sdram激活命令时间间隔

㈠ 换了条频率比原来高的内存后需不需要怎么去设置一下才能用呢原来的不用了。怎么设置，能说详细点吗

.......你分真多,这种小问题100分浪费了.

直接用就可以了,不用设置.

看你分这么多,多说一点吧

内存参数规格：
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
CMD Rate祥解：
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。
tRAS：
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快。
总结：
或许你看完以上论述后还是有一些不解，其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的非常透彻，这个并不影响你选择什么规格的内存，以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内存参数。最基本的，你应该知道，系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存，然后CAS延迟越低越好。

因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。
一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。
另外一点值得注意的是，PC3200或PC3500规格的内存，如果CAS延迟可以设为2，也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽，低CAS延迟也会带来显着的性能提升，例如一些小型游戏和3D应用程序。
总而言之，一条参数为2-2-2-5的内存绝对比3-4-4-8的内存优秀很多，总线速度越高，这种情况就越明显。

这些对你有帮助.

㈡ 什么是EDO和SDRAM

EDO内存EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。 SDRAM SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)
第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。
DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1600。
很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。
SDR不等于SDRAM。
Pin:模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚，而模组的pin就是常说的“金手指”。
SIMM：Single In-line Memory Mole,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）。
DIMM：Double In-line Memory Mole，双列内存模组。是我们常见的模组类型，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。
RIMM：registered DIMM，带寄存器的双线内存模块，这种内存槽只能插DDR或Rambus内存。
SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。
工作电压：
SDR：3.3V
DDR：2.5V
DDR2：1.8V
DDR3：1.5V
SDRAM内存条的金手指通常是168线，而DDR SDRAM内存条的金手指通常是184线的。
几代产品金手指的缺口数及缺口位置也不同有效防止反插与错插，SDRAM有两个缺口，DDR只有一个缺口。
SDRAM的结构、时序与性能的关系
一、影响性能的主要时序参数
所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。
非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述，大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要，它们是tRCD、CL和tRP。每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值，可见它们对性能的敏感性。
以内存最主要的操作——读取为例。tRCD决定了行寻址（有效）至列寻址（读/写命令）之间的间隔，CL决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间，tRP则决定了相同L-Bank中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下读取时可能遇到的几种情况（分析写入操作时不用考虑CL即可）：
1、要寻址的行与L-Bank是空闲的。也就是说该L-Bank的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为tRCD+CL，这种情况我们称之为页命中（PH，Page Hit）。
2、要寻址的行正好是前一个操作的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为CL，这就是所谓的背靠背（Back to Back）寻址，我们称之为页快速命中（PFH，Page Fast Hit）或页直接命中（PDH，Page Direct Hit）。
3、要寻址的行所在的L-Bank中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。结果，总耗时就是tRP+tRCD+CL，这种情况我们称之为页错失（PM，Page Miss）。
显然，PFH是最理想的寻址情况，PM则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为PHR——PH Rate、PFDR——PFH Rate、PMR——PM Rate。因此，系统设计人员（包括内存与北桥芯片）都尽量想提高PHR与PFHR，同时减少PMR，以达到提高内存工作效率的目的。
二、增加PHR的方法
显然，这与预充电管理策略有着直接的关系，目前有两种方法来尽量提高PHR。自动预充电技术就是其中之一，它自动的在每次行操作之后进行预充电，从而减少了日后对同一L-Bank不同行寻址时发生冲突的可能性。但是，如果要在当前行工作完成后马上打开同一L-Bank的另一行工作时，仍然存在tRP的延迟。怎么办？ 此时就需要L-Bank交错预充电了。
VIA的4路交错式内存控制就是在一个L-Bank工作时，对下一个要工作的L-Bank进行预充电。这样，预充电与数据的传输交错执行，当访问下一个L-Bank时，tRP已过，就可以直接进入行有效状态了。目前VIA声称可以跨P-Bank进行16路内存交错，并以LRU算法进行预充电管理。
有关L-Bank交错预充电（存取）的具体执行在本刊2001年第2期已有详细介绍，这里就不再重复了。
L-Bank交错自动预充电/读取时序图（可点击放大）：L-Bank 0与L-Bank 3实现了无间隔交错读取，避免了tRP对性能的影响 三、增加PFHR的方法
无论是自动预充电还是交错工作的方法都无法消除tRCD所带来的延迟。要解决这个问题，就要尽量让一个工作行在进行预充电前尽可能多的接收多个工作命令，以达到背靠背的效果，此时就只剩下CL所造成的读取延迟了（写入时没有延迟）。
如何做到这一点呢？这就是北桥芯片的责任了。在上文的时序图中有一个参数tRAS（Active to Precharge Command，行有效至预充电命令间隔周期）。它有一个范围，对于PC133标准，一般是预充电命令至少要在行有效命令5个时钟周期之后发出，最长间隔视芯片而异（基本在120000ns左右），否则工作行的数据将有丢失的危险。那么这也就意味着一个工作行从有效（选通）开始，可以有120000ns的持续工作时间而不用进行预充电。显然，只要北桥芯片不发出预充电（包括允许自动预充电）的命令，行打开的状态就会一直保持。在此期间的对该行的任何读写操作也就不会有tRCD的延迟。可见，如果北桥芯片在能同时打开的行（页）越多，那么PFHR也就越大。需要强调的是，这里的同时打开不是指对多行同时寻址（那是不可能的），而是指多行同时处于选通状态。我们可以看到一些SDRAM芯片组的资料中会指出可以同时打开多少个页的指标，这可以说是决定其内存性能的一个重要因素。
Intel 845芯片组MCH的资料：其中表明它可以支持24个页面同时处于打开状态
但是，可同时打开的页数也是有限制的。从SDRAM的寻址原理讲，同一L-Bank中不可能有两个打开的行（S-AMP只能为一行服务），这就限制了可同时打开的页面总数。以SDRAM有4个L-Bank，北桥最多支持8个P-Bank为例，理论上最多只能有32个页面能同时处于打开的状态。而如果只有一个P-Bank，那么就只剩下4个页面，因为有几个L-Bank才能有同时打开几个行而互不干扰。Intel 845的MHC虽然可以支持24个打开的页面，那也是指6个P-Bank的情况下（845MCH只支持6个P-Bank）。可见845已经将同时打开页数发挥到了极致。
不过，同时打开页数多了，也对存取策略提出了一定的要求。理论上，要尽量多地使用已打开的页来保证最短的延迟周期，只有在数据不存在（读取时）或页存满了（写入时）再考虑打开新的指定页，这也就是变向的连续读/写。而打开新页时就必须要关闭一个打开的页，如果此时打开的页面已是北桥所支持的最大值但还不到理论极限的话，就需要一个替换策略，一般都是用LRU算法来进行，这与VIA的交错控制大同小异。

