单片机用电容

1. 如何选择合适的单片机晶振电容

原理上讲直接将晶振接到单片机上，单片机就可以工作。但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性. 为了电路的稳定性起见，建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容，但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式，不同芯片的要求不同。
（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
（2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增比较常用的为15p-30p之间。
晶振的作用不同，材料不同，型号不同，源于每一种晶振都有各自它们各自的特性，所以最佳按制造厂商所供应的数值选择外部元器件。 当然晶振的电容也是按照不同的晶振类型所制造的，这是理所当然的。下面是晶振的电容选择方法，一定要仔细看哦：
晶振电容选择的几大标准
（1）：在容许范围内，C1,C2值越低越好。
（2）C值偏大虽有利于振荡器的安稳，但将会增加起振时间。
（3）：应使C2值大于C1值，这么可使上电时，加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中，就需要留心负载电容的选择。因为不一样厂家出产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和质量都存在较大差异。
选择晶振电容的注意事项
（1）在选用时，需要了解该类型振荡器的要害方针，例如等效电阻，（凯越翔厂家建议负载电容，如频率偏差等。
（2）但是在实习电路中，也能够通过示波器查询振荡波形来判别振荡器是不是作业在最佳情况。
|（3）当然在示波器查询振荡波形时，所查询的OSCO管脚(Oscillator output)，应选择100MHz带宽以上的示波器探头，这种探头的输入阻抗高，容抗小，对振荡波形相对影响小。
（4）由于探头上通常存在10～20pF的电容，所以观测时，恰当减小在OSCO管脚的电容能够取得更靠近实习的振荡波形。
（5）凯越翔建议：因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波，峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%，可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之，若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变，则可恰当增加负载电容。 所以在选择晶振的最佳电容时，是可以参考的哦！！！
专业仪器检测专晶振（更技术的选择）
因为用示波器查看OSCI(Oscillator input)管脚，如果简略致使振荡器停振（原因是：有些的探头阻抗小不能够直接检验）所以晶振的电容能够用串电容的方法来进行检验。
取中心值的小窍门（凯越翔独家揭秘）
如常用的4MHz石英晶体谐振器，通常凯越翔厂家建议的外接负载电容为10～30pF支配。若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。凯越翔k字晶振考虑到还别的存在的电路板分布电容的影响。以及芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实习配备C1，C2时，可各取20～15pF支配。因此C1，C2运用瓷片电容为佳。
当然这只是一部分的电容选择要求和技巧，然而最佳的晶振选择要求和技巧，还是要根据不同的晶振型号，类型和不同的材料晶振而定，当然还是要看各自的客户的选择要求来定哦如果你对晶振的电容选择上还有什么疑虑的，不妨登入凯越翔官查询更加详细的资料哦。（本文来自凯越翔，k字晶振）

2. 单片机复位电路中电容的作用

电容像个水池，其端压不是瞬间达到峰值的，电压上升曲线貌似类似于对数函数。因此对于低电平复位的单片机，在系统刚上电的时候，电容还没有充电，或电压没有达到单片机认同的高电平，此时单片机复位，之后电容的电压逐渐上升至高电平，单片机就不会复位了。系统断电后，电容被放电，下次启动时仍可以复位

3. 单片机的复位电路为什么要接一个电容

在接通电源瞬间 电容充电因此相当于短路 复位脚相当于接高电平
等电源平稳后电容起到隔离直流电平的作用 复位脚通过电阻接地 处于低电平
这样就相当于在复位脚输入了一个高电平脉冲 起到复位作用

