單片機flash編程

❶ Flash在單片機中的用法

1、用來裝單片機自身運行的程序。
2、某些單片機可以用自身的flash代替eeprom用來存儲數據。
3、不同的單片機使用的方法不同，有特殊的指令針對flash（解鎖、上鎖、擦除、寫入等）。

❷ 如何用單片機讀寫FLASH

W25X_16嗎？SPI介面，要看你是何種單 片機，有硬體SPI介面和沒有配件SPI介面的區別在於讀寫一個位元組的方法不一樣，其餘上層函數是一樣的。如果是STM32單片機，野火和正點原子常式里的都有完整的源文件。

❸ 單片機是直接從Flash里讀取指令的嗎

單片機是直接從Flash里讀取指令,好多單片機的程序存儲器FLASH比較大，而SRAM則要小得多，不大可能把程序先裝入SRAM中再執行，有的單片機雖可以預取指令，但這是屬於內部結構上的特點，編程人員並不可控．現今多數51和AVR單片機都有內部RAM和片上RAM,相當於CPU的一級緩存和二級緩存，但由於在多數應用中它們就沒有外擴RAM,也就沒有人明確提出什麼是單片機cache的定義，一般籠統地把內部RAM和片上RAM合稱為內存。

❹ 怎樣對51單片機內的FLASH和EEPROM編程

程序代碼是存放在flash里，中間變數放在RAM里的吧。。。如果你想把變數數據放到EEPROM中，可以在程序中指定操作放入Flash或者EEPROM中。單純編譯是將程序放到FLASH中的。

❺ 單片機編程語句: if(Flash_Count%5==0) 如果什麼的時候執行{}里的程序

Flash_Count%5是取 5 的余數，就是整除後餘下的數，取余數打個比方：
Flash_Count = 14 那麼，Flash_Count / 5 = 2 余 4
2*5=10 ，14-10=4，4就是余數
Flash_Count = 15 那麼，Flash_Count / 5 = 3 余 0
3*5=15 ，15-15=0，0 就是余數
等於 0 的時候，if(Flash_Count%5==0) 滿足條件，這個時候執行 {} 裡面的程序

❻ AVR單片機中如何寫flash，目前能夠讀出來，就是不知道怎麼將變數寫到flash任意地址中

如果是在單片機程序中寫Flash，這是一個很復雜的過程，
Atmega單片機
Flash分為兩個區：可讀寫區(RWW)，不可讀寫區(NRWW)
RWW:
read-while-write，也就是常說的
bootloader
區，
NRWW:no-read-while-write
一般的應用程序是在NRWW區的，也就是說不可以對flash進行操作，但是你可以寫一段
程序下載
到RWW區，然後這一段的程序可能對整個Flash進行讀寫操作，所以你要實現寫Flash的話，你的應用程序必須跳轉到RWW區，將要寫的地址傳給它，然後由該部分的程序去完成操作，然後再跳回你的應用程序

❼ 單片機中Flash是什麼意思

FLASH快閃記憶體 快閃記憶體的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱為"Flash"，它屬於內存器件的一種，是一種不揮發性（ Non-Volatile ）內存。快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異：目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存；快閃記憶體在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。

❽ MC908GP32單片機的Flash存儲器的編程過程

在HC08系列單片機中，對Flash進行擦除或寫入操作需要遵循一定的時序和步驟。對於整個MC68HC908系列的各個型號，這些步驟是一樣的，但時序要求可能略有不同，針對具體型號的Flash進行編程時應參考相應的晶元手冊。同時需要注意的是，一些型號的監控ROM內含有Flash編程子程序，用戶可直接調用，例如MC68HC908JL3；有的型號則沒有，例如MC908GP32，這種情況需自行編制子程序。下面介紹MC908GP32的Flash編程的基本操作。 下面過程可以擦除GP32的Flash存儲器的一頁(128位元組)：
①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位)：進行頁面擦除。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash頁內任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向待擦除頁首地址寫入0。
④延時tnvs(>10µs)。
⑤$A→FLCR(1→HVEN位)。
⑥延時terase(>1ms)。
⑦$8→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延時tnvh(>5µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延時trcv(>1µs)，完成一頁的擦除操作。 下面過程擦除GP32的整個Flash區域，以便把新的程序裝入Flash存儲器，這是應用系統研製過程中開發工具對GP32編程的准備工作。
①$6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位)：進行整體擦除。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向首地址寫入0。
④延時tnvs(>10µs)。
⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)。
⑥延時tMerase(>4ms)。
⑦$C→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延時tnvhl(>100µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)。
⑩延時trcv(>1µs)，完成整體擦除操作。 MC908GP32的Flash編程操作以行(64位元組)為單位進行的。當然，一次寫入可以小於一行，但不能大於一行。對於已經寫過的部分，未經擦除不能重新寫入變更其數據，否則將引起數據出錯。寫入過程如下:
①$1→FLCR(1→PGM位)。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向將要寫入的Flash行內任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向行首地址寫入0，這一步選定了所要編程的行，以下的目標地址必須在這一行中。
④先延時tnvs(>10µs)；再將$9→FLCR(1→HVEN位)。
⑤先延時tpgs(>5µs)；再將待寫數據寫入對應的Flash地址。
⑥延時tprog(>30µs)，完成一個位元組的寫入(編程)工作。
⑦重復⑤、⑥，直至同一行內各位元組寫入完畢。
⑧$8→FLCR(0→PGM位)。
⑨先延時tnvh(>5µs)；再將$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延時trcv(>1µs)以後，完成本行寫入工作，可以讀出校驗。

