sdram激活命令時間間隔

㈠ 換了條頻率比原來高的內存後需不需要怎麼去設置一下才能用呢原來的不用了。怎麼設置，能說詳細點嗎

.......你分真多,這種小問題100分浪費了.

直接用就可以了,不用設置.

看你分這么多,多說一點吧

內存參數規格：
內存的時序參數一般簡寫為2/2/2/6-11/1T的格式，分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最後兩個時序參數，也就是tRAS和CMD(Command縮寫)，是其中較復雜的時序參數。目前市場上對這兩個參數的認識有一些錯誤，因為部分內存廠商直接用它們來代表內存性能。
CMD Rate祥解：
Command Rate譯為"首命令延遲",這個參數的含義是片選後多少時間可以發出具體的定址的行激活命令，單位是時鍾周期。片選是指對行物理Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行）。如果系統指使用一條單面內存，那就不存在片選的問題了，因為此時只有一個物理Bank。
用更通俗的說法，CMD Rate是一種晶元組意義上的延遲，它並不全由內存決定，是由晶元組把虛擬地址解釋為物理地址。不難估計，高密度大容量的系統內存的物理地址范圍更大，其CMD延遲肯定比只有單條內存的系統大，即使是雙面單條。
Intel對CMD這個問題就非常敏感，因此部分晶元組的內存通道被限制到四個Bank。這樣就可以比較放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用戶最多能安裝多少容量的內存。
宣揚CMD Rate可以設為1T實際上多少也算是一種誤導性廣告，因為所有的無緩沖（unbuffered）內存都應具有1T的CMD Rate，最多支持四個Bank每條內存通道，當然也不排除晶元組的局限性。
tRAS：
tRAS在內存規范的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求後到初始化RAS（行地址選通脈沖）真正開始接受數據的間隔時間。這個參數看上去似乎很重要，其實不然。內存訪問是一個動態的過程，有時內存非常繁忙，但也有相對空閑的時候，雖然內存訪問是連續不斷的。tRAS命令是訪問新數據的過程(例如打開一個新的程序)，但發生的不多。
接下來幾個內存時序參數分別為CAS延遲，tRCD,以及tRP，這些參數又是如何影響系統性能的呢？
CAS:
CAS意為列地址選通脈沖(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制著從收到命令到執行命令的間隔時間，通常為2，2.5,3這個幾個時鍾周期。在整個內存矩陣中，因為CAS按列地址管理物理地址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。過程是這樣的，在內存陣列中分為行和列，當命令請求到達內存後，首先被觸發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，數據被請求後需預先充電，一旦tRAS被激活後，RAS才開始在一半的物理地址中定址，行被選定後，tRCD初始化，最後才通過CAS找到精確的地址。整個過程也就是先行定址再列定址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。因為CAS是定址的最後一個步驟，所以在內存參數中它是最重要的。
tRCD:
根據標准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲)，對應於CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內存定址。RAS(數據請求後首先被激發)和CAS(RAS完成後被激發)並不是連續的，存在著延遲。然而，這個參數對系統性能的影響並不大，因為程序存儲數據到內存中是一個持續的過程。在同個程序中一般都會在同一行中定址，這種情況下就不存在行定址到列定址的延遲了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行預充電時間。也就是內存從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS, 然後 RAS, tRCD, 和CAS之後，需要結束當前的狀態然後重新開始新的循環，再從tRAS開始。這也是內存工作最基本的原理。如果你從事的任務需要大量的數據變化，例如視頻渲染，此時一個程序就需要使用很多的行來存儲，tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度越快。
總結：
或許你看完以上論述後還是有一些不解，其實大家也沒必要對整個內存定址機制了解的非常透徹，這個並不影響你選擇什麼規格的內存，以及如何最大程度上在BIOS中優化你的內存參數。最基本的，你應該知道，系統至少需要搭配滿足CPU帶寬的內存，然後CAS延遲越低越好。

因為不同頻率的內存的價格相差並不是很大，除了那些發燒級產品。從長遠的目光來考慮，我們建議大家盡量購買高頻率的內存產品。這樣或許你將來升級CPU時可以節省一筆內存費用，高頻率的內存都是向下兼容的。例如如果購買了PC3200 400MHz的內存，標明的CAS延遲是2.5。如果你實際使用時把頻率降到333MHz，通常情況下CAS延遲可以達到2。
一般而言,想要保持內存在一個高參數,如果不行可以採取降低頻率的方法。但對處理器超頻時，都會要求較高的匯流排速度，此時的瓶頸就在內存系統上，一般只有靠犧牲高參數來保持內存頻率和CPU的外頻同步。這樣可以得到更大的內存帶寬，在處理大量數據時就能明顯的從中獲益，例如資料庫操作，Photoshop等。
另外一點值得注意的是，PC3200或PC3500規格的內存，如果CAS延遲可以設為2，也能在一定程度上彌補內存帶寬。因為此時CPU和內存交換數據時間隔的時間大大減少了。如果用戶經常使用的程序並不需要大的帶寬，低CAS延遲也會帶來顯著的性能提升，例如一些小型游戲和3D應用程序。
總而言之，一條參數為2-2-2-5的內存絕對比3-4-4-8的內存優秀很多，匯流排速度越高，這種情況就越明顯。

這些對你有幫助.