4. 51单片机中电容有什么作用

单片机中用到的电容通常有这样两种：

第一种是并联到晶振两侧，是帮助晶振起振的。

第二种是复位电路上，上电他会充电，给单片机复位用的。

还有就是IC设计过程中，会在IC的Vcc和GND间并联一个电容，这个电容式滤波、

去耦等作用，看电容大小而定。

5. 51单片机中的电容有什么作用

单片机中用到的电容通常有这样两种：第一种是并联到晶振两侧，是帮助晶振起振的。第二种是复位电路上，上电他会充电，给单片机复位用的。还有就是IC设计过程中，会在IC的Vcc和GND间并联一个电容，这个电容式滤波、去耦等作用，看电容大小而定。
51单片机是对所有兼容Intel 8031指令系统的单片机的统称。该系列单片机的始祖是Intel的8004单片机，后来随着Flash rom技术的发展，8004单片机取得了长足的进展，成为应用最广泛的8位单片机之一，其代表型号是ATMEL公司的AT89系列，它广泛应用于工业测控系统之中。很多公司都有51系列的兼容机型推出，今后很长的一段时间内将占有大量市场。51单片机是基础入门的一个单片机，还是应用最广泛的一种。需要注意的是51系列的单片机一般不具备自编程能力。
电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。

6. 单片机电路中的电容和电感该如何选型为什么

1、如果是单片机本身的旁路电容，用10uF和.0.1uF两只电容并练到单片机电源引脚附近就行，不需要电感。
2、如果是扩展了其它的模拟电路，其电容和电感的选取跟单片机没有关系，由具体的模拟需要来选取。

