Ⅰ 晶元里有什麼東西，有演算法嗎
晶元技術是我國所有IT行業共同面臨的壁壘，這項技術一直為美國控制和壟斷。目前國內已經成功研發出DSP指紋鎖專業處理晶元，晶元一般在台灣封裝，國內廠家進行演算法軟體的燒錄；絕大部分指紋鎖廠家採用國內指紋演算法晶元。
Ⅱ 加密貨幣的演算法寫在晶元里的嗎
摘要 對於加密貨幣挖掘，我們將使用SHA-256加密哈希函數進行加密。通過此演算法，您可以獲取任何大小的數據並將其轉換為預定義的大小字元串。生成的字元串稱為hash，在隨機輸入中使用hash函數的過程稱為hash，這對我的比特幣至關重要。除非您真的進行了計算，否則您將無法預測每個塊的哈希值。實際上，挖掘的目的是用不同的輸入測試哈希函數，直到它們具有確定的哈希值，系統將其驗證為塊頭為止。隨著礦工的增加，解決交易的難度也增加了。
Ⅲ 晶元的封裝形式有那些
1、BGA(ball grid array)
球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中採用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗口的Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1.5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。
帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上晶元封裝，是裸晶元貼裝技術之一，半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸晶元貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和倒片焊技術。
9、DFP(al flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
10、DIC(al in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(al in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12、DIP(al in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
13、DSO(al small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。
14、DICP(al tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於利用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為定製品。另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機械工業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。
15、DIP(al tape carrier package)
同上。日本電子機械工業會標准對DTCP 的命名(見DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家採用此名稱。
17、flip-chip
倒焊晶元。裸晶元封裝技術之一，在LSI 晶元的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶元尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI 晶元不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶元，並使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家採用此名稱。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。這種封裝在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得不怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引腳晶元載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導體廠家採用的名稱。
24、LCC(Leadless chip carrier)
無引腳晶元載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
25、LGA(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用於高速邏輯LSI 電路。LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻抗小，對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作復雜，成本高，現在基本上不怎麼使用。預計今後對其需求會有所增加。
26、LOC(lead on chip)
晶元上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處於晶元上方的一種結構，晶元的中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶元側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶元達1mm 左右寬度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，晶元用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳(0.65mm中心距)的LSI 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。
29、MCM(multi-chip mole)
多晶元組件。將多塊半導體裸晶元組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高，成本較低。MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM－L。MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家採用的名稱。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標准對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為
0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標准QFP(見QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產。
33、MSP(mini square package)
QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱(見
BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)採用的名稱(見QFN)。引腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處於開發階段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家採用的名稱。
39、PGA(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都採用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模邏輯LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PGA。
另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝
型PGA)。
40、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設備時用於評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是定製品，市場上不怎麼流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料晶元載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形，
是塑料製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用，現在已經普及用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。
J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑料，後者用陶瓷。但現在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑料製作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PCLP、P－LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出J 形引腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
43、QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體製作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家採用的名稱。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字。
也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由於引腳無突出部分，貼裝佔有面積小於QFP。日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用於微機、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機晶元電路。引腳數從32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度比QFP低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外，還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時，多數情況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字邏輯LSI 電路，而且也用於VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂。QFP 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂保護環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專用夾具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqad)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機械工業會標准所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm、0.3mm 等小於0.65mm 的QFP(見QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利用TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用的名稱(見TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的別稱(見QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標准印刷線路板。是比標准DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶元中採用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。
55、SDIP (shrink al in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小於DIP(2.54mm)，因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。
56、SH－DIP(shrink al in-line package)
同SDIP。部分半導體廠家採用的名稱。
57、SIL(single in-line)
SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多採用SIL 這個名稱。
58、SIMM(single in-line memory mole)
單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標准SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30～40％的DRAM 都裝配在SIMM 里。
59、SIP(single in-line package)
單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2 至23，多數為定製產品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。
60、SK－DIP(skinny al in-line package)
DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP(見
DIP)。
61、SL－DIP(slim al in-line package)
DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP。
62、SMD(surface mount devices)
表面貼裝器件。偶而，有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。
63、SO(small out-line)
SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都採用此別稱。(見SOP)。
64、SOI(small out-line I-leaded package)
I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I 字形，中心距1.27mm。貼裝佔有面積小於SOP。日立公司在模擬IC(電機驅動用IC)中採用了此封裝。引腳數26。
65、SOIC(small out-line integrated circuit)
SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠家採用此名稱。
66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形，故此得名。通常為塑料製品，多數用於DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SOJ封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20 至40(見SIMM)。
67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備工程委員會)標准對SOP 所採用的名稱(見SOP)。
68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區別，有意增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家採用的名稱(見SOP)。
69、SOF(small Out-Line package)
小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。SOP 除了用於存儲器LSI 外，也廣泛用於規模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不超過10～40 的領域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從8～44。另外，引腳中心距小於1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。
70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
寬體SOP。部分半導體廠家採用的名稱.