㈢ 内存时序问题（超频）

与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400工作频率为200MHz。

FSB与内存频率的关系

首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。

FSB/MEM比率 实际运行频率
1/1 200MHz
1/2 100MHz
2/3 133MHz
3/4 150MHz
3/05 120MHz
5/6 166MHz
7/10 140MHz
9/10 180MHz

对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。

FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系

强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。

内存时序设置
内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。

涉及到的参数分别为：

CPC : Command Per Clock
tCL : CAS Latency Control
tRCD : RAS to CAS Delay
tRAS : Min RAS Active Timing
tRP : Row Precharge Timing
tRC : Row Cycle Time
tRFC : Row Refresh Cycle Time
tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
tWR : Write Recovery Time
……及其他参数的设置

CPC : Command Per Clock
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。

tCL : CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

tRCD : RAS to CAS Delay
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。

如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

tRAS : Min RAS Active Timing
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。

tRP : Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。

一般说来，tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。

tRC : Row Cycle Time(tRC)
可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。

因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。

tRFC : Row Refresh Cycle Time
可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。

Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。

tWR : Write Recovery Time
可选的设置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。

tWTR : Write to Read Delay
可选的设置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。

tREF : Refresh Period
可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。

先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。

1552= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2592= 166mhz(?.??s)
3120= 200mhz(?.??s)
---------------------
3632= 100mhz(?.??s)
4128= 133mhz(?.??s)
4672= 166mhz(?.??s)
0064= 200mhz(?.??s)
---------------------
0776= 100mhz(?.??s)
1032= 133mhz(?.??s)
1296= 166mhz(?.??s)
1560= 200mhz(?.??s)
---------------------
1816= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2336= 166mhz(?.??s)
0032= 200mhz(?.??s)
---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)

如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。

另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。

tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能／稳定性比。

tWCL : Write CAS Latency
可选的设置：Auto，1-8

Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。

DRAM Bank Interleave
可选的设置：Enable， Disable

DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。

虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。

Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。

DQS Skew Control
可选的设置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew

DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。

DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。

同样地，设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。

DQS Skew Value
可选的设置：Auto，0-255，步进值为1。

当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值。值越大，表示速度越快。

DRAM Drive Strength
可选的设置：Auto，1-8，步进值为1。

DRAM Drive Strength（也被称为：driving strength），表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。

如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，一般说来，1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。

DRAM Data Drive Strength
可选的设置：Auto，1-4，步进值为1。

DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM，建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。

要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。

Idle Cycle Limit
可选的设置：Auto，0-256，无固定步进值。

Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。

BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32。Idle Cycle Limit值越低越好。

Dynamic Counter
可选的设置：Auto， Enable， Disable。

Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启（Enable），则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss：PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。

BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设置，可以使系统的更稳定。

R/W Queue Bypass
可选的设置：Auto，2x，4x，8x，16x。

R/W Queue Bypass表示“读／写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被选定前，忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似，只是优化器影响内存中的读／写队列。

Bypass Max
可选的设置：Auto， 0x-7x， 步进值为1。

Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前，最后进入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被优化器忽略的时间。

BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。

32 Byte Granulation
可选的设置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。

32 Byte Granulation表示"32位颗粒化"。当该参数设置为关闭(Disable)时，就可以选择突发计数器，并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。

绝大多数情况下，建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些

㈣ SDRAM DDR DDR2的详细性能指标

DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

采用双通道运行，速度是DDR的2倍。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

㈤ 什么是CPU的时序

CPU的时序是指CPU中的一个时序信号产生器。计算机一旦被启动，在时钟脉冲的作用下，CPU开始取指令并执行指令，操作控制器就利用定时脉冲的顺序和不同的脉冲间隔，有条理、有节奏地指挥机器各个部件按规定时间动作，规定在这个脉冲到来时做什么，在那个脉冲到来时又做什么，给计算机各部分提供工作所需的时间标志。为此，需要采用多级时序体制。

(5)sdram激活命令时间间隔扩展阅读：

CPU时序的工作原理

当CPU从内存读取一个32或64位的数（指令或者数据），要求32位同时读入，不能有先后顺序。所以仅仅靠简单的逻辑运算是做不到的。所谓的“同时读32个bit”，就需要有同一个时钟控制，在同一个上升沿或下降沿去读取，然后到下一个上升沿或下降沿前什么都不做，但是能保持住读进来的数值。

做加法的时候，就同时把2个值放到逻辑计算面前，逻辑电路则可以在电平的下一个上升沿或下降沿去做加法（或者读在上升沿，加法在下降沿）。

数值的上升沿读入，其他时间保持，就是寄存器。因为有了寄存器，保证了逻辑运算的时候，输入的1和0是稳定的，不是变化的。这就是时钟的基本作用。如果没有时钟，可能32位读入有时间顺序的差异，哪怕是纳秒的差异，也会让结果不稳定，不可预期。

如果有复杂的计算，可能需要多次读入（例如计算2个64位整数的加法），读入指令一次，读入A一次，读入B一次，相加输出再一次。每一次就是一个时钟的上升沿或下降沿操作。