7. 52单片机的复位电容可以用50v 10uf的吗

一、钽电容简介和基本结构
固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2 ,通过石墨层作为引出连接用。
钽电容性能优越，能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小，易于加工成小型和片状元件，适宜目前电子器件装配自动化，小型化发展，得到了广泛的应用，钽电容的主要特点有寿命长，耐高温，准确度高，但耐电压和电流能力相对较弱，一般应用于电路大容量滤波部分。
下图为MnO2为负极的钽电容
下图为聚合物（Polymer）为负极的钽电容
二、生产工艺
按照电解液的形态，钽电解电容有液体和固体钽电解电容之分，液体钽电解用量已经很少，本文仅介绍固体钽电解的生产工艺。
固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽；阳极是烧结形成的金属钽块，由钽丝引出，传统的负极是固态MnO2，目前最新的是采用聚合物作为负极材料，性能优于MnO2。
钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式，其制造工艺大致相同，现在以片钽生产工艺为例介绍如下。
1、生产工艺流程图
成型→烧结→试容检验→组架→赋能→涂四氟→被膜→石墨银浆→上片点胶固化→点焊→模压固化→切筋→喷砂→电镀→打标志→切边→漏电预测→老化→测试→检验→编带→入库
2、主要生产工序说明
2.1 成型工序：
该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状，在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。
a）什么要加粘接剂？
为了改善钽粉的流动性和成型性，避免粉重误差太大，另外避免钽粉堵塞模腔。低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂，高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。
b）加了太多或太少有什么影响？
如果太多：脱樟时，樟脑大量挥发，易导致钽坯开裂、断裂，瘦小的钽坯易导致弯曲。如果太少：起不到改善钽粉流动性的作用。拌好后的钽粉如果使用时间较长，因为樟脑是易挥发物品，可适量再加入一点粘和剂。樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加，影响漏电。每天使用完毕，需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存，以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。
c）3、成型后不进行脱樟，可否直接放入烧结炉内进行烧结？
不行，因为樟脑是低温挥发物，如果直接放入烧结炉内进行烧结，挥发物会冷凝在炉膛、机械泵、扩散泵等排出管道内。
d）丝埋入深度太浅会有什么影响？
钽丝易拔出，或者钽丝易松动，后道工序在钽丝受到引力后，易导致钽丝跟部漏电流大。所以强调钽丝起码要埋入三分之二的钽坯高度以上，在成型时经常要检查。
e）粉重误差太大分有什么影响？
粉重误码差太大，导致容量严重分散，K（±10%）档的命中率会很低。成型时经常要称取粉重，误差要合格范围内（±3%）。如果有轻有重都是偏重或都是偏轻，可调整赋能电压或烧结温度。如果有轻有重，超过误差范围，要调整成型机，并将已压钽坯隔离，作好标识，单独放一个坩埚烧结。
f）密要均匀
不能有上松下紧，或下紧上松的现象。否则会导致松的地方耐压降低。钽坯高度要在允许差范围内，详细见工艺文件。
g）成型注意事项：
（1）粉重
（2）压密
（3）高度
（4）钽丝埋入深度
（5）换粉时一定要将原来的粉彻底从机器内清理干净。
（6）不能徒手接触钽粉、钽坯，谨防钽粉、钽坯受到污染。杜绝在可能有钽粉的部位加油。
（7）成型后的钽坯要放在干燥器皿内密封保存，并要尽快烧结，一般不超过24小时。
