二極體的命令和方法

㈠ 什麼叫做命令濾波啊有誰知道不

命令濾波是一種單位元組指令，它可以啟動內部序列。只要寫一下對應的寄存器的地址，不用寫數據，它就在內部自動執行相應的命令，如重啟晶元、設置發送模式等。

命令濾波寄存器的訪問和一個寄存器的寫操作一樣，但沒有數據被傳輸。就是說，只有R/W位（置為0），突發訪問（置為0）和六個地址位（0x30和0x3D之間）被寫。一個命令濾波可能在任何其他SPI訪問之後，而不需要將CSn拉至高電平。命令濾波立即被執行，當CSn高時SPWD和SXOFF濾波是例外。

下表是14個命令濾波寄存器：

最近在做相關畢業設計，希望對你有幫助！

㈡ 二極體採用共陽極連接,要使二極體全亮,單片機應該輸出什麼信號寫出對應的指令

共陽，也就是發光二極體的正極全部接在同一個5V電源中，如果單片機的IO口，輸出高電平，也就是1,相當於5V，發光二極體兩端會由於沒有壓差，不會發光，但如果輸出低電平，也就是0,相當於0~1V，有了壓差，電流才會流動，發光二極體才會發光！

先匯編吧；

ORG
00H

SJMP
START

START:MOV
A,#00H

MOV
P1,A

JMP
START

再到C語言：

#include<reg51.h>

void
main()

{

while(1)

{

P1=0x00;

}

}

㈢ 如何用萬用表測量二極體

萬用表有專門的二極體測量檔，將萬用表表盤撥到二極體檔，紅表筆接正極、黑表筆接負極時，萬用表讀數一般為0.5~0.8左右，反接時（紅表筆接負極，黑表筆接正極），萬用表讀數為0L，若萬用表測得該二極體正反向讀數均為0.00或0L，說明該二極體已經損壞。

將萬用表置於R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極體的兩個電極，測出一個結果後對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中黑表筆接的是二極體的正極，紅表筆接的是二極體的負極。

萬用表使用注意事項

當不清楚被測電壓或電流值的大小時，應先用最高擋，然後再根據測量的結果選擇合適的擋位，以免表針偏轉過大將表針打彎或損壞表頭。不過，所選用的擋位越接近被測值，測量的數值就越准確。

測量直流電壓和直流電流時，注意正、負極，不要接錯。發現表針反轉，應立即調換表筆，以免損壞表針、表頭等。

以上內容參考網路-萬用表、網路-二極體

㈣ 二極體的命名和標示方法

中國三極體型號命名方法
中國半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體
3-三極體
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：
A-N型鍺材料
B-P型鍺材料
C-N型硅材料
D-P型硅材料
表示三極體時：
A-PNP型鍺材料、
B-NPN型鍺材料、
C-PNP型硅材料、
D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、
V-微波管
W-穩壓管
C-參量管
Z-整流管
L-整流堆
S-隧道管
N-阻尼管
U-光電器件
K-開關管
X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)
G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)
D -低頻大功率管（f1W)
A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)
T-半導體晶閘管（可控整流器）
Y-體效應器件
B-雪崩管
J-階躍恢復管
CS-場效應管
BT-半導體特殊器件
FH-復合管
PIN-PIN型管
JG-激光器件。
第四部分：用數字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極體
美國三極體型號命名方法
美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：
1.第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級
JANTX-特軍級
JANTXV-超特軍級
JANS-宇航級
（無）-非軍用品。
2.第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極體
2-三極體
3-三個pn結器件
n-依次類推
3.第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。
4.第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。
5.第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極體，JAN-軍級、2-三極體、N-EIA注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。
日本三極體型號命名方法
日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
1.第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極體三極體及上述器件的組合管、
1-二極
2-三極或具有兩個pn結的其他器件、
3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件
2.第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
3.第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管
B-PNP型低頻管
C-NPN型高頻管
D-NPN型低頻管
F-P控制極可控硅
G-N控制極可控硅
H-N基極單結晶體管
J-P溝道場效應管
K-N溝道場效應管
M-雙向可控硅
4.第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從「11」開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產品。
5.第五部分：用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。
歐洲三極體型號命名方法
歐洲有些國家，如德國、荷蘭採用如下命名方法。
1.第一部分O-表示半導體器件
2.第二部分A-二極體
C-三極體
AP-光電二極體
CP-光電三極體
AZ-穩壓管
RP-光電器件
3.第三部分：多位數字-表示器件的登記序號4.第四部分A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產品。
國際三極體型號命名方法
德國、法國、義大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都採用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
1.第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅
C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化鎵
D-器件使用材料的Eg<0.6eV如銻化銦
E-器件使用復合材料及光電池使用的材料
2.第二部分：用字母表示器件的類型及主要特徵。A-檢波開關混頻二極體
B-變容二極體
C-低頻小功率三極體
D-低頻大功率三極體
E-隧道二極體
F-高頻小功率三極體
G-復合器件及其他器件
H-磁敏二極體
K-開放磁路中的霍爾元件
L-高頻大功率三極體
M-封閉磁路中的霍爾元件
P-光敏器件
Q-發光器件
R-小功率晶閘管
S-小功率開關管
T-大功率晶閘管
U-大功率開關管
X-倍增二極體
Y-整流二極體
Z-穩壓二極體
3.第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。
4.第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。
除四個基本部分外，有時還加後綴，以區別特性或進一步分類。常見後綴如下：
1、穩壓二極體型號的後綴。其後綴的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其後綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；後綴的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之後的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。
2、整流二極體後綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的後綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極體，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極體。

㈤ 二極體檢驗方法

普通二極體的檢測 （包括檢波二極體、整流二極體、阻尼二極體、開關二極體、續流二極體）是由一個PN結構成的半導體器件，具有單向導電特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極體的電極，還可估測出二極體是否損壞。
1．極性的判別 將萬用表置於R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極體的兩個電極，測出一個結果後，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極體的正極，紅表筆接的是二極體的負極。
2．單負導電性能的檢測及好壞的判斷 通常，鍺材料二極體的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極體的電阻值為5 kΩ左右，反向電阻值為∞（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極體的單向導電特性越好。
若測得二極體的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極體內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極體的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極體已開路損壞。
3．反向擊穿電壓的檢測 二極體反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數測試表測量。其方法是：測量二極體時，應將測試表的「NPN/PNP」選擇鍵設置為NPN狀態，再將被測二極體的正極接測試表的「C」插孔內，負極插入測試表的「e」插孔，然後按下「V（BR）」鍵，測試表即可指示出二極體的反向擊穿電壓值。