㈥ BIOS设置详解

BIOS 设置详解
AWARD BIOS
AWARD BIOS是目前应用最为广泛的一种BIOS。本文将详细介绍一下AWARD BIOS中的有关设置选项的含义和设置方法，在AWARD BIOS的主菜单中主要有以下几个菜单项：
Standard CMOS Setup（标准CMOS设定）：
这个选项可以设置系统日期、时间、IDE设备、软驱A与B、显示系统的类型、错误处理方法等。
（1）在IDE设备设置中，用户可以在Type（类型）和Mode（模式）项设为Auto，使每次启动系统时BIOS自动检测硬盘。也可以在主菜单中的IDE HDD Auto Detection操作来设置。用户还可以使用User选项，手动设定硬盘的参数。必须输入柱面数（Cyls），磁头数（Heads），写预补偿（Precomp），磁头着陆区（Landz），每柱面扇区数（Sectorxs），工作模式（Mode）等几种参数。硬盘大小在上述参数设定后自动产生。
（2）显示类型可选EGA/VGA（EGA、VGA、SEGA、SVGA、PGA显示适配卡选用）、CGA40（CGA显示卡，40列方式）、CGA80（CGA显示卡，80列方式）、MONO（单色显示方式，包括高分辨率单显卡）等四种，以现在我们使用的计算机来看，绝大多数都属于EGA/VGA显示类型。
（3）暂停的出错状态选项有：All Errors（BIOS检测到任何错误，系统启动均暂停并且给出出错提示）、No Errors（BIOS检测到任何错误都不使系统启动暂停）、All But Keyboard（BIOS检测到除了磁盘之外的错误后使系统启动暂停，磁盘错误暂停）、All But Disk/Key（BIOS检测到除了键盘或磁盘之外的错误后使系统启动暂停。
BIOS Features Setup（BIOS功能设定）
该项用来设置系统配置选项清单，其中有些选项由主板本身设计确定，有些选项用户可以进行修改设定，以改善系统的性能。常见选项说明如下：
（1）Virus Warning（病毒警告）：这项功能在外部数据写入硬盘引导区或分配表的时候，会提出警告。为了避免系统冲突，一般将此功能关闭，置为Disable（关闭）。
（2）CPU Internal Cache（CPU Level 1 catch）：缺省为Enable（开启），它允许系统使用CPU内部的第一级Cache。486以上档次的CPU内部一般都带有Cache，除非当该项设为开启时系统工作不正常，此项一般不要轻易改动。该项若置为Disable，将会严重影响系统的性能。
（3）External Cache（CPU Level 1 catch）：缺省设为Enable，它用来控制主板上的第二级（L2）Cache。根据主板上是否带有Cache，选择该项的设置。
（4）BIOS Update：开启此功能则允许BIOS升级，如关闭则无法写入BIOS。
（5）Quick Power On Self Test：缺省设置为Enable，该项主要功能为加速系统上电自测过程，它将跳过一些自测试。使引导过程加快。
（6）Hard Disk Boot From（HDD Sequence SCSI/IDE First）:选择由主盘、从盘或SCSI硬盘启动。
（7）Boot Sequence：选择机器开电时的启动顺序。有些BIOS将SCSI硬盘也列在其中，此外比较新的主板还提供了LS 120和ZIP等设备的启动支持，一般BIOS，都有以下四种启动顺序：C，A（系统将按硬盘，软驱顺序寻找启动盘）；A，C（系统将按软驱，硬盘顺序寻找启动盘）；CDROM，C，A（系统按CDROM，硬盘，软驱顺序寻找启动盘）；C，CDROM，A（系统按硬盘，CDROM，软驱顺序寻找启动盘）。
（8）Swap Floppy Drive:（交换软盘驱动器）缺省设定为Disable。当它Disable时，BIOS把软驱连线扭接端子所接的软盘驱动器当作第一驱动器。当它开启时，BIOS将把软驱连线对接端子所接的软盘驱动器当作第一驱动器，即在DOS下A盘当作B盘用，B盘当作A盘用。
（9）Boot Up Floppy Seek：当Enable时，机器启动时BIOS将对软驱进行寻道操作。
（10）Floppy Disk Access Contol：当该项选在R/W状态时，软驱可以读和写，其它状态只能读。
（11）Boot Up Numlock Strtus:该选项用来设置小键盘的缺省状态。当设置为ON时，系统启动后，小键盘的缺省为数字状态；设为OFF时，系统启动后，小键盘的状态为箭头状态。
（12）Boot Up System Speed：该选项用来确定系统启动时的速度为HIGH还是LOW。
（13）Typematic Rate Setting:该项可选Enable和Disable。当置为Enable时，如果按下键盘上的某个键不放，机器按你重复按下该键对待；当置为Disable时，如果按下键盘上的某个键不放，机器按键入该键一次对待。
（14）Typematic Rate:如果Typematic Rate Setting选项置为Enable，那么可以用此选项设定当你按下键盘上的某个键一秒钟，那么相当于按该键6次。该项可选6、8、10、12、15、20、24、30。
（15）Typematic Delay：如果Typematic Rate Setting选项置为Enable，那么可以用此选项设定按下某一个键时，延迟多长时间后开始视为重复键入该键。该项可选250、500、750、1000，单位为毫秒。
（16）Security Option:选择System时，每次开机启动时都会提示你输入密码，选择Setup时，仅在进入BIOS设置时会提示你输入密码。
（17）PS/2 Mouse Function Control：当该项设为Enable，机器提供对于PS/2类型鼠标的支持，AUTO可以在系统启动是自动侦测PS/2 Mouse，分配IRQ。
（18）Assign PCI IRQ For VGA:选Enable时，机器将自动设定PCI显示卡的IRQ到系统的DRAM中，以提高显示速度和改善系统的性能。
（19）PCI/VGA Palett Snoop：该项用来设置PCI/VGA卡能否与MPEG ISA/VESA VGA卡一起用。当PCI/VGA卡与MPEG ISA/VESA VGA卡一起用或使用其他非标准VGA时，该项应设为Enable。
（20）OS Select For DRAM>64MB：如果使用OS/2操作系统，使用64MB以上的内存。该项选为OS2。
（21）System BIOS Shadow:该选项的缺省设置默认为Enable，当它开启时，系统BIOS将拷贝到系统Dram中，以提高系统的运行速度和改善系统的性能。
（22）Video BIOS Shadow:缺省设定为开启（Enable），当它开启时，显示卡的BIOS将拷贝到系统DRAM中，以提高显示速度和改善系统的性能。
（23）C8000－CBFFF Shadow/DFFFF Shadow:这些内存区域用来作为其他扩充卡的ROM映射区，一般都设定为禁止（Disable）。如果有某一扩充卡ROM需要映射，则用户应搞清楚该ROM将映射地址和范围，可以将上述的几个内存区域都置为Enable;但这样将造成内存空间的浪费。因为映射区的
地址空间将占用系统的640K～1024K之间的某一段内存。
Chipset Features Setup（芯片组功能设定）
该项用来设置系统板上芯片的特性。常见选项如下：
（1）ISA Bus Clock frequency（PCICLK/4）ISA传输速率设定。设定值有：PCICLK/3；PCICLK/4。
（2）Auto Configuration（Enabled）自动状态设定。
当设定为Enabled时BIOS依最佳状况状态设定，此时BIOS会自动设定DRAM Timing，所以会无法修改DRAM的细项时序，强烈建议选用Enabled，因为任意改变DRAM的时序可能造成系统不稳或不开机。
（3）Aggressive Mode（Disabled）高级模式设定。
若想获得较好的效能时，而且系统在非常稳定状态下，可以尝试Enabled此项功能以增加系统效能，不过必须使用速度较快DRAM（60ns以下）。
Power Management Setup（节电功能设定）
该项为电源管理设定，用来控制主板上的“绿色”功能。该功能定时关闭视频显示和硬盘驱动器以实现节能的效果。
实现节电的模式有以下四种：
1.Doze模式，当设定时间一到，CPU时钟变慢，其他设备照常运作；
2.Standby模式，当设定时间一到，硬盘和显示将停止工作，其他设备照常运作；
3.Suspend模式，当设定时间一到，除CPU以外的所有设备都将停止工作；
4.HDD Power Down模式，当设定时间一到，硬盘停止工作，其他设备照常运作。
本菜单项下可供选择的内容如下：
（1）Power Management节电模式的主控项，有四种设定：