（8）每个坩埚要有伴同小卡，写明操作者、日期、规格、粉重等情况，此卡跟随工单一起流转，要在赋能后把数据记在工单上才能扔掉，以防在烧结、赋能、被膜出了质量问题可以倒追溯。
2.2烧结工序
a）烧结：在高温高真空条件下将钽坯烧成具有一定机械强度的高纯钽块。
b）目的：一是提纯，二是增加机械强度。
c）烧结温度对钽粉比容有什么影响？
随着烧结温度的提高,比容是越来越小,并不完全呈直线状。
因为随着温度的提高,钽粉颗粒之间收缩得越来越紧密,以至于有些孔径被烧死、堵塞，钽块是由多孔状的钽粉颗粒组成的，随着温度的提高，颗粒的比表面积越来越小，这样就导致钽粉的比容缩小。
d）烧结温度对钽粉的击穿电压有什么影响？
烧结温度越高，杂质去除得越干净，所以击穿电压随着烧结温度的提高而提高，并不是完全呈直线状。
e）烧结温度太高太低，对电性能有什么影响？
烧结温度太低一方面钽块的强度不够，钽丝与钽块结合不牢，钽丝易拔出，或者在后道加工时，钽丝跟部受到引力作用，导致跟部氧化膜受到损伤，出现漏电流大。烧结温度太高，比容与设计的比容相差甚多，达不到预期的容量，温度高对漏电流有好处，温度太高会导致有效孔径缩小，被膜硝酸锰渗透不到细微孔径中，导致补膜不透，损耗增加。
f）如果烧结后，试容出来容量小了怎么办？
(1) 算一下如果容量控制在-5%-----10%左右,计算出的赋能电压能否达到最低赋能电压..
额定
电压
6.3
10
16
25
35
40
50
最低赋
能电压
18
30
50
80
110
140
170
(2) 如不行,只能改规格,如16V10UF，可改16V6.8UF,只要提高赋能电压,但是要看提高后的赋能电压是否会达到它的闪火电压,如果接近的话,那就会很危险.也可以改25V6.8UF,但是计算出的赋能电压要达到所改规格的最低赋能电压。
g）如果烧结后，试容出来容量大了怎么办？
算一下如果容量控制在+5%-----+10%,计算出的赋能电压是否接近闪火电压？如果接近就不能流入后道；
如接近闪火电压，可改规格，如16V10U，可改16V15U，10V15U，但是计算出的赋能电压不能低于最低赋能电压，不能往高电压改规格。
实在不行只能返烧结，返烧结时要根据比容控制烧结温度。
h）高温时真空度不好，怎么处理？
高温时真空度如果突然不好，说明炉膛已漏气。应立即降温。因为氧气进入炉膛后，钽块、钽丝、坩埚隔热层、隔热罩都是钽制品，会跟氧发生氧化，出现发脆。
i）空烧
正常烧结一个月，需进行一次空烧，空烧温度应高于正常烧结温度100度以上；如果一直是烧的低温，突然要烧高温，应先进行空烧。
因为低温杂质吸附在炉膛和坩埚上，如果不空烧，突然烧高温，低温杂质会挥发到钽块上去，造成钽块漏电流大（有一批35V106 335 225估计就是因为空烧，装炉量太大，压制密度偏小所致）。
2.3 组架
a) 尺寸
钽块上端面到钢钢条边缘的距离5.0±0.2mm，如果偏差太大，会导致钽块上端面涂上硅胶或钽丝。
b) 注意要垂直。
c) 注意直径小于Φ2.0，放60条，大于Φ2.5，放行30条
d) 在拌同小卡上作好记录，每个架子都应该附有小卡，将成型、将成型、烧结的数据搬到小卡上，并在小卡上标注试容后的电压。随架子流传。
e) 烧结不同层次的，虽然电压一样，最好不要放在一个钢架上，以防容量整条整条分散
f) 钢架钢片一定要使用清洗后的，不要让钢架钢片受到太大的力，以防变形弯曲。
2.4 赋能工序
a) 赋能：通过电化学反应，制得五氧化二钽氧化膜，作为钽电容器的介质。
b) 氧化膜厚度：电压越高，氧化膜的厚度越厚，所以提高赋能电压，氧化膜的厚度增加，容量就下降
c) 氧化膜的颜色：不同的形成电压干涉出的氧化膜的颜色也不同，随着电压的升高，颜色呈周期性化。
d) 形成电压：经验公式（该公式只能在小范围内提高电压，如果电压提高的幅度很大，就不是很准确，要加保险系数）。
C1.V1=C2.V2
V2=C1.V1/C2
C1------第一次容量平均值;
V1------第一次形成电压(恒压电压);
C2------要示的容量C2=K CR
