32单片机延时怎么写

Ⅰ STM32中，systick具体延时时间怎么计算的

systick定时器有两个可选的时钟源，一个是外部时钟源（STCLK，等于HCLK/8），另一个是内核时钟（FCLK，等于HCLK）。假若你选择内核时钟，并将HCLK频率设置为72MHz的话，系统时钟周期为1/(72M)；systick有一个24位的递减计数器，每个系统时钟周期计数器值减一，那么当计数器减到零时，时间经过了：系统时钟周期*计数器初值。当你将计数器初值设为72000时（有些例程里面设为71999，其实没什么影响，误差极小），当计数器值减到0时经过了1/(72M)*72000=0.001s，即1ms。你可以看一下芯达STM32的入门教程和《ARM Cortex-M3权威指南》的相关章节，里面关于systick编程的一章说的比较详细，但是也有个别地方说的比较模糊，总之多看些例程就明白了，刚开始总是很纠结的~

Ⅱ MC908GP32单片机的Flash存储器的编程过程

在HC08系列单片机中，对Flash进行擦除或写入操作需要遵循一定的时序和步骤。对于整个MC68HC908系列的各个型号，这些步骤是一样的，但时序要求可能略有不同，针对具体型号的Flash进行编程时应参考相应的芯片手册。同时需要注意的是，一些型号的监控ROM内含有Flash编程子程序，用户可直接调用，例如MC68HC908JL3；有的型号则没有，例如MC908GP32，这种情况需自行编制子程序。下面介绍MC908GP32的Flash编程的基本操作。 下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节)：
①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位)：进行页面擦除。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0。
④延时tnvs(>10µs)。
⑤$A→FLCR(1→HVEN位)。
⑥延时terase(>1ms)。
⑦$8→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延时tnvh(>5µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延时trcv(>1µs)，完成一页的擦除操作。 下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。
①$6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位)：进行整体擦除。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0。
④延时tnvs(>10µs)。
⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)。
⑥延时tMerase(>4ms)。
⑦$C→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延时tnvhl(>100µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)。
⑩延时trcv(>1µs)，完成整体擦除操作。 MC908GP32的Flash编程操作以行(64字节)为单位进行的。当然，一次写入可以小于一行，但不能大于一行。对于已经写过的部分，未经擦除不能重新写入变更其数据，否则将引起数据出错。写入过程如下:
①$1→FLCR(1→PGM位)。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行，以下的目标地址必须在这一行中。
④先延时tnvs(>10µs)；再将$9→FLCR(1→HVEN位)。
⑤先延时tpgs(>5µs)；再将待写数据写入对应的Flash地址。
⑥延时tprog(>30µs)，完成一个字节的写入(编程)工作。
⑦重复⑤、⑥，直至同一行内各字节写入完毕。
⑧$8→FLCR(0→PGM位)。
⑨先延时tnvh(>5µs)；再将$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延时trcv(>1µs)以后，完成本行写入工作，可以读出校验。