Max Saving（最大节电）在一个较短的系统不活动的周期（Doze、Standby、Suspend、HDD Power Down四种模式的缺省值均为1分钟）以后，使系统进入节电模式，这种模式节电最大。
MIN Saving（最小节电）在一段较长的系统不活动的周期在这种情况下，（Doze，Standby，Suspend三种模式的缺省值均为1小时，HDD Power Down模式的缺省值为15分钟）后，使系统进入节电模式。
Disable关闭节电功能，是缺省设置。
User Defined（用户定义）允许用户根据自己的需要设定节电的模式。
（2）Video Off Method（视频关闭）该选项可设为V/H Sync＋Blank、Dpms、Blank Screen三种。 V/H Sync＋Blank将关闭显示卡水平与垂直同步信号的输出端口，向视频缓冲区写入空白信号。 DPMS（显示电源管理系统）设定允许BIOS在显示卡有节电功能时，对显示卡进行节能信息的初始化。只有显示卡支持绿色功能时，用户才能使用这些设定。如果没有绿色功能，则应将该行设定为Blank Screen（关掉屏幕）。
Blank Screen（关掉屏幕）当管理关掉显示器屏幕时，缺省设定能通过关闭显示器的垂直和水平扫描以节约更多的电能。没有绿色功能的显示器，缺省设定只能关掉屏幕而不能终止CRT的扫描。
（3）PM Timers（电源管理记时器）下面的几项分别表示对电源管理超时设置的控制。Doze，Stand By和Suspend Mode项设置分别为该种模式激活前的机器闲置时间，在MAX Saving模式，它每次在一分钟后激活。在MIN Saving模式，它在一小时后激活。
（4）Power Down和Resume Events（进入节电模式和从节电状态中唤醒的事件）。该项下面所列述的事件可以将硬盘设在最低耗电模式，工作、等待和悬挂系统等非活动模式中若有事件发生，如敲任何键或IRQ唤醒、鼠标动作、MODEM振铃时，系统自动从电源节电模式下恢复过来。
PNP/PCI Configuration Setup（即插即用与PCI状态设定）
该菜单项用来设置即插即用设备和PCI设备的有关属性。
（1）PNP OS Installed：如果软件系统支持Plug&Play，如Win95，可以设置为YES。
（2）Resources Controlled By：AWARD BIOS支持“即插即用”功能，可以检测到全部支持“即插即用”的设备，这种功能是为类似Win95操作系统所设计的，可以设置Auto（自动）或Manual（手动）。
（3）Resources Configuration Data：缺省值是Disabled，如果选择Enabled，每次开机时，Extend System Configuration Data（扩展系统设置数据）都会重新设置。
（4）IRQ3/4/5/7/9/10/11/12/14/15：在缺省状态下，除了IRQ3/4，所有的资源，都设计为被PCI设备占用，如果某些ISA卡要占用某资源可以手动设置。
Intergrated Peripherals Setup（外部设备设定）
该菜单项用来设置集成主板上的外部设备的属性。
（1）IDE HDD Block Mode：如果选择Enable，可以允许硬盘用快速块模式（Fast Block Mode）来传输数据。
（2）IDE PIO Mode：这个设置取决于系统硬盘的速度，共有AUTO，0，1，2，3，4五个选项，Mode4硬盘传输速率大于是16.6MB/s，其它模式的小于这个速率。不要选择超过硬盘速率的模式，这样会丢失数据。
（3）IDE UMDA（Ultra DMA）Mode：Intel 430TX芯片提供了Ultra DMA Mode，它可以把传输速率提高到一个新的水准。
Load BIOS Defaults（装入BIOS缺省值）
主机板的CMOS中有一个出厂时设定的值。若CMOS内容被破坏，则要使用该项进行恢复。由于BIOS缺省设定值可能关掉了所有用来提高系统的性能的参数，因此使用它容易找到主机板的安全值和除去主板的错误。该项设定只影响BIOS和Chipset特性的选定项。不会影响标准的CMOS设定。移动光标到屏幕的该项然后按下Y或Enter键，屏幕显示是否要装入BIOS缺省设定值，键入Y即装入，键入N即不装入。选择完后，返回主菜单。
Supervisor Password And User Password Setup（超级用户与普通用户密码设定）
User Passowrd Setting功能为设定密码。如果要设定此密码，首先应输入当前密码，确定密码后按Y，屏幕自动回到主画面。输入User Passowrd可以使用系统，但不能修改CMOS的内容。输入Supervisor Password可以输入、修改CMOS BIOS的值，Supervisor Password是为了防止
他人擅自修改CMOS的内容而设置的。用户如果使用IDE硬盘驱动器，该项功能可以自动读出硬盘参数，并将它们自动记入标准CMOS设定中，它最多可以读出四个IDE硬盘的参数。
以上介绍了Award BIOS Setup的常用选项的含义及设置办法。更改设置后，选Save and Exit Setup项或按F10键保存，使所修改的内容生效。
AWARD BIOS是一种比较常用的BIOS，各主板制造商都其基础根据主板特性上进行了调整。因而本文只介绍了AWARD BIOS的一些最普遍的设置，以供参考，读者还应仔细阅读随主板附带的说明书。
AMI BIOS
BIOS是英文Basic Input/Output System(基本输入/输出系统)的缩写，其程序储存在主板上的 EPROM或Flash ROM 内，作用是测试装在主板上的部件能否正常工作，并提供驱动程序接口，设定系统相关配备的组态。当你的系统配件与原CMOS参数不符合时，或CMOS参数遗失时，或系统不稳定时，就需要进入BIOS设定程序，以重新配置正确的系统组态。
进入AMI BIOS设定程序
1. 打开系统电源或重新启动系统，显示器屏幕将出现自我测试的信息；
2. 当屏幕中间出现"Press to enter setup"提示时，按下 键，就可以进入BIOS设定程序。
3. 以方向键移动至你要修改的选项，按下键即可进入该选项的子画面；
4. 使用 方向键及〈Enter〉键即可修改所选项目的值，也可用鼠标（包括PS/2鼠标）选择BIOS选项并修改。
5. 任何时候按下键即可回到上一画面；
6. 在主画面下，按下键，选择“Saving Changes And Exit"即可储存你的新设定并重新启动系统。选择“Exit Without Saving"，则会忽略你的改变而跳出设定程序。
Standard Setup（标准设定）窗口
Date/Time: 显示当前的日期/时间，可修改。
Floppy Drive A，B: 设定软盘驱动器类型为None/720K/1.2M/1.44M/2.88M 。
Pri Master/Slave以及Sec Master/Slave: 此选项可设定:
HDD Type（硬盘类型）: Auto(自动检测)、SCSI(SCSI HDD)、CD－ROM驱动器、Floptical(LS－120大容量软驱)或是Type 1～47等IDE设备。
LBA/Large: 硬盘LBA/Large 模式是否打开。目前540M以上的硬盘都要将此选项打开(On)，但在Novell Netware 3.xx或4.xx版等网络操作系统下要视情况将它关掉(Off)。
Block Mode: 将此选项设为On，有助于硬盘存取速度加快，但有些旧硬盘不支持此模式，必须将此选项设为Off。32 Bit Mode: 将此选项设为On，有助于在32位的操作系统（如WIN95/NT）下加快硬盘传输速度，有些旧硬盘不支持此模式，必须将此选项设为Off。
PIO Mode: 支持PIO Mode0～Mode5(DMA/33)。用BIOS程序自动检查硬盘时，会自动设置硬盘的PIO Mode。
注意：当你在系统中接上一台IDE设备（如硬盘、光驱等）时，最好进入BIOS，让它自动检测。如果使用的是抽屉式硬盘的话，可将Type设成Auto，或将Primary以及Secondary的Type都改成 Auto 即可。所谓Primary指的是第一IDE接口，对应于主板上的IDE0插口，Secondary指的是第二IDE接口，对应于主板上的IDE1插口。每个IDE接口可接Master/Slave（主/从）两台IDE设备。
Advanced Setup（高级设定）窗口
1st/2rd/3rd/4th Boot Device: 开机启动设备的顺序，可选择由IDE0～3、SCSI、光驱、软驱、 Floptical (LS－120大容量软驱)或由Network(网络)开机。
S.M.A.R.T For HardDisk: 开启（Enable）硬盘S.M.A.R.T 功能。如果硬盘支持，此功能可提供硬盘自我监控的功能。
Quick Boot: 开启此功能后，可使开机速度加快。