(K 根据后道的容量收缩情况而定,可适时修改，一般情况下，容量小，后道容量损失较小，容量大，后道容量损失就大，低比容粉，容量损失较小，比容越高，后道容量损失就越大。通常，CR≤1UF，K=1.0；CR>1UF,K=1.04)
例如：35V105，中间抽测容量为1.08 、1.05 、 1.12 、 1.09 、 1.10 ，形成电压为95V，问需要提高几伏电压才能达到需求的容量?
先求出中间抽测容量的平均值C1=1.09,V1=95
V2=1.09X95/1.0=103.5(V),需提高9V
注意： 提高电压后，需恒压一小时，才可结束赋能。
e) 形成液温度：T1.V1=T2.V2
T1：第一次恒压温度；
V1：第一次恒压电压；
T2：第二次恒压温度；
V2：第二次恒压温度；
V2：T1.V1/T2
注意公式中的温度K是绝对温度，需将摄氏温度加上273；
例如：第一次恒压温度为75度，恒压电压为90V，如果形成液的温度提高到85度，问形成电压要降低几伏？
V2=90×（75+273）/（85+273）=87.5V，需降低3V。
该公式不常用。但能指导为何温度低容量会变大。
形成温度越高，氧化膜质量越好。但是温度太高，水分挥发厉害，就要不停地加水，并且易导致形成液电导率不稳定。一般磷酸稀水溶液的恒压温度控制在70-90℃之间，经过大量的实践证明，如果恒压温度低于70℃，导致氧化膜质量严重不稳定，湿测漏电超差，如果形成液选用乙二醇系列，恒压温度可适当提高。
f） 电流密度：
低比容粉由于它的比表面积小，需要的升压电流密度就小，比容越高，比表面积就越大，需要的升压电流密度就大，一般C级粉，升压电流密度为10毫安/克，B级粉，升压电流密度为20毫安/克，高比容粉35-60毫安/克，视比容高低而定，详见工艺文件。
g）形成液：
电导率高，氧化效果好，但是形成液的闪火电压低；电导率低，氧化效果差，但是形成液的闪火电压高，阳极块不容易晶化、击穿。目前的磷酸稀水溶液只能适合形成电压200V以下，如果要形成200V以上的产品，应改用乙二醇稀水溶液，该溶液闪火电压高，抑制晶化能力强，但是乙二醇不容易煮洗干净，被膜损耗要微增加。一般情况下，CA42形成电压不会超过200V，只要用磷酸稀水溶液就可以了。
h）恒压时间：钽块越小，恒压时间越短，钽块越大，恒压时间越长，详见工艺文件。原则：结束电流要很小，基本上稳定不再下降为止，具体数值要看平时积累数据。
2.5、被膜
a) 被膜：通过多次浸渍硝酸锰，分解制得二氧化锰的过程。
b) 目的：通过高温热分解硝酸锰制得一层致密的二氧化锰层，作为钽电容器的阴极。
c) 分解温度：分解温度要适中，一般取200-270℃（指实际的分解温度），在这个温度下制得的二氧化锰的晶形结构是β型的，它的电导率最大。如果分解温度过高（大于300℃）或过低生成的是a型的二氧化锰或三氧化锰，它们的电阻率很大，导电性能没有β型的好，电阻率大，就是接触电阻大，在电性能上就反映损耗大。
d) 分解时间：产品刚进入分解炉时，能看到有一股浓烟冒出，那是硝酸锰剧烈反应生成的二氧化氮气体，过了2-3分钟，基本上看不到有烟雾冒出，说明反应已基本结束。分解时间过过短，反应还没有完全结束，补形成时会有锰离子溶出，这时补形成电流会很大，遇到这种情况，应立即关闭电源，重新分解一次，并将补形成液换掉；如果分解时间过长，会对氧化膜造成破坏，同样也会造成漏电流大。分解时间要灵活掌握，小产品时间短，大产品时间长，如果分解温度很高，要适当缩短分解时间，如果分解温度很低，要适当延长分解时间。
e) 硝酸锰浓度：
被膜时先做稀液，目的是稀硝酸锰容易渗透至钽粉颗粒的细微孔隙中，让里面被透，如果被不透，阴极面积缩小，被膜容量和赋能容量就会相差很多，这种情况也会反映在损耗上，损耗大。要求在做浓液之前，可解剖一个钽芯观察里面有无被透，如果没有被透，要增加一次稀液，低比容粉颗粒大，硝酸锰容易渗入，高比容粉颗粒小，不太容易渗入，小钽芯稀液次数少，大钽芯稀液次数要适当增加。
做浓液、强化液是为了增加二氧化锰膜层厚度，如果膜层没有一定的厚度，加电压时，在上下端面轮廓处等到地方容易产生类端放电，该处的氧化膜造成击穿，所以做强化液的时候，尽量要避免上小下大，或上大下小，膜层厚度要均匀。稀酸锰的酸度很重要，它会直接影响到硝酸锰的渗透性和分解质量，一般每做时要用试纸测试，达不到工艺要求，要加硝酸调配。滴入硝酸后要搅拌均匀。稀硝酸锰一个星期换一次，浓硝酸锰一个月换一次（也视产量和硝酸锰清洁程度）。
