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sram读写命令线

发布时间:2022-05-07 21:26:19

⑴ sram存储器的数据线如何确定

一片8bit的sram的话 数据线即8位, 若两片串联则地址增加一倍 位宽不变。
若并联则16bit 数据, 一般还有根据lb,ub在 进行对应的8、16位的读写段选择

⑵ sram存储器的特点是什么

关于SRAM存储容量及基本特点。

半导体随机存储器芯片内集成有记忆功能的存储矩阵,译码驱动电路和读/写电路等等。
下面介绍几个重要的概念:
读写电路:包括读出放大器和写入电路,用来完成读/写操作。
地址线:单向输入,其位数与芯片的容量有关
片选线:确定哪个芯片被选中(用来选择芯片)
数据线:双向输入,其位数与芯片可读出或者写入的位数有关,也与芯片容量有关。

存储容量

通常我们将存储容量表示为:字数X位数,比如64KX8位,其含义为,以8位构成一个字,一共有64个字。这个概念要相当熟悉,后面理解题目很有用。

⑶ 我想知道ARM7和RM9的区别在那里

系列处理器是英国ARM公司设计的主流嵌入式处理器
ARM7内核是0.9MIPS/MHz的三级流水线和冯•诺伊曼结构;
ARM9内核是5级流水线,提供1.1MIPS/MHz的哈佛结构。
ARM7没有MMU,ARM720T是MMU的 ,ARM9主要包括ARM9TDMI和ARM9E-S等系列ARM9是有MMU的,ARM940T只有Memory protection unit.不是一个完整的MMU。
ARM9的时钟频率比ARM7更高,采用哈佛结构区分了数据总线和指令总线, ARM7处理器采用3级流水线,而ARM9采用5级流水线, 5级流水线能够将每一个指令处理分配到5个时钟周期内,在每一个时钟周期内同时有5个指令在执行。在同样的加工工艺下,ARM9TDMI处理器的时钟频率是ARM7TDMI的1.8~2.2倍。指令周期的改进,
指令周期的改进:
2.1 loads 指令矛n stores指令
指令周期数的改进最明显的是loads指令和stores指令。从ARM7到ARM9这两条指令的执行时间减少了30%。指令周期的减少是由于ARM7和ARM9两种处理器内的两个基本的微处理结构不同所造成的。
(1)ARM9有独立的指令和数据存储器接口,允许处理器同时进行取指和读写数据。这叫作改进型哈佛结构。而ARM7只有数据存储器接口,它同时用来取指令和数据访问。
(2)5级流水线引入了独立的存储器和写回流水线,分别用来访问存储器和将结果写回寄存器。
以上两点实现了一个周期完成loads指令和stores指令。
2.2 互锁(interlocks)技术
当指令需要的数据因为以前的指令没有执行完而没有准备好就会产生管道互锁。当管道互锁发生时,硬件会停止这个指令的执行,直到数据准备好为止。虽然这种技术会增加代码执行时间,但是为初期的设计者提供了巨大的方便。编译器以及汇编程序员可以通过重新设计代码的顺序或者其他方法来减少管道互锁的数量。
2.3 分枝指令
ARM9和ARM7的分枝指令周期是相同的。而且ARM9TDMI和ARM9E-S并没有对分枝指令进行预测处理。
ARM9结构及特点
以ARM9E-S为例介绍ARM9处理器的主要结构及其特点。
(1)32bit定点RISC处理器,改进型ARM/Thumb代码交织,增强性乘法器设计。支持实时(real-time)调试;
(2)片内指令和数据SRAM,而且指令和数据的存储器容量可调;
(3)片内指令和数据高速缓冲器(cache)容量从4K字节到1M字节;
(4)设置保护单元(protcction unit),非常适合嵌入式应用中对存储器进行分段和保护;
(5)采用AMBA AHB总线接口,为外设提供统一的地址和数据总线;
(6)支持外部协处理器,指令和数据总线有简单的握手信令支持;
(7)支持标准基本逻辑单元扫描测试方法学,而且支持BIST(built-in-self-test);
(8)支持嵌入式跟踪宏单元,支持实时跟踪指令和数据

⑷ SRAM 的工作原理

写;For the write operation, assume the stored data in the SRAM
cell =1. We will change the cell to 0.

—At t=0:

—BL is connected to the Ground (Voltage=0V)

—/BL is connected to Vcc

—the word line is selected:

—PG are turned on.

—charge previously stored in node Bwill be discharged by BL
through T1.