Floppy Drive Swap: 若将此功能Enable，可使A驱与B驱互换。
PS/2 Mouse Support : 是否开启PS/2鼠标口，若设定为Enable，则开机时，将IRQ12保留给PS/2鼠标使用，若设定为Disable，则IRQ12留给系统使用。
Password Check: 设定何时检查Password(口令)，若设定成Setup时，每次进入BIOS设定时将会要求输入口令，若设定成Always时，进入BIOS或系统开机时，都会要求输入口令，但先决条件是必须先设定口令(Security窗口中的User选项)。
Primary Display: 设定显示卡的种类。
Internal Cache: 是否开启CPU内部高速缓存（L1 Cache），应设为Enable。
External Cache: 是否开启主板上的高速缓存（L2 Cache），应设为Enable。
System BIOS Cacheable: 是否将系统BIOS程序复制到内存中，以加快BIOS 存取速度。
C000－DC00，16K Shadow: 此8项是将主内存的UpperMemory（上位内存区）开启，将所有插卡上 ROM程序映射到内存中，以加快CPU对BIOS的执行效率。Disable:不开启本功能；Enable:开启，且可提供读写区段功能；Cached:开启，但不提供读写功能。
Chipset Setup（芯片组设定）窗口
本功能中的选项有助于系统效率的提升，建议使用默认值。若将某些Chipset、DRAM/SDRAM或SRAM 部分的Timing值设得过快，可能会导致系统"死机"或运行不稳定，这时可试着将某些选项的速度值设定慢一点。
USB Function Enabled: 此选项可开启USB接口的功能，如没有USB设备，建议将此选项设为Disable， 否则会浪费一个IRQ资源。
DRAM Write Timing: 设定DRAM的写入时序，建议值如下: 70ns DRAM: X－3－3－3； 60ns DRAM: X－2－2－2。
Page Mode DRAM Read Timing: 设定DRAM读取时序，建议值如下 : 70ns DRAM: X－4－4－4； 60ns DRAM: X－3－3－3。
RAS Precharge Period: 设定DRAM/EDO RAM的Precharge（预充电）时间，建议设成4T。
RAS to CAS Delay Time: 设定DRAM中RAS到CAS延迟时间，建议设定成3T。
EDO DRAM Read Timing: 设定EDO DRAM读取时序，建议值如下: 70ns DRAM : X－3－3－3； 60ns DRAM : X－2－2－2。
DRAM Speculative Read: 此选项是设定DRAM推测性的引导读取时序，建议设定成Disable。
SDRAM CAS Latency: 设定SDRAM的CAS信号延迟时序，建议设定值如下 :
15ns(66MHz)/12ns(75MHz) SDRAM: 3
10ns(100MHz) SDRAM: 2。
SDRAM Timing: 设定SDRAM(同步内存)的时序，建议设定值如下:
15ns(66MHz)/12ns(75MHz) SDRAM: 3－6－9
10ns(100MHz) SDRAM: 3－4－7。
注意：若系统使用SDRAM不稳时，建议将SDRAM速度调慢。
SDRAM Speculative Read : 此选项是设定SDRAM推测性的引导读取时序，建议设定成Disable。
Pipe Function: 此选项设定是否开启Pipe Function（管道功能），建议设定成Enable。
Slow Refresh: 设定DRAM的刷新速率，有15/30/60/120us ，建议设在60us。
Primary Frame Buffer: 此选项保留，建议设定成Disable。
VGA Frame Buffer: 设定是否开启VGA帧缓冲，建议设为Enable。
Passive Release: 设定Passive Release（被动释放）为Enable时，可确保CPU与PCI总线主控芯片（PCI Bus Master）能随时重获对总线的控制权。
ISA Line Buffer: 是否开启ISA总线的Line Buffer，建议设为Enable。
Delay Transaction: 设定是否开启芯片组内部的Delay Transaction（延时传送），建议设成 Disable。
AT Bus Clock: 设定ISA总线时钟，建议设成Auto。
Power Management Setup（能源管理）窗口
能源管理功能可使大部份周边设备在闲置时进入省电功能模示，减少耗电量，达到节约能源的目的。电脑在平常操作时，是工作在全速模式状态，而电源管理程序会监视系统的图形、串并口、硬盘的存取、键盘、鼠标及其他设备的工作状态，如果上述设备都处于停顿状态，则系统就
会进入省电模式，当有任何监控事件发生，系统即刻回到全速工作模式的状态。省电模式又分为“全速模式(Normal)、打盹模式 (Doze)、待命模式(Standby)、沉睡模式(Suspend)"，系统耗电量大小顺序:Normal>Doze> Standby > Suspend。
Power Management/APM: 是否开启APM省电功能。若开启(Enable)，则可设定省电功能。
Green PC Monitor Power State/Video Power Down Mode/Hard Disk Power Down Mode :设定显示器、显示卡以及硬盘是否开启省电模式，可设定成Standby、Suspend以及Off(即不进入省电模式)。
Video Power Down Mode: 设定显示器在省电模式下的状态 isable: 不设定 ；Stand By: 待命模式；Suspend: 沉睡模式。
Hard Disk Power Down Mode: 设定硬盘在省电模式下的状态。（同上）
Standby Timeout/Suspend Timeout: 本选项可设定系统在闲置几分钟后，依序进入Standby Mode/Suspend Mode等省电模式。
Display Activity: 当系统进入Standby Mode时，显示器是否进入省电模示，Ingroe:忽略不管；Monitor:开启。
Monitor Serial Port/Paralell Port/Pri－HDD/Sec－ HDD/VGA /Audio/Floppy: 当系统进入省电模式后，是否监视串并行口、主从硬盘、显示卡、声卡、软驱的动作。Yes:监视，即各设备如有动作，则系统恢复到全速工作模式；N不监视。
Power Button Override: 是否开启电源开关功能。
Power Button Function: 此选项是设定当使用ATX电源时，电源按扭（SUS－SW） 的作用。
Soft Off: 按一次就进入Suspend Mode，再按一次就恢复运行。Green: 按第一下便是开机，关机时要按住4秒。
Ring resume From Soft Off:是否开启Modem唤醒功能。
RTC Alarm Resume From Soft Off: 是否设定BIOS 定时开机功能。
PCI/PnP Setup窗口
此选项可设定即插即用(PnP)功能。
OnBoard USB: 是否开启芯片组中的USB功能。
Plug and Play Aware OS: 如你的操作系统(OS)具有PnP功能(如 Win95)，此项应选Yes；若不是，则选No。如某些 PnP卡无法检测到时，建议设成No。
PCI Latency Timer: 此选项可设定PCI时钟的延迟时序。
Offboard PCI IDE Card: 如使用了其它的PCI IDE卡，则此项必须设定，这要视你的PCI IDE卡是插在哪个Slot(1－4)上而定，并设定以下各IDE IRQ 值。Slot5、6以及Hardwared为保留选项。
Offboard PCI IDE Primary IRQ: 设定PCI IDE卡上IDE 0所要占用的INT＃ ，一般都是设定成INT＃A。
Offboard PCI IDE Secondary IRQ: 设定PCI IDE卡上IDE 1所要占用的INT＃，一般都是设定成 INT＃B。
Assign IRQ to PCI VGA Card: 指定一个IRQ给VGA卡使用，一般不用指定IRQ给VGA卡。
IRQ 3、4、5、7、9、10、11、12、14、15/DMA Channel 0、1、3、5、6、7:本选项是设定各IRQ/DMA 是否让PnP卡自动配置，若设定成PCI/PnP，则BIOS检测到PnP卡时，会挑选你所有设成PCI/PnP状态的其中一个IRQ/DMA来使用；反之，若设成ISA/EISA，则BIOS 将不会自动配置。一般设为PCI/PnP。
Peripheral Setup（外围设备设定）窗口

