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四川單片機晶振供貨商

發布時間:2022-11-27 21:17:20

單片機為什麼要晶振晶振怎麼又分為RC晶振和外部晶振以51單片機為例,如果我給51一個100M的

開玩笑,100M的晶振給51,低級的單片機一般支持12M到24M的晶振,高級的單片機支持72M或者更高一點的,51就屬於低級晶元,至於晶振的作用就是給晶元提供的時序,沒有時序晶元就不能工作,說到底晶振就類似人的心臟,沒有心跳你還怎麼活?是一個道理

❷ 那些單片機可選用8M的外部晶振

1,單片機外部晶振,基本上市場有賣的型號都可以,8M也相當沒有問題。
2,主要你要看晶體的頻率和單片機指令時間的演算法:一個機器周期=(12/8)*(1/12MHZ)
3,還有就是定時器和串口通訊也會用到晶體的頻率!

❸ 單片機的晶振

你有一個問題沒有搞清楚,那就是晶振是用來振的,這個振不是本身動,而是在振盪電路中相當於一個大電容或是大電感,使振盪電路振.

❹ 為什麼單片機的外接晶振要並連兩個電容

單片機的外接晶振要對地連接兩個電容,這兩個電容是晶體振盪器的兩個負載電容器,起著匹配負載頻率的作用,有了這兩個電容器,電路更容易起振,頻率更為穩定。不同的晶振,要求不同的負載電容器。

❺ 為什麼51單片機不把晶振電路裡面的電容內置

如果說晶振旁的電容為C1,C2那CI,C2這兩個電容就叫晶振的負載電容,分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,一般在幾十皮法。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,一般訂購晶振時候供貨方會問你負載電容是多少。


晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,Cic(集成電路內部電容)+△C(PCB上電容)經驗值為3至5pf。


因此,晶振的數據表中規定12pF的有效負載電容要求在每個引腳XIN 與 XOUT上具有22pF(2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生電容,定值貼片電容沒有24pf,只有22pf)。


兩邊電容為Cg,Cd,負載電容為Cl, cl=cg*cd/(cg+cd)+a ,a= Cic+△C(a的經驗值是3.5-13.5pf) 就是說負載電容15pf的話,兩邊兩個接27pf(定值貼片電容只有27pf,沒有30pf)的差不多了,各種邏輯晶元的晶振引腳可以等效為電容三點式振盪器。晶振引腳的內部通常是一個反相器, 或者是奇數個反相器串聯。


在晶振輸出引腳XO 和晶振輸入引腳 XI 之間用一個電阻連接, 對於 CMOS 晶元通常是數 M 到數十M 歐之間. 很多晶元的引腳內部已經包含了這個電阻, 引腳外部就不用接了。


這個電阻是為了使反相器在振盪初始時處於線性狀態, 反相器就如同一個有很大增益的放大器, 以便於起振. 石英晶體也連接在晶振引腳的輸入和輸出之間, 等效為一個並聯諧振迴路, 振盪頻率應該是石英晶體的並聯諧振頻率. 晶體旁邊的兩個電容接地, 實際上就是電容三點式電路的分壓電容, 接地點就是分壓點. 以接地點即分壓點為參考點, 振盪引腳的輸入和輸出是反相的, 但從並聯諧振迴路即石英晶體兩端來看, 形成一個正反饋以保證電路持續振盪. 在晶元設計時, 這兩個電容就已經形成了, 一般是兩個的容量相等, 容量大小依工藝和版圖而不同, 但終歸是比較小, 不一定適合很寬的頻率范圍. 外接時大約是數 PF 到數十 PF, 依頻率和石英晶體的特性而定. 需要注意的是: 這兩個電容串聯的值是並聯在諧振迴路上的, 會影響振盪頻率. 當兩個電容量相等時, 反饋系數是 0.5, 一般是可以滿足振盪條件的, 但如果不易起振或振盪不穩定可以減小輸入端對地電容量, 而增加輸出端的值以提高反饋量. . 一般晶元的 Data sheet 上會有說明。

另:
1.匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震盪所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等於或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣並聯起來就接近負載電容了。
2.負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件,也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近
調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。
3.一般情況下,增大負載電容會使振盪頻率下降,而減小負載電容會使振盪頻率升高
4.負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振盪器的
振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振,負載電容不一定相同。因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率,一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振:另一個為並聯揩振晶振的高負載電容晶振。所以,標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至,不能冒然互換,否則會造成電器工作不正常。


由於電容會造成震盪不穩定 , 而且一般單片機的震盪頻率會差很多 , 因此把這個電容做到 IC 裡面就會限制單片機運行的速度.

❻ 51單片機到底使用哪種晶振好

標準的51單片機晶振是1.2M-12M,一般由於一個機器周期是12個時鍾周期,所以先12M時,一個機器周期是1US,好計算,而且速度相對是最高的(當然現在也有更高頻率的單片機)。
11.0592M是因為在進行通信時,12M頻率進行串列通信不容易實現標準的波特率,比如9600,4800,而11.0592M計算時正好可以得到,因此在有通信介面的單片機中,一般選11.0592M

❼ 單片機必須外接晶振嗎

不必須啊
需要晶振提供時鍾的單片機才需要晶振,而且很多晶元都是帶振盪電路的,只有在精度不夠的情況下,才需要外接晶振。

❽ 新手上路,麻煩大神們將51單片機常用的晶振型號推薦一下,我好查了選電容

不接串口的話晶振常用12M,6M,接串口的話晶振常用11.0592M,電容20--30P即可,我常用22P的

❾ at89c52單片機的時鍾頻率是多少

時鍾頻率和晶振的頻率相同。
單片機datasheet寫的0-24MHz。
如果模擬選12MHz,這是理想狀態時鍾。一個機器周期等於12個時鍾周期,就是1uS。但是實際應用中選擇11.0592MHz,因為
其一:因為它能夠准確地劃分成時鍾頻率,與UART(通用非同步接收器/發送器)量常見的波特率相關。特別是較高的波特率(19600,19200),不管多麼古怪的值,這些晶振都是准確,常被使用的。
其二:用11.0592晶振的原因是51單片機的定時器導致的。用51單片機的定時器做波特率發生器時,如果用11.0592Mhz的晶振,根據公式算下來需要定時器設置的值都是整數;
如果用12Mhz晶振,則波特率都是有偏差的,比如9600,用定時器取0XFD,實際波特率10000,一般波特率偏差在4%左右都是可以的,所以也還能用STC90C516 晶振12M 波特率9600 ,倍數時誤差率6.99%,不倍數時誤差率8.51%,數據肯定會出錯。
這也就是串口通信時大家喜歡用11.0592MHz晶振的原因,在波特率倍速時,最高可達到57600,誤差率0.00%。 用12MHz,最高也就4800,而且有0.16%誤差率,但在允許范圍,所以沒多大影響。
另外不建議使用內部時鍾,單片機內部時鍾都是有誤差的。

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