❶ 飛思卡爾 mc9s12xs128 單片機 怎樣才可以 在EPROM 或者在 FASH 中 保存運行的參數
有相關資料可以參考的，你搜一下flash to epprom相關資料：
用Flash模擬EEPROM
本程序利用S08系列單片機的片內Flash模擬EEPROM。解決部分8位機沒有EEPROM導致在運用上的局限。本程序提供一個初始化函數和三個功能函數。用戶必須在調用功能函數前調用調用初始化函數。三個功能函數分別是位元組寫入、位元組讀取、EEPROM全擦除。用戶必須保證調用功能函數前有至少30Bate的棧空間。
本程序參考飛思卡爾公司提供的《在 HCS08 微控制器上使用 FLASH 存儲器模擬 EEPROM》。並在源程序的基礎上精簡了部分功能，減少了RAM使用量。並嘗試使用分頁機制確定EEPROM地址。
介面函數的EEPROM地址定址由頁地址和頁內偏移量組成。即把用戶定義的EEPROM分為若干個大小為256位元組的頁。其地址與FLASH地址的換算關系為：
FLASH真實地址=EEPROM空間起始地址+頁地址×256+頁內偏移地址
用戶在使用EEPROM是只用確定數據保存在EEPROM的相對地址即可。介面函數原型為：
EEPROM_WRITE_DATA(數據,頁地址, 頁內偏移地址);
Char EEPROM_READ_DATA(頁地址, 頁內偏移地址);
1. 程序流程分析與設計。
由於S08系列單片機在Flash寫入時序中不能進行任何的Flash讀操作，Flash寫入指令必須放到RAM中執行並關閉所有可屏蔽中斷。程序流程如圖13-1-？。
位元組寫入/.全擦除程序流程 位元組讀取程序流程
圖13-1-？
2.程序源代碼。此程序在CodeWarrior 6.0繼承編譯環境中編譯通過
/*****************************************************/
//河南工業大學Freescale MCU&DSP聯合實驗室
// 文件名：flash_program.h
// CPU ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 調試環境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述: 頭文件，用於保存初始化EEPROM設定、用戶定製參數、編譯器參數等信息。
/*****************************************************/
#include <hidef.h>
#include "derivative.h"
#include <stdio.h>
/*************flash編程指令（請勿改動）*****************/
#define BLACK_CHECK 0x05 //查空指令
#define BITE_PROGRAM 0x20 //位元組編程指令
#define BURST_PROGRAM 0x25 //快速編程指令
#define PAGE_ERASE 0x40 //頁擦除指令（1頁=512位元組）
#define MASS_ERASE 0x41 //全擦除指令
/******用戶定製參數（根據單片機型號和用戶flash使用情況定製）**********/
#define EEPROM_START_ADDRESS 0xE000 //EEPROM區起始地址。512B的倍數
#define EEPROM_PAGE_NUM 8 //EEPROM頁數。1page=256B
#define BUS_FREQUENCY 2000 //匯流排頻率。單位（KHz）
/********************編譯器相關參數**************************/
#define INT8U unsigned char //無符號位元組變數。根據編譯器更改。默認CodeWarrior 6.0
#define INT16U unsigned short int //無符號字變數。根據編譯器更改。默認CodeWarrior 6.0
/***********EEPROM API函數原型***********/
//初始化程序。此函數必須在使用EEPROM前調用。建議用戶在系統初始化是調用。
void INIT_EEPROM(void);
//EEPROM擦除函數。擦除所有EEPROM數據。
void EEPROM_ERASE(void);
//EEPROM位元組寫入函數。寫入一個位元組到EEPROM指定區域。
void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)
//EEPROM讀出函數。讀出一個指定的區域所保存的位元組的到函數返回值。
char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address);
/****************************END************************************/
/*****************************************************/
//河南工業大學Freescale MCU&DSP聯合實驗室
// 文件名：flash_program.c
// C P U ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 調試環境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述:提供了一個初始化函數和三個功能函數供用戶調用，沒有可更改參數。
/*****************************************************/
#include "flash_program.h"
const INT8U FLASH_CODE[]={ // ; flash操作代碼
0x45, 0x18, 0x26, // LDHX #$1826 ; FCMD地址寫入H：X
0xA6, 0x00, // LDA #$00 ; 0x00為命令佔位符
0xF7, // STA ,X ; 將命令寫入FCMD命令緩存器
0x5A, // DECX ; 指針指向 FSTAT
0xF6, // LDA ,X ;
0xAA, 0x80, // ORA #$80 ;
0xF7, // STA ,X ; 置位FSTAT_FCBEF。啟動flash寫入命令
0xF6, // LDA ,X ; 等待3個時鍾周期（請勿刪除此代碼）
0xF6, // LDA ,X ; 讀取FSTAT
0xA5, 0x30, // BIT #$30
0x26, 0x05, // BNE *+6 ; 錯誤則返回
//LOOP
0xF6, // LDA ,X ; 等待寫操作結束
0xA5, 0x40, // BIT #$40
0x27, 0xFB, // BEQ *-3 ; 跳轉到LOOP
//EXIT:
0X81 //RTS ; 返回
};
/*********************初始化函數**********************************/
#if BUS_FREQUENCY >= 12000
