❶ 飞思卡尔 mc9s12xs128 单片机 怎样才可以 在EPROM 或者在 FASH 中 保存运行的参数
有相关资料可以参考的，你搜一下flash to epprom相关资料：
用Flash模拟EEPROM
本程序利用S08系列单片机的片内Flash模拟EEPROM。解决部分8位机没有EEPROM导致在运用上的局限。本程序提供一个初始化函数和三个功能函数。用户必须在调用功能函数前调用调用初始化函数。三个功能函数分别是字节写入、字节读取、EEPROM全擦除。用户必须保证调用功能函数前有至少30Bate的栈空间。
本程序参考飞思卡尔公司提供的《在 HCS08 微控制器上使用 FLASH 存储器模拟 EEPROM》。并在源程序的基础上精简了部分功能，减少了RAM使用量。并尝试使用分页机制确定EEPROM地址。
接口函数的EEPROM地址寻址由页地址和页内偏移量组成。即把用户定义的EEPROM分为若干个大小为256字节的页。其地址与FLASH地址的换算关系为：
FLASH真实地址=EEPROM空间起始地址+页地址×256+页内偏移地址
用户在使用EEPROM是只用确定数据保存在EEPROM的相对地址即可。接口函数原型为：
EEPROM_WRITE_DATA(数据,页地址, 页内偏移地址);
Char EEPROM_READ_DATA(页地址, 页内偏移地址);
1. 程序流程分析与设计。
由于S08系列单片机在Flash写入时序中不能进行任何的Flash读操作，Flash写入指令必须放到RAM中执行并关闭所有可屏蔽中断。程序流程如图13-1-？。
字节写入/.全擦除程序流程 字节读取程序流程
图13-1-？
2.程序源代码。此程序在CodeWarrior 6.0继承编译环境中编译通过
/*****************************************************/
//河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室
// 文件名：flash_program.h
// CPU ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 调试环境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述: 头文件，用于保存初始化EEPROM设定、用户定制参数、编译器参数等信息。
/*****************************************************/
#include <hidef.h>
#include "derivative.h"
#include <stdio.h>
/*************flash编程指令（请勿改动）*****************/
#define BLACK_CHECK 0x05 //查空指令
#define BITE_PROGRAM 0x20 //字节编程指令
#define BURST_PROGRAM 0x25 //快速编程指令
#define PAGE_ERASE 0x40 //页擦除指令（1页=512字节）
#define MASS_ERASE 0x41 //全擦除指令
/******用户定制参数（根据单片机型号和用户flash使用情况定制）**********/
#define EEPROM_START_ADDRESS 0xE000 //EEPROM区起始地址。512B的倍数
#define EEPROM_PAGE_NUM 8 //EEPROM页数。1page=256B
#define BUS_FREQUENCY 2000 //总线频率。单位（KHz）
/********************编译器相关参数**************************/
#define INT8U unsigned char //无符号字节变量。根据编译器更改。默认CodeWarrior 6.0
#define INT16U unsigned short int //无符号字变量。根据编译器更改。默认CodeWarrior 6.0
/***********EEPROM API函数原型***********/
//初始化程序。此函数必须在使用EEPROM前调用。建议用户在系统初始化是调用。
void INIT_EEPROM(void);
//EEPROM擦除函数。擦除所有EEPROM数据。
void EEPROM_ERASE(void);
//EEPROM字节写入函数。写入一个字节到EEPROM指定区域。
void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)
//EEPROM读出函数。读出一个指定的区域所保存的字节的到函数返回值。
char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address);
/****************************END************************************/
/*****************************************************/
//河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室
// 文件名：flash_program.c
// C P U ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 调试环境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述:提供了一个初始化函数和三个功能函数供用户调用，没有可更改参数。
/*****************************************************/
#include "flash_program.h"
const INT8U FLASH_CODE[]={ // ; flash操作代码
0x45, 0x18, 0x26, // LDHX #$1826 ; FCMD地址写入H：X
0xA6, 0x00, // LDA #$00 ; 0x00为命令占位符
0xF7, // STA ,X ; 将命令写入FCMD命令缓存器
0x5A, // DECX ; 指针指向 FSTAT
0xF6, // LDA ,X ;
0xAA, 0x80, // ORA #$80 ;
0xF7, // STA ,X ; 置位FSTAT_FCBEF。启动flash写入命令
0xF6, // LDA ,X ; 等待3个时钟周期（请勿删除此代码）
0xF6, // LDA ,X ; 读取FSTAT
0xA5, 0x30, // BIT #$30
0x26, 0x05, // BNE *+6 ; 错误则返回
//LOOP
0xF6, // LDA ,X ; 等待写操作结束
0xA5, 0x40, // BIT #$40
0x27, 0xFB, // BEQ *-3 ; 跳转到LOOP
//EXIT:
0X81 //RTS ; 返回
};
/*********************初始化函数**********************************/
