四川單片機晶振供貨商

❶ 單片機為什麼要晶振晶振怎麼又分為RC晶振和外部晶振以51單片機為例，如果我給51一個100M的

開玩笑，100M的晶振給51，低級的單片機一般支持12M到24M的晶振，高級的單片機支持72M或者更高一點的，51就屬於低級晶元，至於晶振的作用就是給晶元提供的時序，沒有時序晶元就不能工作，說到底晶振就類似人的心臟，沒有心跳你還怎麼活？是一個道理

❷ 那些單片機可選用8M的外部晶振

1，單片機外部晶振,基本上市場有賣的型號都可以，8M也相當沒有問題。
2，主要你要看晶體的頻率和單片機指令時間的演算法：一個機器周期=(12/8)*(1/12MHZ)
3，還有就是定時器和串口通訊也會用到晶體的頻率！

❸ 單片機的晶振

你有一個問題沒有搞清楚,那就是晶振是用來振的,這個振不是本身動,而是在振盪電路中相當於一個大電容或是大電感,使振盪電路振.

❹ 為什麼單片機的外接晶振要並連兩個電容

單片機的外接晶振要對地連接兩個電容，這兩個電容是晶體振盪器的兩個負載電容器，起著匹配負載頻率的作用，有了這兩個電容器，電路更容易起振，頻率更為穩定。不同的晶振，要求不同的負載電容器。

❺ 為什麼51單片機不把晶振電路裡面的電容內置

如果說晶振旁的電容為C1,C2那CI,C2這兩個電容就叫晶振的負載電容，分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮法。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般訂購晶振時候供貨方會問你負載電容是多少。

晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,Cic（集成電路內部電容）+△C（PCB上電容）經驗值為3至5pf。

因此，晶振的數據表中規定12pF的有效負載電容要求在每個引腳XIN 與 XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生電容,定值貼片電容沒有24pf，只有22pf）。

兩邊電容為Cg,Cd,負載電容為Cl, cl=cg*cd/(cg+cd)+a ，a= Cic+△C(a的經驗值是3.5-13.5pf) 就是說負載電容15pf的話，兩邊兩個接27pf（定值貼片電容只有27pf，沒有30pf）的差不多了，各種邏輯晶元的晶振引腳可以等效為電容三點式振盪器。晶振引腳的內部通常是一個反相器, 或者是奇數個反相器串聯。

在晶振輸出引腳XO 和晶振輸入引腳 XI 之間用一個電阻連接, 對於 CMOS 晶元通常是數 M 到數十M 歐之間. 很多晶元的引腳內部已經包含了這個電阻, 引腳外部就不用接了。

這個電阻是為了使反相器在振盪初始時處於線性狀態, 反相器就如同一個有很大增益的放大器, 以便於起振. 石英晶體也連接在晶振引腳的輸入和輸出之間, 等效為一個並聯諧振迴路, 振盪頻率應該是石英晶體的並聯諧振頻率. 晶體旁邊的兩個電容接地, 實際上就是電容三點式電路的分壓電容, 接地點就是分壓點. 以接地點即分壓點為參考點, 振盪引腳的輸入和輸出是反相的, 但從並聯諧振迴路即石英晶體兩端來看, 形成一個正反饋以保證電路持續振盪. 在晶元設計時, 這兩個電容就已經形成了, 一般是兩個的容量相等, 容量大小依工藝和版圖而不同, 但終歸是比較小, 不一定適合很寬的頻率范圍. 外接時大約是數 PF 到數十 PF, 依頻率和石英晶體的特性而定. 需要注意的是: 這兩個電容串聯的值是並聯在諧振迴路上的, 會影響振盪頻率. 當兩個電容量相等時, 反饋系數是 0.5, 一般是可以滿足振盪條件的, 但如果不易起振或振盪不穩定可以減小輸入端對地電容量, 而增加輸出端的值以提高反饋量. . 一般晶元的 Data sheet 上會有說明。

另：
1.匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震盪所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等於或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣並聯起來就接近負載電容了。
2．負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近
調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。
3．一般情況下，增大負載電容會使振盪頻率下降，而減小負載電容會使振盪頻率升高
4．負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振盪器的
振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率，一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為並聯揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。

由於電容會造成震盪不穩定 , 而且一般單片機的震盪頻率會差很多 , 因此把這個電容做到 IC 裡面就會限制單片機運行的速度.

❻ 51單片機到底使用哪種晶振好

標準的51單片機晶振是1.2M-12M，一般由於一個機器周期是12個時鍾周期，所以先12M時，一個機器周期是1US，好計算，而且速度相對是最高的（當然現在也有更高頻率的單片機）。
11.0592M是因為在進行通信時，12M頻率進行串列通信不容易實現標準的波特率，比如9600，4800，而11.0592M計算時正好可以得到，因此在有通信介面的單片機中，一般選11.0592M

❼ 單片機必須外接晶振嗎

不必須啊
需要晶振提供時鍾的單片機才需要晶振，而且很多晶元都是帶振盪電路的，只有在精度不夠的情況下，才需要外接晶振。

❽ 新手上路，麻煩大神們將51單片機常用的晶振型號推薦一下，我好查了選電容

不接串口的話晶振常用12M,6M，接串口的話晶振常用11.0592M，電容20--30P即可，我常用22P的

❾ at89c52單片機的時鍾頻率是多少

時鍾頻率和晶振的頻率相同。
單片機datasheet寫的0-24MHz。
如果模擬選12MHz，這是理想狀態時鍾。一個機器周期等於12個時鍾周期，就是1uS。但是實際應用中選擇11.0592MHz，因為
其一：因為它能夠准確地劃分成時鍾頻率，與UART(通用非同步接收器/發送器)量常見的波特率相關。特別是較高的波特率(19600，19200)，不管多麼古怪的值，這些晶振都是准確，常被使用的。
其二：用11.0592晶振的原因是51單片機的定時器導致的。用51單片機的定時器做波特率發生器時，如果用11.0592Mhz的晶振，根據公式算下來需要定時器設置的值都是整數;
如果用12Mhz晶振，則波特率都是有偏差的，比如9600，用定時器取0XFD，實際波特率10000，一般波特率偏差在4%左右都是可以的，所以也還能用STC90C516 晶振12M 波特率9600 ，倍數時誤差率6.99%，不倍數時誤差率8.51%，數據肯定會出錯。
這也就是串口通信時大家喜歡用11.0592MHz晶振的原因，在波特率倍速時，最高可達到57600，誤差率0.00%。 用12MHz，最高也就4800，而且有0.16%誤差率，但在允許范圍，所以沒多大影響。
另外不建議使用內部時鍾，單片機內部時鍾都是有誤差的。