以上是引用別人的。
三極體封裝：TO-92、TO-92S、TO-92NL、TO-126、TO-251、TO-251A、TO-252、TO-263（3線）、TO-220、T0-3、SOT-23、SOT-143、SOT-143R、SOT-25、SOT-26、TO-50。
電源晶元封裝：SOT-23、T0-220、TO-263、SOT-223。
以TO-92,T0-3,TO-220,TO-263,SOT-23最常用
Ⅳ ic晶元裡面的信息能復制出來燒錄到別的ic嗎
可以復制， 需要這顆晶元沒有加密。 精測通燒錄器即兼容市售的絕大部分程式控制晶元，了解型號 封裝 後即可開工，讀取 編程 擦除 查空 等過程都包含在一個工程內
Ⅳ 請教，DIP封裝晶元的拆除方法。
有吸錫法，針頭法，熱風吹法，等，我一般用針頭法，這個比較經濟，但容易把電路板搞壞。
Ⅵ 一個演算法是怎樣固化在晶元裡面的啊 哪裡有這方面的資料可以看啊謝謝了啊～～
在計算機原理基礎部分有解釋 我已經忘記了 好象是設定好這些數據的000101110後通過一次大的脈沖或別的什麼讓這段數據處半短路這樣電流就無法通過111010001這些相反的電瓶了
Ⅶ 可以把PIC單片機里的源程序拷備出來嗎
如果晶元燒寫程序的時候沒開代碼保護，是可以讀出來的，但是讀出來的是機器碼，不是源程序了，你是不可能看懂的。除非你變成黑客帝國里的尼奧了，呵呵。
Ⅷ 需要什麼工具才能解開加密的晶元
晶元破解方法
（1）軟體攻擊
該技術通常使用處理器通信介面並利用協議、加密演算法或這些演算法中的安全漏洞來進行攻擊。軟體攻擊取得成功的一個典型事例是對早期ATMEL AT89C 系列單片機的攻擊。攻擊者利用了該系列單片機擦除操作時序設計上的漏洞，使用自編程序在擦除加密鎖定位後，停止下一步擦除片內程序存儲器數據的操作，從而使加過密的單片機變成沒加密的單片機，然後利用編程器讀出片內程序。
目前在其他加密方法的基礎上，可以研究出一些設備，配合一定的軟體，來做軟體攻擊。
近期國內出現了了一種51晶元破解設備（成都一位高手搞出來的）,這種解密器主要針對SyncMos. Winbond,在生產工藝上的漏洞,利用某些編程器定位插位元組，通過一定的方法查找晶元中是否有連續空位,也就是說查找晶元中連續的FF FF位元組，插入的位元組能夠執行把片內的程序送到片外的指令,然後用解密的設備進行截獲,這樣晶元內部的程序就被解密完成了。
（2） 電子探測攻擊
該技術通常以高時間解析度來監控處理器在正常操作時所有電源和介面連接的模擬特性，並通過監控它的電磁輻射特性來實施攻擊。因為單片機是一個活動的電子器件，當它執行不同的指令時，對應的電源功率消耗也相應變化。這樣通過使用特殊的電子測量儀器和數學統計方法分析和檢測這些變化，即可獲取單片機中的特定關鍵信息。
目前RF編程器可以直接讀出老的型號的加密MCU中的程序，就是採用這個原理。
（3）過錯產生技術
該技術使用異常工作條件來使處理器出錯，然後提供額外的訪問來進行攻擊。使用最廣泛的過錯產生攻擊手段包括電壓沖擊和時鍾沖擊。低電壓和高電壓攻擊可用來禁止保護電路工作或強制處理器執行錯誤操作。時鍾瞬態跳變也許會復位保護電路而不會破壞受保護信息。電源和時鍾瞬態跳變可以在某些處理器中影響單條指令的解碼和執行。
（4）探針技術
該技術是直接暴露晶元內部連線，然後觀察、操控、干擾單片機以達到攻擊目的。
為了方便起見，人們將以上四種攻擊技術分成兩類，一類是侵入型攻擊（物理攻擊），這類攻擊需要破壞封裝，然後藉助半導體測試設備、顯微鏡和微定位器，在專門的實驗室花上幾小時甚至幾周時間才能完成。所有的微探針技術都屬於侵入型攻擊。另外三種方法屬於非侵入型攻擊，被攻擊的單片機不會被物理損壞。在某些場合非侵入型攻擊是特別危險的，這是因為非侵入型攻擊所需設備通常可以自製和升級，因此非常廉價。