㈡ 什麼是EDO和SDRAM

EDO內存EDO是Extended Data Out（擴展數據輸出）的簡稱，它取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鍾脈沖周期傳輸一次數據，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30％，達到60ns。EDO內存主要用於72線的SIMM內存條，以及採用EDO內存晶元的PCI顯示卡。這種內存流行在486以及早期的奔騰計算機系統中，它有72線和168線之分，採用5V工作電壓，帶寬32 bit，必須兩條或四條成對使用，可用於英特爾430FX/430VX甚至430TX晶元組主板上。目前也已經被淘汰，只能在某些老爺機上見到。 SDRAM SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要同步時鍾，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫。
SDRAM從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(顯卡上的DDR已經發展到DDR5)
第一代與第二代SDRAM均採用單端（Single-Ended）時鍾信號,第三代與第四代由於工作頻率比較快，所以採用可降低干擾的差分時鍾信號作為同步時鍾。
SDR SDRAM的時鍾頻率就是數據存儲的頻率，第一代內存用時鍾頻率命名，如pc100，pc133則表明時鍾信號為100或133MHz，數據讀寫速率也為100或133MHz。
之後的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內存則採用數據讀寫速率作為命名標准，並且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。
DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1600。
很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，並且作為名詞解釋，皆屬誤導。
SDR不等於SDRAM。
Pin:模組或晶元與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的「金手指」。
SIMM：Single In-line Memory Mole,單列內存模組。內存模組就是我們常說的內存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的介面只有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。
DIMM：Double In-line Memory Mole，雙列內存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的介面有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。
RIMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線內存模塊，這種內存槽只能插DDR或Rambus內存。
SO-DIMM:筆記本常用的內存模組。
工作電壓：
SDR：3.3V
DDR：2.5V
DDR2：1.8V
DDR3：1.5V
SDRAM內存條的金手指通常是168線，而DDR SDRAM內存條的金手指通常是184線的。
幾代產品金手指的缺口數及缺口位置也不同有效防止反插與錯插，SDRAM有兩個缺口，DDR只有一個缺口。
SDRAM的結構、時序與性能的關系
一、影響性能的主要時序參數
所謂的影響性能是並不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定後，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內存的工作周期內，不可能總處於數據傳輸的狀態，因為要有命令、定址等必要的過程。但這些操作佔用的時間越短，內存工作的效率越高，性能也就越好。
非數據傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數對內存的性能影響至關重要，它們是tRCD、CL和tRP。每條正規的內存模組都會在標識上註明這三個參數值，可見它們對性能的敏感性。
以內存最主要的操作——讀取為例。tRCD決定了行定址（有效）至列定址（讀/寫命令）之間的間隔，CL決定了列定址到數據進行真正被讀取所花費的時間，tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉換的速度。現在可以想像一下讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮CL即可）：
1、要定址的行與L-Bank是空閑的。也就是說該L-Bank的所有行是關閉的，此時可直接發送行有效命令，數據讀取前的總耗時為tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中（PH，Page Hit）。
2、要定址的行正好是前一個操作的工作行，也就是說要定址的行已經處於選通有效狀態，此時可直接發送列定址命令，數據讀取前的總耗時僅為CL，這就是所謂的背靠背（Back to Back）定址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。
3、要定址的行所在的L-Bank中已經有一個行處於活動狀態（未關閉），這種現象就被稱作定址沖突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行發送行有效命令。結果，總耗時就是tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失（PM，Page Miss）。
顯然，PFH是最理想的定址情況，PM則是最糟糕的定址情況。上述三種情況發生的機率各自簡稱為PHR——PH Rate、PFDR——PFH Rate、PMR——PM Rate。因此，系統設計人員（包括內存與北橋晶元）都盡量想提高PHR與PFHR，同時減少PMR，以達到提高內存工作效率的目的。
二、增加PHR的方法
顯然，這與預充電管理策略有著直接的關系，目前有兩種方法來盡量提高PHR。自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之後進行預充電，從而減少了日後對同一L-Bank不同行定址時發生沖突的可能性。但是，如果要在當前行工作完成後馬上打開同一L-Bank的另一行工作時，仍然存在tRP的延遲。怎麼辦？ 此時就需要L-Bank交錯預充電了。
VIA的4路交錯式內存控制就是在一個L-Bank工作時，對下一個要工作的L-Bank進行預充電。這樣，預充電與數據的傳輸交錯執行，當訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進入行有效狀態了。目前VIA聲稱可以跨P-Bank進行16路內存交錯，並以LRU演算法進行預充電管理。
有關L-Bank交錯預充電（存取）的具體執行在本刊2001年第2期已有詳細介紹，這里就不再重復了。
L-Bank交錯自動預充電/讀取時序圖（可點擊放大）：L-Bank 0與L-Bank 3實現了無間隔交錯讀取，避免了tRP對性能的影響 三、增加PFHR的方法
無論是自動預充電還是交錯工作的方法都無法消除tRCD所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進行預充電前盡可能多的接收多個工作命令，以達到背靠背的效果，此時就只剩下CL所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。
如何做到這一點呢？這就是北橋晶元的責任了。在上文的時序圖中有一個參數tRAS（Active to Precharge Command，行有效至預充電命令間隔周期）。它有一個范圍，對於PC133標准，一般是預充電命令至少要在行有效命令5個時鍾周期之後發出，最長間隔視晶元而異（基本在120000ns左右），否則工作行的數據將有丟失的危險。那麼這也就意味著一個工作行從有效（選通）開始，可以有120000ns的持續工作時間而不用進行預充電。顯然，只要北橋晶元不發出預充電（包括允許自動預充電）的命令，行打開的狀態就會一直保持。在此期間的對該行的任何讀寫操作也就不會有tRCD的延遲。可見，如果北橋晶元在能同時打開的行（頁）越多，那麼PFHR也就越大。需要強調的是，這里的同時打開不是指對多行同時定址（那是不可能的），而是指多行同時處於選通狀態。我們可以看到一些SDRAM晶元組的資料中會指出可以同時打開多少個頁的指標，這可以說是決定其內存性能的一個重要因素。
Intel 845晶元組MCH的資料：其中表明它可以支持24個頁面同時處於打開狀態
但是，可同時打開的頁數也是有限制的。從SDRAM的定址原理講，同一L-Bank中不可能有兩個打開的行（S-AMP只能為一行服務），這就限制了可同時打開的頁面總數。以SDRAM有4個L-Bank，北橋最多支持8個P-Bank為例，理論上最多隻能有32個頁面能同時處於打開的狀態。而如果只有一個P-Bank，那麼就只剩下4個頁面，因為有幾個L-Bank才能有同時打開幾個行而互不幹擾。Intel 845的MHC雖然可以支持24個打開的頁面，那也是指6個P-Bank的情況下（845MCH只支持6個P-Bank）。可見845已經將同時打開頁數發揮到了極致。
不過，同時打開頁數多了，也對存取策略提出了一定的要求。理論上，要盡量多地使用已打開的頁來保證最短的延遲周期，只有在數據不存在（讀取時）或頁存滿了（寫入時）再考慮打開新的指定頁，這也就是變向的連續讀/寫。而打開新頁時就必須要關閉一個打開的頁，如果此時打開的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話，就需要一個替換策略，一般都是用LRU演算法來進行，這與VIA的交錯控制大同小異。

