單片機三極電容

㈠ 請問單片機晶振電路中兩個電容的作用是什麼

單片機晶振電路中兩個電容（負載電容）的作用是把電能轉換成其他形式的能。如果沒這兩個電容的話，振盪部分會因為沒有迴路而停振。電路不能正常工作了。

負載頻率不同決定振盪器的振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率，一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為並聯揩振晶振的高負載電容晶振。

所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。

電動機能把電能轉換成機械能，電阻能把電能轉換成熱能，電燈泡能把電能轉換成熱能和光能，揚聲器能把電能轉換成聲能。電動機、電阻、電燈泡、揚聲器等都叫做負載。

晶體三極體對於前面的信號源來說，也可以看作是負載。對負載最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。

(1)單片機三極電容擴展閱讀

單片機能正常工作的必要條件之一就是時鍾電路，所以單片機就很需要晶振。通過一定的外接電路來，可以生成頻率和峰值穩定的正弦波。

而單片機在運行的時候，需要一個脈沖信號，做為自己執行指令的觸發信號，可以簡單的想像為：單片機收到一個脈沖，就執行一次或多次指令。

單片機工作時，是一條一條地從RoM中取指令，然後一步一步地執行。單片機訪問一次存儲器的時間，稱之為一個機器周期，這是一個時間基準。

—個機器周期包括12個時鍾周期。如果一個單片機選擇了12兆赫茲晶振，它的時鍾周期是1/12us，它的一個機器周期是12×（1/12）us，也就是1us。

晶振是給單片機提供工作信號脈沖的。這個脈沖就是單片機的工作速度。比如12兆晶振。單片機工作速度就是每秒12兆。單片機內部也有晶振。接外部晶振可以或得更穩定的頻率。

㈡ 這是一個單片機電路，圖中的電容有什麼作用啊

這是單片機典型的上電復位電路,這里是高電平復位.
當電壓由零跳變到VCC時,電容C1開始充電,電路中產生電流,於是電阻R1上對地產生壓降,RST 是高電平;一段時間後,C1 充電完成,電路中沒有電流,R1沒有壓降,RST是低電平.
這里RST的高電平即是復位信號,一般要求保持1ms的時間;這個時間與RC的乘積成正比,例如R=10k,C=0.1uF,大概就有1ms.

㈢ 關於單片機測量電容的一個程序求解釋

測量電容不需要這么麻煩，可以使用SLOPE AD方式，TI有這樣的常式，電容指觸這個應用就是典型的例子，可以去里邊找應用文檔，會找到的，叫Capacitor Sence Touch什麼的這類名字。

原理是，先將被測電容正極接在比較器的輸入端上，負極接地，另外再佔用一個IO，用一個容量比較大的電阻從這個IO接到電容正極上。
測量時，先將IO置高，用比較器判斷是否達到一個指定的電壓，比如Vref/2，然後就把IO置為低，並啟動TA定時器，計量電放光所耗費的時間，就可以知道電容的容量是多少了，基於的公式就是t=0.7rc，那麼已經得到了放電時間t還有所串電阻R，所以倒一下公式就可以算出C來了。至於不同檔位，只是電阻的阻值不同。注意較大容量的電容測量時可能需要改成用兩個IO，兩個三極體或MOS管分別負責充電和放電，原理相同，只是控制邏輯有點區別。

㈣ 51單片機中的電容有什麼作用

單片機中用到的電容通常有這樣兩種：第一種是並聯到晶振兩側，是幫助晶振起振的。第二種是復位電路上，上電他會充電，給單片機復位用的。還有就是IC設計過程中，會在IC的Vcc和GND間並聯一個電容，這個電容式濾波、去耦等作用，看電容大小而定。
51單片機是對所有兼容Intel 8031指令系統的單片機的統稱。該系列單片機的始祖是Intel的8004單片機，後來隨著Flash rom技術的發展，8004單片機取得了長足的進展，成為應用最廣泛的8位單片機之一，其代表型號是ATMEL公司的AT89系列，它廣泛應用於工業測控系統之中。很多公司都有51系列的兼容機型推出，今後很長的一段時間內將佔有大量市場。51單片機是基礎入門的一個單片機，還是應用最廣泛的一種。需要注意的是51系列的單片機一般不具備自編程能力。
電容器，通常簡稱其容納電荷的本領為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是『裝電的容器』，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用於電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調諧迴路， 能量轉換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導體（包括導線）間都構成一個電容器。

㈤ 單片機電源中的電容的作用是什麼

電容器的作用：

1、耦合：用在耦合電路中的電容稱為耦合電容，在阻容耦合放大器和其他電容耦合電路中大量使用這種電容電路，起隔直流通交流作用。

2、濾波：用在濾波電路中的電容器稱為濾波電容，在電源濾波和各種濾波器電路中使用這種電容電路，濾波電容將一定頻段內的信號從總信號中去除。

3、退耦：用在退耦電路中的電容器稱為退耦電容，在多級放大器的直流電壓供給電路中使用這種電容電路，退耦電容消除每級放大器之間的有害低頻交連。

4、高頻消振：用在高頻消振電路中的電容稱為高頻消振電容，在音頻負反饋放大器中，為了消振可能出現的高頻自激，採用這種電容電路，以消除放大器可能出現的高頻嘯叫。

5、諧振：用在LC諧振電路中的電容器稱為諧振電容，LC並聯和串聯諧振電路中都需這種電容電路。

6、旁路：用在旁路電路中的電容器稱為旁路電容，電路中如果需要從信號中去掉某一頻段的信號，可以使用旁路電容電路，根據所去掉信號頻率不同，有全頻域（所有交流信號）旁路電容電路和高頻旁路電容電路。

