51单片机用哪种晶振电容

㈠ 51单片机晶振用的电容是电解电容还是瓷片电容 为什么我接电解电容和瓷片电容都不行 运行不了也

51单片机晶振用的电容是瓷片电容，你用的22pf的是对的，遇到这种情况首先检查电源电压是否正确是否可靠连接，如没问题检查晶振、单片机管脚、瓷片电容是否有短路和断路的地方，也没有检查烧录器的连接是否正确，都没问题，大概单片机挂了。

㈡ 51单片机为什么要用12M的晶振

首先需要明确：51单片机不是一定要用12M的晶振，11.05925M也行，18M也行，即一般来说35M以内的无源晶振（两脚的）都可以的。

为什么常见的51单片机要用12M的晶振，是因为我们常说的51单片机是12分频的，如果选用12M晶振，如果是单指令周期的语句，刚好是1us，其他语句好似1us的整数倍，这样计算指令时间很方便。

对于利用51单片机进行串口通讯的，一般会选用11.0592M晶振，因为对于9600，4800的波特率，11.0592M晶振计算时正好可以得到整数。

㈢ 51单片机中的电容有什么作用

单片机中用到的电容通常有这样两种：第一种是并联到晶振两侧，是帮助晶振起振的。第二种是复位电路上，上电他会充电，给单片机复位用的。还有就是IC设计过程中，会在IC的Vcc和GND间并联一个电容，这个电容式滤波、去耦等作用，看电容大小而定。
51单片机是对所有兼容Intel 8031指令系统的单片机的统称。该系列单片机的始祖是Intel的8004单片机，后来随着Flash rom技术的发展，8004单片机取得了长足的进展，成为应用最广泛的8位单片机之一，其代表型号是ATMEL公司的AT89系列，它广泛应用于工业测控系统之中。很多公司都有51系列的兼容机型推出，今后很长的一段时间内将占有大量市场。51单片机是基础入门的一个单片机，还是应用最广泛的一种。需要注意的是51系列的单片机一般不具备自编程能力。
电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。

㈣ 51单片机晶振上接的电容大小该如何选择

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。

总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。

(4)51单片机用哪种晶振电容扩展阅读：

在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃），采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用DTCXO只需要十几秒钟）。

石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器。

㈤ 51单片机晶振上接的电容如何选择

CL=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C

Cd，Cg：分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般情况下 Cd == Cg，但 Cd ！= Cg 也是可以的，Cd、Cg称作匹配电容或外接电容，其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致，需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值（Cd*Cg/(Cd+Cg)）才是有效的负载电容部分，假设Cd==Cg==30pF，那么Cd、Cg对负载电容的贡献是15pF。
Cic：芯片引脚分布电容以及芯片内部电容（部分芯片为了在PCB上省掉Cd、Cg，会在芯片内部集成电容）。
△C：PCB走线分布电容，经验值为3至5pf。

㈥ 如何选择合适的单片机晶振电容

原理上讲直接将晶振接到单片机上，单片机就可以工作。但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性. 为了电路的稳定性起见，建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容，但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式，不同芯片的要求不同。
（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
（2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增比较常用的为15p-30p之间。
晶振的作用不同，材料不同，型号不同，源于每一种晶振都有各自它们各自的特性，所以最佳按制造厂商所供应的数值选择外部元器件。 当然晶振的电容也是按照不同的晶振类型所制造的，这是理所当然的。下面是晶振的电容选择方法，一定要仔细看哦：
晶振电容选择的几大标准
（1）：在容许范围内，C1,C2值越低越好。
（2）C值偏大虽有利于振荡器的安稳，但将会增加起振时间。
（3）：应使C2值大于C1值，这么可使上电时，加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中，就需要留心负载电容的选择。因为不一样厂家出产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和质量都存在较大差异。
选择晶振电容的注意事项
（1）在选用时，需要了解该类型振荡器的要害方针，例如等效电阻，（凯越翔厂家建议负载电容，如频率偏差等。
（2）但是在实习电路中，也能够通过示波器查询振荡波形来判别振荡器是不是作业在最佳情况。
|（3）当然在示波器查询振荡波形时，所查询的OSCO管脚(Oscillator output)，应选择100MHz带宽以上的示波器探头，这种探头的输入阻抗高，容抗小，对振荡波形相对影响小。
（4）由于探头上通常存在10～20pF的电容，所以观测时，恰当减小在OSCO管脚的电容能够取得更靠近实习的振荡波形。
（5）凯越翔建议：因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波，峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%，可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之，若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变，则可恰当增加负载电容。 所以在选择晶振的最佳电容时，是可以参考的哦！！！
专业仪器检测专晶振（更技术的选择）
因为用示波器查看OSCI(Oscillator input)管脚，如果简略致使振荡器停振（原因是：有些的探头阻抗小不能够直接检验）所以晶振的电容能够用串电容的方法来进行检验。
取中心值的小窍门（凯越翔独家揭秘）
如常用的4MHz石英晶体谐振器，通常凯越翔厂家建议的外接负载电容为10～30pF支配。若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。凯越翔k字晶振考虑到还别的存在的电路板分布电容的影响。以及芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实习配备C1，C2时，可各取20～15pF支配。因此C1，C2运用瓷片电容为佳。
当然这只是一部分的电容选择要求和技巧，然而最佳的晶振选择要求和技巧，还是要根据不同的晶振型号，类型和不同的材料晶振而定，当然还是要看各自的客户的选择要求来定哦如果你对晶振的电容选择上还有什么疑虑的，不妨登入凯越翔官查询更加详细的资料哦。（本文来自凯越翔，k字晶振）

㈦ 51单片机到底使用哪种晶振好

标准的51单片机晶振是1.2M-12M，一般由于一个机器周期是12个时钟周期，所以先12M时，一个机器周期是1US，好计算，而且速度相对是最高的（当然现在也有更高频率的单片机）。
11.0592M是因为在进行通信时，12M频率进行串行通信不容易实现标准的波特率，比如9600，4800，而11.0592M计算时正好可以得到，因此在有通信接口的单片机中，一般选11.0592M

㈧ 单片机晶振的电容是什么类型的电容

单片机晶振的电容是瓷片电容。
1、瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
2、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

㈨ 51单片机时钟电路用12M晶振，电容怎么计算

51单片机时钟电路用12M晶振，电容不是计算的，就是晶振需要配置的电容，通常取20P~33P都行。
其实，这个电容，都是从第一本单片机书那抄过来的，多少年了，就没变过。
但是，事实上，时钟电路所配的电容真是可有可无的，干脆不用了，时钟电路照常工作，这都是实际做出来的。比那些书本要有说服力吧，可就是没有一本这么写。更没有一本书介绍怎么计算出来的，因为，可有可无的东西还用计算吗？
现在，STC单片机，把外部晶振都省了，可以用内部 IRC时钟电路了，而且频率一样精确，你说还用计算吗，外部什么都不用啦，你还计算什么？不要什么东西都靠计算，这不是数学。

㈩ 51单片机配12MHZ的无源晶振，晶振电容应该选多大的，怎么得出这个电容参数

这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等，大致都是一个二十皮法量级。