=1;

do{
EEPROM_ERASE();
}while(EEPROM_READ_DATA(0,0)!=0xff); //擦除Flash

PTAD_PTAD1=1;
for(;;)__RESET_WATCHDOG(); //死循环
}

D. 飞思卡尔单片机MC56F801X与 MC9S12X 有什么不同

MC56F系列是飞思卡尔的DSC系列MCU，主打电机控制；而MC9S作为智能车的应用非常多，学习资料和例程也远比DSC的多；

更重要的，MC56F系列的单片机的编译器USP-TAP可比MC9S的BDM贵哦。
综上所述，推荐用MC9S系列。

E. 飞思卡尔单片机MC9S12XE系列ATD模块的多通道采集疑问

我也是困惑了好几天，仔细看datasheet才知道答案，仔细看蓝色字体的内容，它的意思是说在non-FIFO mode下，AD采样后的第一个结果存放在ATDDR0中，第二个存放在ATDDR1中，以此类推。按照你的问题，就是第5个通道的采样结果放在ATDDR0中，第6个放在ATDDR1中，后面的依次类推。

F. 关于飞思卡尔单片机MC9S12XC128MAL单片机PWM功能

codewarrior 5.1 是可以的，出现在各个错误感觉你下载的这个文件是只读的原因!你试着改一下属性试试。
另外，你现点击一下project -> remove object code ,再点Make重新编译一下，看是否有编译的错误，如果没有编译错误，再点击Debug下载进行调试看看

G. 飞思卡尔单片机芯片mc9s08和mc9s12有什么区别

最简单的理解 前者是8位的单片机 后者是16位单片机

H. 飞思卡尔MC9S12XS128单片机编程问题

好像这个检测过程没有问题,是不是初始化的io口的时候需要某些设置?有的单片机io口在初始化的时候是需要些特殊设置的,程序检测ccd的部分好像没问题,就是那个 PORTA_PA0=1; //设置PA0口输出为高电平,这一段,你看看是不是先要给PA0口置0之后才能有效之类的(这里假设你的ccdcollect()功能是正确的)