—On the other side, node C will be charged by /BL through T2.

—WL
turn off.

uThus the new data 0 is written into the SRAM cell

读; 假设是0,–At t=0: •Both bit lines are precharged to Vcc. •If the data in the SRAM cell = 0, then node B is low and node C is high.

–When the word line is selected, the two transfer gate transistors T1 and T2 are turned ON. •The charge stored in the node B will be charged by the BL line to 0 through T1.

•On the other side, node C will discharge to the /BL line. The sense amplifier (SA) will detect the voltage difference between BL and /BL.

• Thus the data stored in the cell is read out to the bit lines.

既然你提问了,我觉得英文应该不是问题,有什么问题可以继续交流。

⑸ FPGA系统调用SRAM资源的方法

1 下载你的SRAM对应型号的数据手册,看看一些信号定义。主要是片选/读写信号定义
2 SRAM很简单,你输出时钟/片选/读写/地址/数据线 这几个信号就可以了,看一下数据手册的信号传输格式部分。
比如, 数据线输出数字1,地址线输出0,然后片选有效,读写信号保持为写一个周期,那么数字1就写入了SRAM内部地址0处。注意写信号不要一直有效,仅仅保持一个周期即可,如果是连续写,那么每个周期地址线数据线都要改变数据。
读就简单了,地址线输出0,读写信号保持为读,一般几个周期(不同芯片不同频率下延迟周期并不一致)后SRAM的输出信号线上就有数据给你读了。

⑹ FSMC接SRAM时地址线顺序全乱了,是否对读写SRAM照成影响

对于这种异步静态存储器,内部没有地址自操作功能和猝发操作,所以,每一次操作都需要外部提供地址信息。因此,乱了,只是从物理上乱了,逻辑上还是正常的。只是对成果传递和查问题制造麻烦。应用中没有任何问题。对于同步静态存储器和动态存储器,可就麻烦了。

⑺ SRAM是缓存还是内存

SRAM是一种读写速度很优秀的存储器(比DRAM速度快很多的存储器),因为读写速度优秀,所以价格就贵,所以一般容量做的比较小,容量做大的话成本就会很高(因为计算机要亲民啊,做的那么贵谁买得起呢),所以一般不拿来当内存使用(就是平常说的内存条),一般用作TLB(快表)或者用来减少存取时间的高速缓存,而DRAM一般用来做内存,一般容量比较大,为什么容量大呢,因为他比SRAM存储器慢所以价格便宜,容量做大一点就没关系啦

⑻ 怎样实现stm32 自身sram数据读写

对绝对的地址空间进行读写即可。

比如STM32自身的SRAM地址空间范围是0x20000000-0xXXXXXXXX(结束地址根据不同型号而不同,比如STM32F103ZET6的SRAM地址空间为0x20000000-0x2000FFFF共64KB),对绝对地址进行访问的C语言代码是:
a = *(u8 *)0x20000000;//将地址为0x20000000的一个字节数据读取到变量a中
*(u8 *)0x20000100 = a; //将变量a的值放到地址0x20000100处
不过不推荐直接访问绝对地址,因为这样可能会破坏堆栈而导致程序跑乱跑飞等问题的出现。

