A. 什麼是單粒子鎖定（Single Event Latchup）
單粒子鎖定,是單粒子效應的一種,單粒子入射產生的瞬態電流會導致設備功能性損壞。單粒子鎖定主要發生於CMOS器件中。CMOS器件的PN-PN四層結構形成了寄生可控硅結構,正常情況下,寄生的可控硅處於高阻關閉狀態。單個帶電粒子入射產生的瞬態電流觸發可控硅結構使其導通,由於可控硅的正反饋特性使電流不斷增大,進入大電流再生狀態,即導致鎖定。一般而言,單粒子鎖定都是由重離子引起的。對於典型器件,鎖定電流高達安培量級,大電流導致器件局部溫度升高,導致器件永久性損壞。重新掉電、上電可以清除單粒子鎖定,但如果沒有迅速斷電,過度的加熱以及鍍金或鍵合線發生故障,都會帶來不可逆的永久性傷害。而對於某些非常敏感的設備,質子也會導致單粒子鎖定。在航天工程中,防範單粒子鎖定的措施主要有限流電阻、限流電路或系統重新掉電、上電等。
B. 英文翻譯
• 電源： 4.5V對5.5V
• 溫度范圍： (- 55oC對125oC)
• 事件閂鎖效應在之下沒有讓80 MeV/mg/cm2門限
• 測試由總葯量30 krads決定(Si)根據米爾STD 883方法1019年
• 包裹： 邊被鍍黃銅的40別針， MQFPJ 44別針
• 質量等級： QML Q和V與SMD 5962-00518和ESCC以規格
9521002