大部分非侵入型攻擊需要攻擊者具備良好的處理器知識和軟體知識。與之相反，侵入型的探針攻擊則不需要太多的初始知識，而且通常可用一整套相似的技術對付寬范圍的產品。因此，對單片機的攻擊往往從侵入型的反向工程開始，積累的經驗有助於開發更加廉價和快速的非侵入型攻擊技術。
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侵入型晶元破解過程
侵入型攻擊的第一步是揭去晶元封裝（簡稱「開蓋」有時候稱「開封」，英文為「DECAP」，decapsulation）。有兩種方法可以達到這一目的：第一種是完全溶解掉晶元封裝，暴露金屬連線。第二種是只移掉硅核上面的塑料封裝。第一種方法需要將晶元綁定到測試夾具上，藉助綁定台來操作。第二種方法除了需要具備攻擊者一定的知識和必要的技能外，還需要個人的智慧和耐心，但操作起來相對比較方便，完全家庭中操作。
晶元上面的塑料可以用小刀揭開，晶元周圍的環氧樹脂可以用濃硝酸腐蝕掉。熱的濃硝酸會溶解掉晶元封裝而不會影響晶元及連線。該過程一般在非常乾燥的條件下進行，因為水的存在可能會侵蝕已暴露的鋁線連接 （這就可能造成解密失敗）。
接著在超聲池裡先用丙酮清洗該晶元以除去殘余硝酸，並浸泡。
最後一步是尋找保護熔絲的位置並將保護熔絲暴露在紫外光下。一般用一台放大倍數至少100倍的顯微鏡，從編程電壓輸入腳的連線跟蹤進去，來尋找保護熔絲。若沒有顯微鏡，則採用將晶元的不同部分暴露到紫外光下並觀察結果的方式進行簡單的搜索。操作時應用不透明的紙片覆蓋晶元以保護程序存儲器不被紫外光擦除。將保護熔絲暴露在紫外光下5～10分鍾就能破壞掉保護位的保護作用，之後，使用簡單的編程器就可直接讀出程序存儲器的內容。
對於使用了防護層來保護EEPROM單元的單片機來說，使用紫外光復位保護電路是不可行的。對於這種類型的單片機，一般使用微探針技術來讀取存儲器內容。在晶元封裝打開後，將晶元置於顯微鏡下就能夠很容易的找到從存儲器連到電路其它部分的數據匯流排。由於某種原因，晶元鎖定位在編程模式下並不鎖定對存儲器的訪問。利用這一缺陷將探針放在數據線的上面就能讀到所有想要的數據。在編程模式下，重啟讀過程並連接探針到另外的數據線上就可以讀出程序和數據存儲器中的所有信息。
還有一種可能的攻擊手段是藉助顯微鏡和激光切割機等設備來尋找保護熔絲，從而尋查和這部分電路相聯系的所有信號線。由於設計有缺陷，因此，只要切斷從保護熔絲到其它電路的某一根信號線（或切割掉整個加密電路）或連接1～3根金線（通常稱FIB：focused ion beam)，就能禁止整個保護功能，這樣，使用簡單的編程器就能直接讀出程序存儲器的內容。
雖然大多數普通單片機都具有熔絲燒斷保護單片機內代碼的功能，但由於通用低檔的單片機並非定位於製作安全類產品，因此，它們往往沒有提供有針對性的防範措施且安全級別較低。加上單片機應用場合廣泛，銷售量大，廠商間委託加工與技術轉讓頻繁，大量技術資料外瀉，使得利用該類晶元的設計漏洞和廠商的測試介面，並通過修改熔絲保護位等侵入型攻擊或非侵入型攻擊手段來讀取單片機的內部程序變得比較容易。
目前國內比較有名的晶元破解公司有滬生電子，余洋電子，星辰單片機，恆豐單片機和龍人科技等。
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應對晶元破解的建議
任何一款單片機從理論上講，攻擊者均可利用足夠的投資和時間使用以上方法來攻破。這是系統設計者應該始終牢記的基本原則。因此，作為電子產品的設計工程師非常有必要了解當前單片機攻擊的最新技術，做到知己知彼，心中有數，才能有效防止自己花費大量金錢和時間辛辛苦苦設計出來的產品被人家一夜之間仿冒的事情發生。我們根據滬生的解密實踐提出下面建議：