⑼ 简述SRAM,DRAM型存储器的工作原理

个人电脑的主要结构:
显示器
主机板
CPU
(微处理器)
主要储存器
(记忆体)
扩充卡
电源供应器
光盘机
次要储存器
(硬盘)
键盘
鼠标
尽管计算机技术自20世纪40年代第一台电子通用计算机诞生以来以来有了令人目眩的飞速发展,但是今天计算机仍然基本上采用的是存储程序结构,即冯·诺伊曼结构。这个结构实现了实用化的通用计算机。
存储程序结构间将一台计算机描述成四个主要部分:算术逻辑单元(ALU),控制电路,存储器,以及输入输出设备(I/O)。这些部件通过一组一组的排线连接(特别地,当一组线被用于多种不同意图的数据传输时又被称为总线),并且由一个时钟来驱动(当然某些其他事件也可能驱动控制电路)。
概念上讲,一部计算机的存储器可以被视为一组“细胞”单元。每一个“细胞”都有一个编号,称为地址;又都可以存储一个较小的定长信息。这个信息既可以是指令(告诉计算机去做什么),也可以是数据(指令的处理对象)。原则上,每一个“细胞”都是可以存储二者之任一的。
算术逻辑单元(ALU)可以被称作计算机的大脑。它可以做两类运算:第一类是算术运算,比如对两个数字进行加减法。算术运算部件的功能在ALU中是十分有限的,事实上,一些ALU根本不支持电路级的乘法和除法运算(由是使用者只能通过编程进行乘除法运算)。第二类是比较运算,即给定两个数,ALU对其进行比较以确定哪个更大一些。
输入输出系统是计算机从外部世界接收信息和向外部世界反馈运算结果的手段。对于一台标准的个人电脑,输入设备主要有键盘和鼠标,输出设备则是显示器,打印机以及其他许多后文将要讨论的可连接到计算机上的I/O设备。
控制系统将以上计算机各部分联系起来。它的功能是从存储器和输入输出设备中读取指令和数据,对指令进行解码,并向ALU交付符合指令要求的正确输入,告知ALU对这些数据做那些运算并将结果数据返回到何处。控制系统中一个重要组件就是一个用来保持跟踪当前指令所在地址的计数器。通常这个计数器随着指令的执行而累加,但有时如果指令指示进行跳转则不依此规则。
20世纪80年代以来ALU和控制单元(二者合成中央处理器,CPU)逐渐被整合到一块集成电路上,称作微处理器。这类计算机的工作模式十分直观:在一个时钟周期内,计算机先从存储器中获取指令和数据,然后执行指令,存储数据,再获取下一条指令。这个过程被反复执行,直至得到一个终止指令。
由控制器解释,运算器执行的指令集是一个精心定义的数目十分有限的简单指令集合。一般可以分为四类:1)、数据移动(如:将一个数值从存储单元A拷贝到存储单元B)2)、数逻运算(如:计算存储单元A与存储单元B之和,结果返回存储单元C)3)、条件验证(如:如果存储单元A内数值为100,则下一条指令地址为存储单元F)4)、指令序列改易(如:下一条指令地址为存储单元F)
指令如同数据一样在计算机内部是以二进制来表示的。比如说,10110000就是一条Intel
x86系列微处理器的拷贝指令代码。某一个计算机所支持的指令集就是该计算机的机器语言。因此,使用流行的机器语言将会使既成软件在一台新计算机上运行得更加容易。所以对于那些机型商业化软件开发的人来说,它们通常只会关注一种或几种不同的机器语言。
更加强大的小型计算机,大型计算机和服务器可能会与上述计算机有所不同。它们通常将任务分担给不同的CPU来执行。今天,微处理器和多核个人电脑也在朝这个方向发展。
超级计算机通常有着与基本的存储程序计算机显着区别的体系结构。它们通常由者数以千计的CPU,不过这些设计似乎只对特定任务有用。在各种计算机中,还有一些微控制器采用令程序和数据分离的哈佛架构(Harvard
architecture)。

⑽ SRAM芯片 其容量是1024*8位,除电源和接地端外,改芯片引脚的最小数目是,20 这个答案是怎么来的

除电源和接地端外,改芯片引脚的最小数目是20根,主要是10根地址线加上8根数据线再加上2根读写线,所以说12+8+2=20,所以说芯片引脚的最小数目是20根。

址线是用来传输地址信息用的。举个简单的例子:cpu在内存或硬盘里面寻找一个数据时先通过地址线找到地址,然后再通过数据线将数据取出来。1024*8位=2^10B=1K,所以说需要10根地址线。

数据线是用来传输数据的。因为芯片为8位,所以说需要8根数据线。除了正常的地址线和数据线还需要读写的线,所以说除了电源和接地端还需要20根线,所以引脚的最小数目为20。

(10)sram读写命令线扩展阅读:

SRAM主要用途:

SRAM主要用于二级高速缓存。它利用晶体管来存储数据。

与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存。

SRAM芯片与DRAM区别:

DRAM支持地址线的复用,所以DRAM的地址线可以减半,但是SRAM不支持地址线的复用,所以说,SRAM地址线算出即为所用的地址线,不需要减半。

地址接收步骤:

在两种多处理器模式中,接收步骤如下:

1、在接收地址块时,SCI端口唤醒并申请中断,读取地址块的第一帧,该帧包含目的处理器的地址。

2、通过中断检查接收的地址启动软件例程,然后比较内存中存放的器件地址和接收到数据的地址字节。

3、如果上述地址相吻合表明地址块与DSP的地址相符,则CPU清除SLEEP位并读取块中剩余的数据;否则,退出软件子程序并保持SLEEP置位,直到下一个地址块的开始才接收中断。

参考资料来源:网络-SRAM

参考资料来源:网络-地址线

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