㈦ sdr sdram的突发读写速度能达到多少

sdr= single data rate。
单速率话，100MHz时钟单个输入输出管脚速率是100Mpbs。
突发读写BL可以是1、2、4、8等，这个一般跟时钟频率有关。
读写一般都有潜伏期，即读写命令和读写操作有时间间隔，根据不同的器件潜伏期不一样。
突发读写速度是： 一次读写的数据位数/读写存储周期
，具体值你可以查器件的数据手册。O(∩_∩)O~

㈧ 内存条DDR1在单位时间内一次处理2次，DDR2单位时间内一次处理4次，那DDR3呢，他们之间区别

DDR2/3/4/5和DDR1一样，每周期传输2次数据，内存只存储数据，不处理数据，也没有DDR1处理2次数据，DDR2处理4次数据的说法。简单总结一下一些颗粒的区别，DDR4/5现在只有显存颗粒（GDDR4/5），没有内存颗粒：

SDR：每周期传1次数据，预读取位数是2bit，单颗芯片位宽4bit；
DDR：每周期传2次数据，预计取位数是2bit，单颗芯片位宽8bit；
DDR2：每周期传2次数据，预读取位数是4bit，单颗芯片位宽16bit；
DDR3：每周期传2次数据，预读取位数8bit，DDR3单颗芯片16bit，GDDR3为32bit；
DDR4：每周期传2次数据，预读取位数8bit，GDDR4单颗芯片32bit；
DDR5：每周期传2次数据，预读取位数8bit，GDDR5单颗芯片32bit，双总线技术（类似于双通道）。

可以看出，几代颗粒的发展思路都是，在保证较低的内核频率的基础上提高等效时钟频率。
内核频率*预计取位数=I/O频率；
I/O频率*每周期传输次数=等效时钟频率（DDR5采用双总线技术，就在此基础上再*2）。
较低的内核频率可以有效控制芯片的功耗和电压，也有利于提高芯片的成品率。
比如GDDR5-3600MHz，内核频率为3600/2/2/8=112.5MHz，比DDR2-1000MHz的内核频率还要低。（DDR2-1000MHz的内核频率为125MHz）

至于单颗芯片的位宽提升，则可以减少芯片的使用数量；
内存位宽=单颗位宽*颗粒数量；
内存容量=数据深度*单颗位宽/8；
比如8颗16X32的GDDR3显存，其容量为512M，位宽为256位。
比如同样是64位的内存位宽，DDR需要使用8颗芯片，而DDR2则可以使用4颗芯片（当然，有内存叠加技术，一根64位的内存条也可以使用8颗或16颗芯片，在保证位宽不变的情况下可以增大内存容量），有利于降低成本。