void INIT_EEPROM(void){FCDIV=(((BUS_FREQUENCY/(8*175)))|0x40)-1;}
#endif
#if BUS_FREQUENCY < 12000
void INIT_EEPROM(void){FCDIV=(BUS_FREQUENCY/175)-1;}
#endif
/***********************EEPROM位元組寫入函數****************************/
void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)
{
INT16U address; //存放寫入地址
INT8U code_space[23]; //初始化代碼空間
if(EEPROM_page>=EEPROM_PAGE_NUM)return; //地址錯誤返回，保護用戶代碼
address=offset_address+EEPROM_page*256+EEPROM_START_ADDRESS; //地址轉化
(void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23); //復制flash操作代碼到RAM
code_space[4] = BITE_PROGRAM; //修改命令佔位符為寫入命令
DisableInterrupts; //關中斷
if (FSTAT&0x10){ //清錯誤標志
FSTAT = FSTAT|0x10;
}
_asm
{ //寫入初始化
LDHX address;
LDA data;
STA ,X; //寫入緩存
TSX;
JSR 2,x; //跳入RAM執行
}
EnableInterrupts; //開中斷
__RESET_WATCHDOG();
}
/********************EEPROM字讀取入函數********************************/
char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address){
unsigned short int address; //地址變數
char rusult; //數據變數
address=offset_address+EEPROM_page*0x100+EEPROM_START_ADDRESS; //地址轉換
asm{
LDHX address;
LDA ,X; //讀取地址到數據變數
STA rusult;
}
__RESET_WATCHDOG();
return(rusult); //返回
}
/**********************EEPROM擦除函數********************************/
void EEPROM_ERASE(void)
{
INT16U address;
INT8U i; //循環變數
INT8U code_space[23];
for(i=0;i<(EEPROM_PAGE_NUM/2);i++){ //分頁擦除
address=i*0x200+EEPROM_START_ADDRESS;
(void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23); //復制flash操作代碼到RAM
code_space[4] = PAGE_ERASE; //修改命令佔位符為擦除命令
DisableInterrupts; //關中斷
if (FSTAT&0x10){ //清錯誤標志
FSTAT = FSTAT | 0x10;
}
_asm
{
LDHX address; //擦除地址寫入緩存
STA ,X;
TSX;
JSR 3,x; //跳入RAM執行
}
EnableInterrupts; //開中斷
__RESET_WATCHDOG();
}
}
/****************************END************************************/
/*****************************************************/
// 版權所有（c）河南工業大學
// 文件名：mian.c
// C P U ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 調試環境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述: 測試Flash模擬EEPROM程序。
/*****************************************************/
#include <hidef.h>
#include "derivative.h"
#include "flash_program.h"
void main(void){
char temp;
PTADD=0XFF;
INIT_EEPROM(); //初始化Flash控制寄存器。
do{
EEPROM_WRITE_DATA(88,0,0); //寫入一個位元組。
temp=EEPROM_READ_DATA(0,0); //讀取一個位元組
}while(temp!=88); //若寫入失敗則再次寫入
PTAD_PTAD0=1;
do{
EEPROM_ERASE();
}while(EEPROM_READ_DATA(0,0)!=0xff); //擦除Flash
PTAD_PTAD1=1;
for(;;)__RESET_WATCHDOG(); //死循環
}
❷ mc51單片機中通用的存儲器地址兩種分配方法
8051片內有4kB的程序存儲單元，其地址為0000H—0FFFH，其中一組特殊是0000H—0002H單元，系統復位後，PC為0000H，單片機從0000H單元開始執行程序 ，另一組特殊單元是0003H—002AH，這40個單元各有用途，它們被均勻地分為五段，它們的定義如下：
0003H—000AH 外部中斷0中斷地址區。
000BH—0012H 定時/計數器0中斷地址區。
0013H—001AH 外部中斷1中斷地址區。
001BH—0022H 定時/計數器1中斷地址區。
0023H—002AH 串列中斷地址區。
可見以上的40個單元是專門用於存放中斷處理程序的地址單元
二、數據存儲器
MCS-51內部RAM有128或256個位元組的用戶數據存儲（不同的型號有分別），它們是用於存放執行的中間結果和過程數據的。MCS-51的數據存儲器均可讀寫，部分單元還可以位定址。
1、 8051內部RAM共有256個單元，這256個單元共分為兩部分。其一是地址從00H—7FH單元（共128個位元組）為用戶數據RAM。從80H—FFH地址單元（也是128個位元組）為特殊寄存器（SFR）單元。從圖1中可清楚地看出它們的結構分布。
在00H—1FH共32個單元中被均勻地分為四塊，每塊包含八個8位寄存器，均以R0—R7來命名，我們常稱這些寄存器為通用寄存器。
內部RAM的20H—2FH單元為位定址區，既可作為一般單元用位元組定址，也可對它們的位進行定址。位定址區共有16個位元組，128個位，位地址為00H—7FH。。
❸ mc-51單片機4種定址方式
立即、直接、寄存器、寄存器間接。