#if BUS_FREQUENCY >= 12000
void INIT_EEPROM(void){FCDIV=(((BUS_FREQUENCY/(8*175)))|0x40)-1;}
#endif
#if BUS_FREQUENCY < 12000
void INIT_EEPROM(void){FCDIV=(BUS_FREQUENCY/175)-1;}
#endif
/***********************EEPROM字节写入函数****************************/
void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)
{
INT16U address; //存放写入地址
INT8U code_space[23]; //初始化代码空间
if(EEPROM_page>=EEPROM_PAGE_NUM)return; //地址错误返回，保护用户代码
address=offset_address+EEPROM_page*256+EEPROM_START_ADDRESS; //地址转化
(void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23); //复制flash操作代码到RAM
code_space[4] = BITE_PROGRAM; //修改命令占位符为写入命令
DisableInterrupts; //关中断
if (FSTAT&0x10){ //清错误标志
FSTAT = FSTAT|0x10;
}
_asm
{ //写入初始化
LDHX address;
LDA data;
STA ,X; //写入缓存
TSX;
JSR 2,x; //跳入RAM执行
}
EnableInterrupts; //开中断
__RESET_WATCHDOG();
}
/********************EEPROM字读取入函数********************************/
char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address){
unsigned short int address; //地址变量
char rusult; //数据变量
address=offset_address+EEPROM_page*0x100+EEPROM_START_ADDRESS; //地址转换
asm{
LDHX address;
LDA ,X; //读取地址到数据变量
STA rusult;
}
__RESET_WATCHDOG();
return(rusult); //返回
}
/**********************EEPROM擦除函数********************************/
void EEPROM_ERASE(void)
{
INT16U address;
INT8U i; //循环变量
INT8U code_space[23];
for(i=0;i<(EEPROM_PAGE_NUM/2);i++){ //分页擦除
address=i*0x200+EEPROM_START_ADDRESS;
(void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23); //复制flash操作代码到RAM
code_space[4] = PAGE_ERASE; //修改命令占位符为擦除命令
DisableInterrupts; //关中断
if (FSTAT&0x10){ //清错误标志
FSTAT = FSTAT | 0x10;
}
_asm
{
LDHX address; //擦除地址写入缓存
STA ,X;
TSX;
JSR 3,x; //跳入RAM执行
}
EnableInterrupts; //开中断
__RESET_WATCHDOG();
}
}
/****************************END************************************/
/*****************************************************/
// 版权所有（c）河南工业大学
// 文件名：mian.c
// C P U ：MC9S08AW60
// 版 本：v1.0
// 日 期：2008年8月12日
// 调试环境：CodeWarrior 6.0
// 作 者：曾 滔
// 描 述: 测试Flash模拟EEPROM程序。
/*****************************************************/
#include <hidef.h>
#include "derivative.h"
#include "flash_program.h"
void main(void){
char temp;
PTADD=0XFF;
INIT_EEPROM(); //初始化Flash控制寄存器。
do{
EEPROM_WRITE_DATA(88,0,0); //写入一个字节。
temp=EEPROM_READ_DATA(0,0); //读取一个字节
}while(temp!=88); //若写入失败则再次写入
PTAD_PTAD0=1;
do{
EEPROM_ERASE();
}while(EEPROM_READ_DATA(0,0)!=0xff); //擦除Flash
PTAD_PTAD1=1;
for(;;)__RESET_WATCHDOG(); //死循环
}
❷ mc51单片机中通用的存储器地址两种分配方法
8051片内有4kB的程序存储单元，其地址为0000H—0FFFH，其中一组特殊是0000H—0002H单元，系统复位后，PC为0000H，单片机从0000H单元开始执行程序 ，另一组特殊单元是0003H—002AH，这40个单元各有用途，它们被均匀地分为五段，它们的定义如下：
0003H—000AH 外部中断0中断地址区。
000BH—0012H 定时/计数器0中断地址区。
0013H—001AH 外部中断1中断地址区。
001BH—0022H 定时/计数器1中断地址区。
0023H—002AH 串行中断地址区。
可见以上的40个单元是专门用于存放中断处理程序的地址单元
二、数据存储器
MCS-51内部RAM有128或256个字节的用户数据存储（不同的型号有分别），它们是用于存放执行的中间结果和过程数据的。MCS-51的数据存储器均可读写，部分单元还可以位寻址。
1、 8051内部RAM共有256个单元，这256个单元共分为两部分。其一是地址从00H—7FH单元（共128个字节）为用户数据RAM。从80H—FFH地址单元（也是128个字节）为特殊寄存器（SFR）单元。从图1中可清楚地看出它们的结构分布。
在00H—1FH共32个单元中被均匀地分为四块，每块包含八个8位寄存器，均以R0—R7来命名，我们常称这些寄存器为通用寄存器。
内部RAM的20H—2FH单元为位寻址区，既可作为一般单元用字节寻址，也可对它们的位进行寻址。位寻址区共有16个字节，128个位，位地址为00H—7FH。。
❸ mc-51单片机4种寻址方式
立即、直接、寄存器、寄存器间接。