7、中和：用在中和電路中的電容器稱為中和電容。在收音機高頻和中頻放大器，電視機高頻放大器中，採用這種中和電容電路，以消除自激。

8、定時：用在定時電路中的電容器稱為定時電容。在需要通過電容充電、放電進行時間控制的電路中使用定時電容電路，電容起控制時間常數大小的作用。

9、積分：用在積分電路中的電容器稱為積分電容。在電勢場掃描的同步分離電路中，採用這種積分電容電路，可以從場復合同步信號中取出場同步信號。

10、微分：用在微分電路中的電容器稱為微分電容。在觸發器電路中為了得到尖頂觸發信號，採用這種微分電容電路，以從各類（主要是矩形脈沖）信號中得到尖頂脈沖觸發信號。

11、補償：用在補償電路中的電容器稱為補償電容，在卡座的低音補償電路中，使用這種低頻補償電容電路，以提升放音信號中的低頻信號，此外，還有高頻補償電容電路。

12、自舉：用在自舉電路中的電容器稱為自舉電容，常用的OTL功率放大器輸出級電路採用這種自舉電容電路，以通過正反饋的方式少量提升信號的正半周幅度。

13、分頻：在分頻電路中的電容器稱為分頻電容，在音箱的揚聲器分頻電路中，使用分頻電容電路，以使高頻揚聲器工作在高頻段，中頻揚聲器工作在中頻段，低頻揚聲器工作在低頻段。

14、負載電容：是指與石英晶體諧振器一起決定負載諧振頻率的有效外界電容。負載電容常用的標准值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。負載電容可以根據具體情況作適當的調整，通過調整一般可以將諧振器的工作頻率調到標稱值。

(5)單片機三極電容擴展閱讀

單片機在電子技術中的開發，主要包括CPU開發、程序開發、 存儲器開發、計算機開發及C語言程序開發，同時得到開發能夠保證單片機在十分復雜的計算機與控制環境中可以正常有序的進行，這就需要相關人員採取一定的措施，下文是筆者的一些簡單介紹：

（1）CPU開發。開發單片機中的CPU匯流排寬度，能夠有效完善單片機信息處理功能緩慢的問題，提高信息處理效率與速度，開發改進中央處理器的實際結構，能夠做到同時運行2-3個CPU，從而大大提高單片機的整體性能。

（2）程序開發。嵌入式系統的合理應用得到了大力推廣，對程序進行開發時要求能夠自動執行各種指令，這樣可以快速准確地採集外部數據，提高單片機的應用效率。

（3）存儲器開發。單片機的發展應著眼於內存，加強對基於傳統內存讀寫功能的新內存的探索，使其既能實現靜態讀寫又能實現動態讀寫，從而顯著提高存儲性能。

（4）計算機開發。進一步優化和開發單機片應激即分析，並應用計算機系統，通過連接通信數據，實現數據傳遞。

（5）C語言程序開發。優化開發C語言能夠保證單片機在十分復雜的計算機與控制環境中，可以正常有序的進行，促使其實現廣泛全面的應用。

參考資料來源：網路-單片機

參考資料來源：網路-電容

㈥ 單片機三極體 控制電機的問題（圖）

上電復位本來就是高電平，你這種設計方式是不可避免的，就算你程序一開始就寫P2^0=0也解決不了。換成高電平不轉的電路就好了。需要改一下硬體設計。

㈦ 單片機電路中的電容和電感該如何選型為什麼

1、如果是單片機本身的旁路電容，用10uF和.0.1uF兩只電容並練到單片機電源引腳附近就行，不需要電感。
2、如果是擴展了其它的模擬電路，其電容和電感的選取跟單片機沒有關系，由具體的模擬需要來選取。

㈧ 在單片機與三極體中間串聯一個電容是什麼作用（有圖）

這是個兩通道電路，該電容是起隔直作用，可知其輸入信號是正脈沖信號，如果是輸入負脈沖信號，該電容是可以去掉的。所謂負脈沖，就是靜態時輸出端為高電平，Q3（Q6）不會導通，對後面電路沒有影響，正脈沖信號則相反。

㈨ 51單片機中電容有什麼作用

單片機中用到的電容通常有這樣兩種：

第一種是並聯到晶振兩側，是幫助晶振起振的。

第二種是復位電路上，上電他會充電，給單片機復位用的。

還有就是IC設計過程中，會在IC的Vcc和GND間並聯一個電容，這個電容式濾波、

去耦等作用，看電容大小而定。