f) 中间形成液：
纯水修补的效果要差一点，它的导电离子很少，但是它的电阻大，对产品起到保护作用，钽芯不容易被击穿、烧焦，并且用它做补形成液，形成后没有残留物，不会造成损耗大。冰乙酸稀水溶液（0.04%）,形成效果较好,形成后没有残留物,不会造成损耗大,但是它的闪火电压低,只适合做6.3V 10V 16V 的产品,冰乙酸很容易挥发,造成电导率不太稳定,所以用的话,要经常测电导率。磷酸稀水溶液(0.01%),形成效果好,闪为电压较高,可适合做25V 35V的产品，但是形成后有磷酸根离子残留在钽芯内，造成损耗要增加0.5左右.乙二醇溶液,形成效果不是很好,闪火电压很高，形成后不会造成损耗大，适合做40V50V的大规格产品，该形成液成本很高，并且有毒，不宜多用，用后的形成液不要倒掉，可重复使用，但是用前要测试电导率在合格范围内，一般CA42用不到该形成液。
i) 发现问题的应急措施：
（1） 如果浸了强化液烘干后，还没有做最后的稀液、浓液，出来发现外观不符合要求，此时的强化层是很轻松的，只要将其浸泡在去离子水中，强化层会自动脱落。取出分解补形成后，可继续往下做。
（2） 如果强化后，已经做了稀液或浓液，发现漏电大，非要处理不可，可采用10毫升冰乙酸+30毫升双氧水+1000毫升去离子水浸泡12小时以上，此种处理方法对氧化膜的损伤较小，取出冲洗干净，再煮洗，赋能恒压2小时，顺序流人后道各工序。
j) 被膜最难掌握的是被膜炉的分解气氛（温度、风速、氧含量、蒸汽大小），另外进气孔、出气孔、回流孔及下面的分流板的调整也非常关键。现在只能通过试验来确认调整到较合适的位置。要保证有好的损耗更要保证有好的漏电流。一般氧含量控制在9——12%。
2.6石墨银浆切割
石墨银浆也叫辅助阴极，起到二氧化锰与焊锡连接的桥梁作用。原瓶石墨浓度在10%左右，实际使用时调制到4 . 5%左右为宜,如果太稀的话,因为石墨的渗透性很好，很容易往上爬，爬到上端面如果与钽丝接触,就会造成短路、漏电流大等情况，这种情况在当时还检测不出来，在点焊后钽丝跟部受力，点焊检测漏电流时合格率就相当低，老化时击穿非常严重。如果石墨太浓，石墨层和二氧化锰在做猛石墨时易分层，在后道包封、固化受到热引力作用，石墨层和二氧化锰层之间产生层间剥离，造成损耗增加。
要注意石墨的PH值必须大于9。
银浆也是同样的道理，太稀的话，浸渍的时候很好浸，但是在浸焊的时候，银层很容易被焊锡吞蚀掉，如果过浓，银层和石墨的接触不是太好，易造成接触电阻大，并且浸渍时产生拉丝。有采用浸两次银浆的厂家
银浆和石墨使用前一定要按工艺要求滚匀。
切割的质量往往被人们忽略。刀口的锋利程度、间隙、冲下来时的速度都会对漏电有影响。我们有因为切割质量不好导致10%的漏电大的试验结果。
2.7 点焊
焊点离根部越远越好，这样对根部氧化膜的破坏就越小。点焊位置、手势要正确，点焊浸焊的位置决定与包封后的外观关系很大。
点焊后抽测漏电流合格率的信息很重要，作为工艺技术员一定要去经常关心检测信息，如果发现不正，一定要追查原因，不然后面的质量无法控制，虽然该批产品已无法挽回了，但是，被膜流过的一段时间内会出现同样的问题。
经常有可能出现的问题：
a） 钽丝切割太短？焊点太靠近根部？点焊电压开得太高，钽丝过融了？
b） 是否钽丝脏？是硅胶没涂好？上端面有硅胶？上端面强化层太薄？组架尺寸不符合要求？钢片变形？模具磨损？
c） 石墨爬到端面上去了？强化层疏散导致石墨很容易往上爬？
d） 切刀有问题？
问题要一查到底，只有查清了问题，才能制定纠正和预防措施。
2.8 浸焊
温度控制在210℃（+10/-5℃）为宜：温度低，粘锡厚，底部有锡尖；温度高，粘锡少，温度太高，银层易被焊锡吞噬掉，时间控制在2秒左右，时间太长，银层易剥离。最好一次浸焊能成功，如果反复浸的话，银层、石墨都有可能剥离。
负极脚紧靠钽芯，不能短路或开路。负极起码达到钽芯的1/2以上，但不能伸出钽芯底部，不然包封后易外观废品。