❾ 如何用單片機讀寫FLASH

就是這段程序了。我一直用的。不懂的可以找我

#define CMD_IDLE 0
#define CMD_READ 1
#define CMD_PROGRAM 2
#define CMD_ERASE 3
#define ENABLE_IAP 0X82// SYSCLK<24M
#define IAP_ADDRESS 0X0000

void IAP_Disable()//Make MCU if safe state
{
//關閉IAP 功能, 清相關的特殊功能寄存器,使CPU 處於安全狀態,
//一次連續的IAP 操作完成之後建議關閉IAP 功能,不需要每次都關
IAP_CONTR = 0; //關閉IAP 功能
IAP_CMD = 0; //清命令寄存器,使命令寄存器無命令,此句可不用
IAP_TRIG = 0; //清命令觸發寄存器,使命令觸發寄存器無觸發,此句可不用
IAP_ADDRH = 0x80; // ??? 0x80 ????
IAP_ADDRL = 0;
}
//讀一位元組，調用前需打開IAP 功能，入口:DPTR = 位元組地址，返回:A = 讀出位元組
uchar Byte_Read(uint addr)
{
IAP_CONTR=ENABLE_IAP; //打開IAP 功能, 設置Flash 操作等待時間
IAP_CMD=CMD_READ; //IAP/ISP/EEPROM 位元組讀命令
IAP_ADDRL=addr; //設置目標單元地址的高8 位地址
IAP_ADDRH=addr>>8; //設置目標單元地址的低8 位地址
IAP_TRIG=0X5A;//先送 5Ah,再送A5h 到ISP/IAP 觸發寄存器,每次都需如此
IAP_TRIG=0XA5;//送完A5h 後，ISP/IAP 命令立即被觸發起動
_nop_();
IAP_Disable();//關閉IAP 功能, 清相關的特殊功能寄存器,使CPU 處於安全狀態
return IAP_DATA;
}

//位元組編程，調用前需打開IAP 功能，入口:DPTR = 位元組地址, A= 須編程位元組的數據
void Byte_Program(uint addr,uchar dat)
{
IAP_CONTR=ENABLE_IAP;//打開 IAP 功能, 設置Flash 操作等待時間
IAP_CMD=CMD_PROGRAM;//IAP/ISP/EEPROM 位元組編程命令
IAP_ADDRL=addr;//設置目標單元地址的高8 位地址
IAP_ADDRH=addr>>8; //設置目標單元地址的低8 位地址
IAP_DATA=dat;//要編程的數據先送進IAP_DATA 寄存器
IAP_TRIG=0X5A;//先送 5Ah,再送A5h 到ISP/IAP 觸發寄存器,每次都需如此
IAP_TRIG=0XA5; //送完A5h 後，ISP/IAP 命令立即被觸發起動
_nop_();
IAP_Disable();//關閉IAP 功能, 清相關的特殊功能寄存器,使CPU 處於安全狀態,
}
void Sector_Erase(uint addr) //擦除扇區, 入口:DPTR = 扇區地址
{
IAP_CONTR=ENABLE_IAP;
IAP_CMD=CMD_ERASE;
IAP_ADDRL=addr;
IAP_ADDRH=addr>>8;
IAP_TRIG=0X5A;
IAP_TRIG=0XA5;
_nop_();
IAP_Disable();
}

❿ 單片機FLASH編程中，向FLASH寫入數據是否可以用循環結構寫入

可以呀，不過要注意地址的遞增，否則會出錯的。如STC如果向非零的FLASH中寫數據，就是不允許的。