㈨ 内存怎样超频

：关于内存超频与设置的基础知识

在我们进行内存的选购之前，我们要对影响内存性能的一些基本知识进行一个了解，下面这十点，使笔者通过反复论证得到的结果，请大家务必了解。

1、对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数，而忽略了内存子系统的其他要素。

2、目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 P-Bank 的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 P-Bank 还是双 P-Bank 呢？就目前市场上的产品而言 ，256MB 的模组基本都是单 P-Bank 的，双面但每面只有 4 颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB 的双面模组则基本都是双 P-Bank的。

3、页面数量的计算公式为： P-Bank 数量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台，则还要除以 2。比如两条单面 256MB 内存，就是 2X4=8 个页面，用在 875 上组成双通道就成了 4 个页面。

4、CL、tRCD、tRP 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是 CL → tRCD → tRP。

5、当内存页面数为 4 时 ，tRAS 设置短一些可能会更好，但最好不要小于 5。另外，短 tRAS 的内存性能相对于长 tRAS 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感。

6、当内存页面数大于或等于 8 时，tRAS 设置长一些会更好。

7、对于 875 和 865 平台，双通道时页面数达到 8 或者以上时，内存性能更好。

8、对于非双通道 Pentium4 与 AMD 64 平台，tRAS 长短之间的性能差异要缩小。

9、Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台下 ，BL=4 大多数情况下是更好的选择，其他情况下 BL=8 可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整。

10、适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性。

二、BIOS中内存相关参数的设置要领

Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）

可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。

Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）

这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。

Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）

一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。

CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）

这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。

RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）

BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。

RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）

BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。

Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15）

BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。

三、认清影响内存性能的关键

在讲完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之后，我们现在要重要分析一下 SDRAM 的时序与性能之间的关系，它不再局限于芯片本身，而是要从整体的内存系统去分析。这也是广大 DIYer 所关心的话题。比如 CL 值对性能的影响有多大几乎是每个内存论坛都会有讨论，今天我们就详细探讨一下。这里需要强调一点，对于内存系统整体而言，一次内存访问就是对一个页 （Page）的访问。由于在 P-Bank 中，每个芯片的寻址都是一样的，所以可以将页访问“浓缩”等效为对每芯片中指定行的访问，这样可能比较好理解。但为了与官方标准统一，在下文中会经常用页来描述相关的内容，请读者注意理解。

可能很多人还不清楚页的概念，在这里有必要先讲一讲。从狭义上讲，内存芯片芯片中每个 L-Bank 中的行就是页，即一行为一页。但从广义上说，页是从整体角度讲的，这个整体就是内存子系统。

对于内存模组，与之进行数据交换的单位就是 P-Bank 的位宽。由于目前还没有一种内存芯片是 64bit 位宽的，所以就必须要用多个芯片的位宽来集成一个 P-Bank。如我们现在常见的内存芯片是 8bit 位宽的，那么就需要 8 颗芯片组成一个 P-Bank 才能使系统正常工作。而 CPU 对内存的寻址，一次就是一个 P-Bank，P-Bank 内的所有芯片同时工作，这样对 P-Bank 内所有的芯片的寻址都是相同的。比如寻址指令是 B1、C2、R6，那么该 P-Bnak 内的芯片的工作状态都是打开 B1 的 L-Bank 的第 C2 行。好了，所谓广义上的页就是指 P-Bank 所包括的芯片内相同 L-Bank 内的相同工作行的总集合 。页容量对于内存子系统而言是一个很重要的指标。这个参数取决于芯片的容量与位宽的设计。由于与本文的关系不大，就不具体举例了。

早期 Intel 845 芯片组 MCH 的资料：它可以支持 2、4、8、16KB 的页容量

总之，我们要知道，由于寻址对同一 L-Bank 内行地址的单一性，所以一个 L-Bank 在同一时间只能打开一个页面，一个具有 4 个 L-Bank 的内存芯片，可以打开 4 个页面。这样，以这种芯片组成的 P-Bank，也就最后具备了 4 个页面，这是目前 DDR SDRAM 内存模中每个 P-Bank 的页面最大值。

1、影响性能的主要时序参数

在讲完内存的基本操作流程与相关的 tRP、tRCD、CL、BL 之后，我们就开始深入分析这些参数对内存性能的影响。所谓的影响性能是并不是指 SDRAM 的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。

非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述，大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要，它们是 tRCD、CL 和 tRP。按照规定，每条正规的内存模组都应该在标识上注明这三个参数值，可见它们对性能的敏感性。

以内存最主要的操作——读取为例。tRCD 决定了行寻址（有效）至列寻址（读 / 写命令）之间的间隔 ，CL 决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间，tRP 则决定了相同 L-Bank 中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下对某一页面进行读取时可能遇到的几种情况（分析写入操作时不用考虑 CL 即可）：

1、要寻址的行与 L-Bank 是空闲的。也就是说该 L-Bank 的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为 tRCD+CL，这种情况我们称之为页命中 （PH，Page Hit）。

2、要寻址的行正好是现有的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为 CL，这就是所谓的背靠背 （Back to Back）寻址，我们称之为页快速命中（PFH，Page Fast Hit）或页直接命中（PDH，Page Direct Hit）。

3、要寻址的行所在的 L-Bank 中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。结果，总耗时就是 tRP+tRCD+CL，这种情况我们称之为页错失 （PM，Page Miss）。

显然，PFH 是最理想的寻址情况，PM 则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为 PHR —— PH Rate、PFHR —— PFH Rate、PMR —— PM Rate。因此，系统设计人员（包括内存与北桥芯片）都尽量想提高 PHR 与 PFHR，同时减少 PMR，以达到提高内存工作效率的目的。

2、增加 PHR 的方法

显然，这与预充电管理策略有着直接的关系，目前有两种方法来尽量提高 PHR。自动预充电技术就是其中之一，它自动的在每次行操作之后进行预充电，从而减少了日后对同一 L-Bank 不同行寻址时发生冲突的可能性。但是，如果要在当前行工作完成后马上打开同一 L-Bank 的另一行工作时，仍然存在 tRP 的延迟。怎么办？ 此时就需要 L-Bank 交错预充电了。

早期非常令人关注的VIA 4路交错式内存控制，就是在一个L-Bank工作时，对另一个L-Bank进行预充电或者寻址（如果要寻址的L-Bank是关闭的)。这样，预充电与数据的传输交错执行，当访问下一个L-Bank时，tRP已过，就可以直接进入行有效状态了，如果配合得理想,那么就可以实现无间隔的L-Bank交错读/写（一般的，交错操作都会用到自动预充电）,这是比PFH更好的情况，但它只出现在后续的数据不在同一页面的时时候。当时VIA声称可以跨P-Bank进行16路内存交错，并以LRU（Least Recently Used，近期最少使用）算法进行 交错预充电/寻址管理。