（1）在選定加密晶元前，要充分調研，了解晶元破解技術的新進展，包括哪些單片機是已經確認可以破解的。盡量不選用已可破解或同系列、同型號的晶元選擇採用新工藝、新結構、上市時間較短的單片機，如可以使用ATMEGA88/ATMEGA88V，這種國內目前破解的費用一需要6K左右，另外目前相對難解密的有ST12系列，DSPPIC等；其他也可以和CPLD結合加密,這樣解密費用很高，解密一般的CPLD也要1萬左右。
（2）盡量不要選用MCS51系列單片機，因為該單片機在國內的普及程度最高，被研究得也最透。
（3）產品的原創者，一般具有產量大的特點，所以可選用比較生僻、偏冷門的單片機來加大仿冒者采購的難度，選用一些生僻的單片機，比如ATTINY2313,AT89C51RD2,AT89C51RC2，motorola單片機等比較難解密的晶元，目前國內會開發使用熟悉motorola單片機的人很少，所以破解的費用也相當高，從3000~3萬左右。
（4）在設計成本許可的條件下，應選用具有硬體自毀功能的智能卡晶元，以有效對付物理攻擊；另外程序設計的時候，加入時間到計時功能，比如使用到1年，自動停止所有功能的運行，這樣會增加破解者的成本。
（5）如果條件許可，可採用兩片不同型號單片機互為備份，相互驗證，從而增加破解成本。
（6）打磨掉晶元型號等信息或者重新印上其它的型號，以假亂真（注意，反面有LOGO的也要抹掉，很多晶元，解密者可以從反面判斷出型號，比如51,WINBOND,MDT等）。
（7）可以利用單片機未公開,未被利用的標志位或單元,作為軟體標志位。
（8）利用MCS-51中A5指令加密，其實世界上所有資料,包括英文資料都沒有講這條指令,其實這是很好的加密指令，A5功能是二位元組空操作指令加密方法在A5後加一個二位元組或三位元組操作碼,因為所有反匯編軟體都不會反匯編A5指令,造成正常程序反匯編亂套,執行程序無問題仿製者就不能改變你的源程序。
（9）你應在程序區寫上你的大名單位開發時間及仿製必究的說法,以備獲得法律保護；另外寫上你的大名的時候，可以是隨機的，也就是說，採用某種演算法，外部不同條件下，你的名字不同，比如wwwhusooncom1011、wwwhusooncn1012等，這樣比較難反匯編修改。
（10）採用高檔的編程器，燒斷內部的部分管腳，還可以採用自製的設備燒斷金線，這個目前國內幾乎不能解密，即使解密，也需要上萬的費用，需要多個母片。
（11）採用保密硅膠（環氧樹脂灌封膠）封住整個電路板，PCB上多一些沒有用途的焊盤，在硅膠中還可以摻雜一些沒有用途的元件，同時把MCU周圍電路的電子元件盡量抹掉型號。
（12）對SyncMos,Winbond單片機，將把要燒錄的文件轉成HEX文件,這樣燒錄到晶元內部的程序空位自動添00，如果你習慣BIN文件，也可以用編程器把空白區域中的FF改成00,這樣一般解密器也就找不到晶元中的空位,也就無法執行以後的解密操作。
當然，要想從根本上防止單片機被解密，那是不可能的，加密技術不斷發展，解密技術也不斷發展，現在不管哪個單片機，只要有人肯出錢去做，基本都可以做出來，只不過代價高低和周期長短的問題，編程者還可以從法律的途徑對自己的開發作出保護（比如專利）。剛好電腦上有這個文檔 希望能幫到你
Ⅸ 能不能把51單片機開發板上燒好程序的晶元取下來給別的用
這是經常採用的方法，利用開發板給單片機燒錄程序，燒錄完了拔下來把單片機晶元插到產品板子上，但這要求單片機是直插封裝的才行。你把晶元拔下來給別的板子用，要求燒錄的程序是按別的板子電路寫的，否則程序與別的板子電路不符，就不能正常工作的。
Ⅹ 封裝晶元，什麼是封裝晶元
封裝就是指把矽片上的電路管腳，用導線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部晶元與外部電路的連接。我們一般說的封裝晶元也可以指這個藝過程。