控制助焊剂浓度，浓度太稀，上锡太慢，浓度浓，上锡快，但粘锡厚，容易导致石墨和二氧化锰层之间脱离。
2.9 老化
老化的目的是修补氧化膜和剔除早期失效产品。老化电源串联电阻的大小与老化的效果关系很大。如过大，达不到剔除早期失效产品的目的。如过小修补氧化膜的效果达不到，因产品上稍有次点就被击穿。老化后产品要放电24小时后再测量，否则会导致漏电测试不准。
2.10 电容器的三参数及测试方法
容量：注意频率是100HZ.
损耗：注意频率是100HZ。
漏电流：IL判定标准为0.02CU（C为标称容量,U为测试电压）.
2.11 几个专业词语解释：
成型后的为钽坯---------烧结后的称为钽块--------赋能后的称为阳极块-------石墨银浆后的称为钽芯-------点焊浸焊后的称为芯组--------包封后的称为电容器
品的质量将不能满足用户的基本要求。这样的产品因为抗浪涌能力较差,因此,使用在存在大的脉冲电流的电路将非常容易出现击穿现象.
三、参数和选型钽电容器的漏电流和工作温度之间的关系
钽电容器的漏电流会随使用温度的增加而增加,此曲线称作漏电流温度曲线.但不同厂家生产的相同规格的产品，常常由于生产工艺和使用的原材料及设备精度不同而高温漏电流变化存在非常大的差别.高温漏电流变化大的产品在高温状态会由于自己产生的热量的不断累积而最终出现击穿现象.高温漏电流变化小的产品在高温下长时间工作，产品的稳定性和可靠性将较高.因此高温时产品漏电流变化率的大小可以决定钽电容器的可靠性. 对于片式钽电容器,高温性能高低对可靠性有决定性的影响.
3.1 漏电流VS温度：
3.2 漏电流VS电压：
3.3耗散因子(DF值)
耗散因子是决定电容内部功率耗散的一个物理量，越小越好，一般DF值随频率增加而增加。
损耗大小对产品使用影响及可靠性影响说明：损耗（DF值）是表征钽电容器本身电阻能够造成的无效功耗比例的一个参数，损耗较小的产品ESR也将较小。但损耗大小的微小差别不会对使用造成明显影响，对工作状态的产品的可靠性影响与容量偏差的影响相比较大，但与产品漏电流大小和ESR大小对使用时的可靠性的影响相比仍然较小（漏电流大小和ESR大小影响> 损耗大小影响 > 容量偏差的影响），滤波时如果产品的损耗较大，滤波效果差一些。同时，损耗较大的产品的抗浪涌能力也较差。
3. 4 阻抗，等效串联阻抗(ESR)&感抗
ESR是决定电容滤波性能的一个重要指标，钽电容的ESR主要是由引脚和内部电极阻抗引起，是电容在高频上表现的一个很重要的参数，一般来讲，同容量，同电压值的钽电容的ESR要低于电解电容，但要高于多层陶瓷电容，ESR随着频率和温度的增加而减少，ESR=DF/WC。在谐振频率以下，电容的阻抗是电容的容抗和ESR的矢量和，在电容产生谐振以后，电容的阻抗是电容的感抗和ESR矢量和。
下图出示了电容的等效组成图：
其中:ESL:描叙的是引脚和内部结构的电感
RL：电容的漏电阻
Rd：由电介质吸收和内部分子极化引起的介电损耗
ESR与频率特性曲线：
电容阻抗Z与频率特性曲线：
在脉冲充放电电路，钽电容器会不断承受峰值功率可能达到几十安培的浪涌电流冲击，而且有时候充放电的频率也可能达到几百甚至几千HZ；在此类电压基本稳定，浪涌电流不断的电路，钽电容器的可靠性不光取决于产品耐压高低及伏安特性和高低温性能，还取决于产品的等效串联电阻ESR的高低，因为ESR值较大的产品在高浪涌时瞬间就会产生更多的热量积累，非常容易导致产品出现击穿。因此，钽电容器ESR值的高低直接可以决定产品的抗直流浪涌能力。另外; 不同ESR值的产品在存在交流纹波的电路里, 一定时间内产生的热量也与其ESR值高低成比例,ESR越高的产品在一定的时间内产生的热量也越高,因此,不同规格的产品由于阻抗ESR值不一样,具有不同的耐纹波电流能力. ESR低的产品不光在高频使用时容量衰减较少,滤波效果较好而且可以使用在更高频率的电路,同时因为它具有更大的抗浪涌能力,也符合可靠性要求较高的不断通过瞬时大电流的脉冲充放电电路的基本要求.
本文整理自：
《钽电容知识总结(结构、工艺、参数、选型)》网络文库
《AVX钽电容生产介绍视频》AVX
《钽电容失效分析概述》无从考