L-Bank 交错自动预充电 / 读取时序图： L-Bank 0 与 L-Bank 3 实现了无间隔交错读取，避免了 tRP与tRCD对性能的影响 ，是最理想的状态

3、增加 PFHR 的方法

无论是自动预充电还是交错工作的方法都无法消除同行（页面）寻址时tRCD 所带来的延迟。要解决这个问题，就要尽量让一个工作行在进行预充电前尽可能多的接收工作命令，以达到背靠背的效果，此时就只剩下 CL 所造成的读取延迟了（写入时没有延迟）。

如何做到这一点呢？这就是北桥芯片的责任了。现在我们就又接触到 tRAS 这个参数，在 BIOS 中所设置的 tRAS 是指行有效至预充电的最短周期，在内存规范中定义为 tRAS（min），过了这个周期后就可以发出预充电指令。对于 SDRAM 和 DDR SDRAM 而言，一般是预充电命令至少要在行有效命令 5 个时钟周期之后发出，最长间隔视芯片而异（目前的 DDR SDRAM 标准一般基本在 70000ns 左右），否则工作行的数据将有丢失的危险。那么这也就意味着一个工作行从有效（选通）开始，可以有 70000ns 的持续工作时间而不用进行预充电。显然，只要北桥芯片不发出预充电（包括允许自动预充电）的命令，行打开的状态就会一直保持。在此期间的对该行的任何读写操作也就不会有 tRCD 的延迟。可见，如果北桥芯片在能同时打开的行（页）越多，那么 PFHR 也就越大。需要强调的是，这里的同时打开不是指对多行同时寻址（那是不可能的），而是指多行同时处于选通状态。我们可以看到一些 SDRAM 芯片组的资料中会指出可以同时打开多少个页的指标，这可以说是决定其内存性能的一个重要因素。

但是，可同时打开的页数也是有限制的。从 SDRAM 的寻址原理讲，同一L-Bank 中不可能有两个打开的行（读出放大器只能为一行服务），这就限制了可同时打开的页面总数。以 SDRAM 有 4 个 L-Bank，北桥最多支持 8 个 P-Bank（4 条 DIMM）为例，理论上最多只能有 32 个页面能同时处于打开的状态。而如果只有一个 P-Bank，那么就只剩下 4 个页面，因为有几个 L-Bank 才能有同时打开几个行而互不干扰 。Intel 845 的 MHC 虽然可以支持 24 个打开的页面，那也是指 6 个 P-Bank 的情况下（845MCH 只支持 6 个 P-Bank）。可见 845 已经将同时打开页数发挥到了极致。

不过，同时打开页数多了，也对存取策略提出了一定的要求。理论上，要尽量多地使用已打开的页来保证最短的延迟周期，只有在数据不存在（读取时）或页存满了（写入时）再考虑打开新的指定页，这也就是变向的连续读 / 写。而打开新页时就必须要关闭一个打开的页，如果此时打开的页面已是北桥所支持的最大值但还不到理论极限的话 （如果已经达到极限，就关闭有冲突的L-Bank内的页面即可），就需要一个替换策略，一般都是用 LRU 算法来进行，这与 VIA 的交错控制大同小异。

回到正题，虽然 tRAS 代表的是最小的行有效至预充电期限，但一般的，北桥芯片一般都会在这个期限后第一时间发出预充电指令（自动预充电时，会在tRAS之后自动执行预充电命令），只有在与其他操作相冲突时预充电操作才被延后（比如，DDR SDRAM 标准中规定，在读取命令发出后不能立即发出预充电指令）。因此，tRAS 的长短一直是内存优化发烧友所争论的话题，在最近一两年，由于这个参数在 BIOS 选项中越来越普及，所以也逐渐被用户所关注。其实，在 SDRAM 时代就没有对这个参数有刻意的设定，在 DDR SDRAM 的官方组织 JEDEC 的相关标准中，也没有把其列为必须标明的性能参数 （CL、tRCD、tRP 才是），tRAS 应该是某些主板厂商炒作出来的，并且在主板说明书上也注明越短越好。

其实，缩小 tRAS 的本意在于，尽量压缩行打开状态下的时间，以减少同 L-Bank 下对其他行进行寻址时的冲突，从内存的本身来讲，这是完全正确的做法，符合内存性能优化的原则，但如果放到整体的内存系统中，伴随着主板芯片组内存页面控制管理能力的提升，这种做法可能就不见得是完全正确的，在下文中我们会继续分析 tRAS 的不同长短设置对内存性能所带来的影响。

4、BL 长度对性能的影响

从读 / 写之间的中断操作我们又引出了 BL（突发长度）对性能影响的话题。首先，BL 的长短与其应用的领域有着很大关系，下表就是目前三个主要的内存应用领域所使用的 BL，这是厂商们经过多年的实践总结出来的。

BL与相应的工作领域

BL 越长，对于连续的大数据量传输很有好处，但是对零散的数据，BL 太长反而会造成总线周期的浪费，虽然能通过一些命令来进行终止，便也占用了控制资源。以 P-Bank 位宽 64bit 为例 ，BL=4 时，一个突发操作能传输 32 字节的数据，为了满足 Cache Line 的容量需求，还得多发一次，如果是 BL=8，一次就可以满足需要，不用再次发出读取指令。而对于 2KB 的数据 ，BL=4 的设置意味着要每隔 4 个周期发送新的列地址，并重复 63 次。而对于 BL=256，一次突发就可完成，并且不需要中途再进行控制，但如果仅传输 64 字节，就需要额外的命令来中止 BL=256 的传输。而额外的命令越多，越占用内存子系统的控制资源，从而降低总体的控制效率。从这可以看出 BL 对性能的影响因素，这也是为什么 PC 上的内存子系统的 BL 一般为 4 或 8 的原因。但是不是 8 比 4 好，或者 4 比 8 好呢？并不能统一而论，这在下文会分析到。

到此，大家应该有一些优化的眉目了吧。我们可以先做一下界定，任何情况下，只要数值越小或越大（单一方向），内存的性能会越好的参数为 绝对参数 ，而数值越小或越大对性能的影响不固定的参数则为 相对参数。那么，CL、tRCD、tRP 显然就是绝对参数，任何情况下减少它们的周期绝对不会错。而且从上文的分析可以发现 ，从重要性来论，优先优化的顺序也是 CL → tRCD → tRP，因为 CL 的遇到的机会最多，tRCD 其次，tRP 如果页面交错管理的好，大多不受影响。而 BL、tRAS 等则可以算是相对参数。也正是由于这些相对参数的存在，才使得内存优化不再那么简单。