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stciap單片機

發布時間:2025-05-26 23:03:57

⑴ stc12單片機的isp,iap,eeprom是個什麼關系isp,iap是什麼原理isp程序存

isp是在系統編程技術,是指給單片機燒寫程序不用吧晶元從電路板上拆下來,就能完成燒錄程序。iap是在應用編程,是指單片機在上電工作過程中實現程序修改燒寫,就好比手機不關機安裝應用程序。eeprom是一種存儲器技術,可以靠電擦除內容,並實現掉電後不丟失,而且可以按位元組讀寫

⑵ 宏晶的IAP開頭和STC開頭的單片機什麼區別啊

In Application Programming 是指在應用編程,就是自己在運行程序時可以自己給自己編程,stc開頭的是宏晶的單片機,stc開頭的都不帶iap功能,只有ISP功能既在系統編程,需要編程線連接指定串口並復位單片機從ISP引導區啟動才能給單片機編程,宏晶的iap單片機也是iap開頭,很好區分的

⑶ STC單片機的IAP功能和ISP功能有什麼區別與聯系為什麼IAP功能同EEPROM聯系在一起為什麼

ISP(In-system programmable)是在系統可編程:
指的是不需要把單片機從目標系統板上取下來就可以直接從PC往單片機裡面燒錄程序。

IAP(In-Application programmable)是在應用可編程:
指的是可以通過單片機自身的程序修改單片機該程序區的內容;

EEPROM功能是:
在程序區1中的程序可以修改程序區2中的內容;通常程序區2中的內容不可以執行,只能當數據使用,功能相當於EEPROM;

區別:
ISP:從PC機修改單片機程序區的內容(即燒錄)
IAP:單片機自己修改自己程序區的內容
EEPROM:單片機程序區1中的程序可以修改程序區2中的內容

這么有技術含量的問題……你也好意思沒給懸賞分!!!!!

⑷ STC89C51和IAP系列的單片機有什麼區別立創上賣的怎麼樣

STC89C51是ISP單片機即在系統編程單片機,是6T單片機,速度比普通的8051快不到1倍,可以利用串口下載程序到單片機。IAP是在應用編程,也就是說,在單片機運行期間可以更新程序,功能上當然更強大一些了。STC絕大部分單片機都是ISP,新出的一些單片機有IAP功能。功能上而言,STC89C51可以取代8051,比如Atmel的AT89C51,8051,8751等等產品,引腳完全兼容,程序上只是在軟體延時方面需要處理一下,畢竟6T和12T速度上有一倍的差別。

⑸ STC單片機中的IAP功能是什麼ISP/IAP 觸發寄存器是什麼

IAP是指在應用編程,就是片子提供一系列的機制(硬體/軟體上的)當片子在運行程序的時候可以提供一種改變flash數據的方法。通俗點講,也就是說程序自己可以往程序存儲器里寫數據或修改程序。

這種方式的典型應用就是用一小段代碼來實現程序的下載,實際上單片機的ISP功能就是通過IAP技術來實現的,即片子在出廠前就已經有一段小的boot程序在裡面,片子上電後,開始運行這段程序,當檢測到上位機有下載要求時,便和上位機通信,然後下載數據到存儲區。

ISP/IAP相關寄存器:

ISP_DATA:ISP/IAP操作時的數據寄存器。

ISP/IAP從Flash讀出的數據放在此處,向Flash寫入的數據也需放在此處。

ISP_ADDRH:ISP/IAP操作時的地址寄存器高八位。

ISP_ADDRL:ISP/IAP操作時的地址寄存器低八位。

ISP_CMD:ISP/IAP操作時的命令模式寄存器,須命令觸發寄存器觸發方可生效。

(5)stciap單片機擴展閱讀

STC單片機的特點:

STC12C5A60S2/AD/PWM系列單片機是宏晶科技生產的單時鍾/機器周期(1T)的單片機,是高速/低功耗/超強抗干擾的新一代8051單片機,指令代碼完全兼容傳統8051,但速度快8-12倍。

內部集成MAX810專用復位電路,2路PWM,8路高速10位A/D轉換(250K/S),針對電機控制,強干擾場合。

1、增強型8051CPU,1T,單時鍾/機器周期,指令代碼完全兼容傳統8051;

2、工作電壓:STC12C5A60S2系列工作電壓:5.5V-3.3V(5V單片機)STC12LE5A60S2系列工作電壓:3.6V-2.2V(3V單片機);

3、工作頻率范圍:0 - 35MHz,相當於普通8051的 0~420MHz;

4、用戶應用程序空間8K /16K / 20K / 32K / 40K / 48K / 52K / 60K / 62K位元組;

5、片上集成1280位元組RAM;

6、通用I/O口(36/40/44個),復位後為:准雙向口/弱上拉(普通8051傳統I/O口),可設置成四種模式:准雙向口/弱上拉,推挽/強上拉,僅為輸入/高阻,開漏,每個I/O口驅動能力均可達到20mA,但整個晶元最大不要超過120mA。

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