四川单片机晶振供货商

❶ 单片机为什么要晶振晶振怎么又分为RC晶振和外部晶振以51单片机为例，如果我给51一个100M的

开玩笑，100M的晶振给51，低级的单片机一般支持12M到24M的晶振，高级的单片机支持72M或者更高一点的，51就属于低级芯片，至于晶振的作用就是给芯片提供的时序，没有时序芯片就不能工作，说到底晶振就类似人的心脏，没有心跳你还怎么活？是一个道理

❷ 那些单片机可选用8M的外部晶振

1，单片机外部晶振,基本上市场有卖的型号都可以，8M也相当没有问题。
2，主要你要看晶体的频率和单片机指令时间的算法：一个机器周期=(12/8)*(1/12MHZ)
3，还有就是定时器和串口通讯也会用到晶体的频率！

❸ 单片机的晶振

你有一个问题没有搞清楚,那就是晶振是用来振的,这个振不是本身动,而是在振荡电路中相当于一个大电容或是大电感,使振荡电路振.

❹ 为什么单片机的外接晶振要并连两个电容

单片机的外接晶振要对地连接两个电容，这两个电容是晶体振荡器的两个负载电容器，起着匹配负载频率的作用，有了这两个电容器，电路更容易起振，频率更为稳定。不同的晶振，要求不同的负载电容器。

❺ 为什么51单片机不把晶振电路里面的电容内置

如果说晶振旁的电容为C1,C2那CI,C2这两个电容就叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮法。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。

晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）经验值为3至5pf。

因此，晶振的数据表中规定12pF的有效负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生电容,定值贴片电容没有24pf，只有22pf）。

两边电容为Cg,Cd,负载电容为Cl, cl=cg*cd/(cg+cd)+a ，a= Cic+△C(a的经验值是3.5-13.5pf) 就是说负载电容15pf的话，两边两个接27pf（定值贴片电容只有27pf，没有30pf）的差不多了，各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。晶振引脚的内部通常是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联。

在晶振输出引脚XO 和晶振输入引脚 XI 之间用一个电阻连接, 对于 CMOS 芯片通常是数 M 到数十M 欧之间. 很多芯片的引脚内部已经包含了这个电阻, 引脚外部就不用接了。

这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处于线性状态, 反相器就如同一个有很大增益的放大器, 以便于起振. 石英晶体也连接在晶振引脚的输入和输出之间, 等效为一个并联谐振回路, 振荡频率应该是石英晶体的并联谐振频率. 晶体旁边的两个电容接地, 实际上就是电容三点式电路的分压电容, 接地点就是分压点. 以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输入和输出是反相的, 但从并联谐振回路即石英晶体两端来看, 形成一个正反馈以保证电路持续振荡. 在芯片设计时, 这两个电容就已经形成了, 一般是两个的容量相等, 容量大小依工艺和版图而不同, 但终归是比较小, 不一定适合很宽的频率范围. 外接时大约是数 PF 到数十 PF, 依频率和石英晶体的特性而定. 需要注意的是: 这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的, 会影响振荡频率. 当两个电容量相等时, 反馈系数是 0.5, 一般是可以满足振荡条件的, 但如果不易起振或振荡不稳定可以减小输入端对地电容量, 而增加输出端的值以提高反馈量. . 一般芯片的 Data sheet 上会有说明。

另：
1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。
2．负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近
调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
3．一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高
4．负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的
振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。

由于电容会造成震荡不稳定 , 而且一般单片机的震荡频率会差很多 , 因此把这个电容做到 IC 里面就会限制单片机运行的速度.

❻ 51单片机到底使用哪种晶振好

标准的51单片机晶振是1.2M-12M，一般由于一个机器周期是12个时钟周期，所以先12M时，一个机器周期是1US，好计算，而且速度相对是最高的（当然现在也有更高频率的单片机）。
11.0592M是因为在进行通信时，12M频率进行串行通信不容易实现标准的波特率，比如9600，4800，而11.0592M计算时正好可以得到，因此在有通信接口的单片机中，一般选11.0592M

❼ 单片机必须外接晶振吗

不必须啊
需要晶振提供时钟的单片机才需要晶振，而且很多芯片都是带振荡电路的，只有在精度不够的情况下，才需要外接晶振。

❽ 新手上路，麻烦大神们将51单片机常用的晶振型号推荐一下，我好查了选电容

不接串口的话晶振常用12M,6M，接串口的话晶振常用11.0592M，电容20--30P即可，我常用22P的

❾ at89c52单片机的时钟频率是多少

时钟频率和晶振的频率相同。
单片机datasheet写的0-24MHz。
如果仿真选12MHz，这是理想状态时钟。一个机器周期等于12个时钟周期，就是1uS。但是实际应用中选择11.0592MHz，因为
其一：因为它能够准确地划分成时钟频率，与UART(通用异步接收器/发送器)量常见的波特率相关。特别是较高的波特率(19600，19200)，不管多么古怪的值，这些晶振都是准确，常被使用的。
其二：用11.0592晶振的原因是51单片机的定时器导致的。用51单片机的定时器做波特率发生器时，如果用11.0592Mhz的晶振，根据公式算下来需要定时器设置的值都是整数;
如果用12Mhz晶振，则波特率都是有偏差的，比如9600，用定时器取0XFD，实际波特率10000，一般波特率偏差在4%左右都是可以的，所以也还能用STC90C516 晶振12M 波特率9600 ，倍数时误差率6.99%，不倍数时误差率8.51%，数据肯定会出错。
这也就是串口通信时大家喜欢用11.0592MHz晶振的原因，在波特率倍速时，最高可达到57600，误差率0.00%。 用12MHz，最高也就4800，而且有0.16%误差率，但在允许范围，所以没多大影响。
另外不建议使用内部时钟，单片机内部时钟都是有误差的。