8. 单片机电源中的电容的作用是什么

电容器的作用：

1、耦合：用在耦合电路中的电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用。

2、滤波：用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。

3、退耦：用在退耦电路中的电容器称为退耦电容，在多级放大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路，退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。

4、高频消振：用在高频消振电路中的电容称为高频消振电容，在音频负反馈放大器中，为了消振可能出现的高频自激，采用这种电容电路，以消除放大器可能出现的高频啸叫。

5、谐振：用在LC谐振电路中的电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。

6、旁路：用在旁路电路中的电容器称为旁路电容，电路中如果需要从信号中去掉某一频段的信号，可以使用旁路电容电路，根据所去掉信号频率不同，有全频域（所有交流信号）旁路电容电路和高频旁路电容电路。

7、中和：用在中和电路中的电容器称为中和电容。在收音机高频和中频放大器，电视机高频放大器中，采用这种中和电容电路，以消除自激。

8、定时：用在定时电路中的电容器称为定时电容。在需要通过电容充电、放电进行时间控制的电路中使用定时电容电路，电容起控制时间常数大小的作用。

9、积分：用在积分电路中的电容器称为积分电容。在电势场扫描的同步分离电路中，采用这种积分电容电路，可以从场复合同步信号中取出场同步信号。

10、微分：用在微分电路中的电容器称为微分电容。在触发器电路中为了得到尖顶触发信号，采用这种微分电容电路，以从各类（主要是矩形脉冲）信号中得到尖顶脉冲触发信号。

11、补偿：用在补偿电路中的电容器称为补偿电容，在卡座的低音补偿电路中，使用这种低频补偿电容电路，以提升放音信号中的低频信号，此外，还有高频补偿电容电路。

12、自举：用在自举电路中的电容器称为自举电容，常用的OTL功率放大器输出级电路采用这种自举电容电路，以通过正反馈的方式少量提升信号的正半周幅度。

13、分频：在分频电路中的电容器称为分频电容，在音箱的扬声器分频电路中，使用分频电容电路，以使高频扬声器工作在高频段，中频扬声器工作在中频段，低频扬声器工作在低频段。

14、负载电容：是指与石英晶体谐振器一起决定负载谐振频率的有效外界电容。负载电容常用的标准值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。负载电容可以根据具体情况作适当的调整，通过调整一般可以将谐振器的工作频率调到标称值。

(8)单片机用电容扩展阅读

单片机在电子技术中的开发，主要包括CPU开发、程序开发、 存储器开发、计算机开发及C语言程序开发，同时得到开发能够保证单片机在十分复杂的计算机与控制环境中可以正常有序的进行，这就需要相关人员采取一定的措施，下文是笔者的一些简单介绍：

（1）CPU开发。开发单片机中的CPU总线宽度，能够有效完善单片机信息处理功能缓慢的问题，提高信息处理效率与速度，开发改进中央处理器的实际结构，能够做到同时运行2-3个CPU，从而大大提高单片机的整体性能。

（2）程序开发。嵌入式系统的合理应用得到了大力推广，对程序进行开发时要求能够自动执行各种指令，这样可以快速准确地采集外部数据，提高单片机的应用效率。

（3）存储器开发。单片机的发展应着眼于内存，加强对基于传统内存读写功能的新内存的探索，使其既能实现静态读写又能实现动态读写，从而显着提高存储性能。

（4）计算机开发。进一步优化和开发单机片应激即分析，并应用计算机系统，通过连接通信数据，实现数据传递。

（5）C语言程序开发。优化开发C语言能够保证单片机在十分复杂的计算机与控制环境中，可以正常有序的进行，促使其实现广泛全面的应用。

参考资料来源：网络-单片机

参考资料来源：网络-电容

9. 单片机电容在那个库里

咨询记录 · 回答于2021-11-03

10. 请问单片机晶振电路中两个电容的作用是什么

单片机晶振电路中两个电容（负载电容）的作用是把电能转换成其他形式的能。如果没这两个电容的话，振荡部分会因为没有回路而停振。电路不能正常工作了。

负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。

所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。

电动机能把电能转换成机械能，电阻能把电能转换成热能，电灯泡能把电能转换成热能和光能，扬声器能把电能转换成声能。电动机、电阻、电灯泡、扬声器等都叫做负载。

晶体三极管对于前面的信号源来说，也可以看作是负载。对负载最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。

(10)单片机用电容扩展阅读

单片机能正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振。通过一定的外接电路来，可以生成频率和峰值稳定的正弦波。

而单片机在运行的时候，需要一个脉冲信号，做为自己执行指令的触发信号，可以简单的想象为：单片机收到一个脉冲，就执行一次或多次指令。

单片机工作时，是一条一条地从RoM中取指令，然后一步一步地执行。单片机访问一次存储器的时间，称之为一个机器周期，这是一个时间基准。

—个机器周期包括12个时钟周期。如果一个单片机选择了12兆赫兹晶振，它的时钟周期是1/12us，它的一个机器周期是12×（1/12）us，也就是1us。

晶振是给单片机提供工作信号脉冲的。这个脉冲就是单片机的工作速度。比如12兆晶振。单片机工作速度就是每秒12兆。单片机内部也有晶振。接外部晶振可以或得更稳定的频率。