㈢ 內存時序問題（超頻）

與傳統的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：雙倍速率SDRAM），最重要的改變是在界面數據傳輸上，其在時鍾信號上升緣與下降緣時各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速率為傳統SDRAM的兩倍。同樣地，對於其標稱的如DDR400，DDR333，DDR266數值，代表其工作頻率其實僅為那些數值的一半，也就是說DDR400工作頻率為200MHz。

FSB與內存頻率的關系

首先請大家看看FSB(Front Side Bus：前端匯流排)和內存比率與內存實際運行頻率的關系。

FSB/MEM比率 實際運行頻率
1/1 200MHz
1/2 100MHz
2/3 133MHz
3/4 150MHz
3/05 120MHz
5/6 166MHz
7/10 140MHz
9/10 180MHz

對於大多數玩家來說，FSB和內存同步，即1:1是使性能最佳的選擇。而其他的設置都是非同步的。同步後，內存的實際運行頻率是FSBx2，所以，DDR400的內存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB為240MHz，則同步後，內存的實際運行頻率為240MHz x 2 = 480MHz。

FSB與不同速度的DDR內存之間正確的設置關系

強烈建議採用1：1的FSB與內存同步的設置，這樣可以完全發揮內存帶寬的優勢。

內存時序設置
內存參數的設置正確與否，將極大地影響系統的整體性能。下面我們將針對內存關於時序設置參數逐一解釋，以求能讓大家在內存參數設置中能有清晰的思路，提高電腦系統的性能。

涉及到的參數分別為：

CPC : Command Per Clock
tCL : CAS Latency Control
tRCD : RAS to CAS Delay
tRAS : Min RAS Active Timing
tRP : Row Precharge Timing
tRC : Row Cycle Time
tRFC : Row Refresh Cycle Time
tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
tWR : Write Recovery Time
……及其他參數的設置

CPC : Command Per Clock
可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的定址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然後才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行激活命令，單位是時鍾周期。

顯然，CPC越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制晶元組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。

該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。

tCL : CAS Latency Control(tCL)
可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我們在查閱內存的時序參數時，如「3-4-4-8」這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是「CL-tRCD-tRP-tRAS」。這個3就是第1個參數，即CL參數。

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是「內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間」。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。

內存是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電後，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活後，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要數據的定址。首先是行地址，然後初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最後一個步驟，也是內存參數中最重要的。

這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令後要等待多少個時鍾周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鍾周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。

該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6晶元可能無法設為3。

tRCD : RAS to CAS Delay
可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是「3-4-4-8」內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鍾周期。在JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時，系統將處於最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。

如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。

tRAS : Min RAS Active Timing
可選的設置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

該值就是該值就是「3-4-4-8」內存時序參數中的最後一個參數，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示「內存行有效至預充電的最短周期」，調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－10之間。這個參數要根據實際情況而定，並不是說越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太長，系統會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發傳輸，這樣會引發丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鍾周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鍾周期。為提高系統性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發生內存錯誤或系統死機，則應該增大tRAS的值。

tRP : Row Precharge Timing(tRP)
可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是「3-4-4-8」內存時序參數中的第3個參數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。

tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，內存控制器不能順利地完成讀寫操作。對於桌面計算機來說，推薦預充電參數的值設定為2個時鍾周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鍾周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鍾周期。

一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數。

tRC : Row Cycle Time(tRC)
可選的設置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示「SDRAM行周期時間」，它是包括行單元預充電到激活在內的整個過程所需要的最小的時鍾周期數。其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設置該參數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鍾周期後激活新的地址而等待無謂的延時，而降低性能。然後一旦該值設置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會導致數據丟失和損壞。

因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設置，如果你的內存模塊的tRAS值是7個時鍾周期，而tRP的值為4個時鍾周期，則理想的tRC的值應當設置為11個時鍾周期。

tRFC : Row Refresh Cycle Time
可選的設置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示「SDRAM行刷新周期時間」，它是行單元刷新所需要的時鍾周期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次發送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設置，17-19是內存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鍾周期。

tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
可選的設置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。

Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。

延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由於需要一定量的數據，太短的延遲會引起連續數據膨脹。於桌面計算機來說，推薦tRRD值設定為2個時鍾周期，這是最佳的設置，此時的數據膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鍾周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鍾周期。

tWR : Write Recovery Time
可選的設置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示「寫恢復延時」。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鍾周期。這段必須的時鍾周期用來確保在預充電發生前，寫緩沖中的數據可以被寫進內存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致數據還未被正確寫入到內存單元中，就發生了預充電操作，會導致數據的丟失及損壞。

如果你使用的是DDR200和266的內存，建議將tWR值設為2；如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設為3。

tWTR : Write to Read Delay
可選的設置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示「讀到寫延時」。三星公司稱其為「TCDLR (last data in to read command)」，即最後的數據進入讀指令。它設定向DDR內存模塊中的同一個單元中，在最後一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鍾周期。

tWTR值為2在高時鍾頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統穩定性。這種情況下，也使得內存晶元運行於高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內容模塊運行於比其默認速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設為1，如果系統不穩定，則改為2。

tREF : Refresh Period
可選的設置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示「刷新周期」。它指內存模塊的刷新周期。

先請看不同的參數在相同的內存下所對應的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應的准確數據。

1552= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2592= 166mhz(?.??s)
3120= 200mhz(?.??s)
---------------------
3632= 100mhz(?.??s)
4128= 133mhz(?.??s)
4672= 166mhz(?.??s)
0064= 200mhz(?.??s)
---------------------
0776= 100mhz(?.??s)
1032= 133mhz(?.??s)
1296= 166mhz(?.??s)
1560= 200mhz(?.??s)
---------------------
1816= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2336= 166mhz(?.??s)
0032= 200mhz(?.??s)
---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)

如果採用Auto選項，主板BIOS將會查詢內存上的一個很小的、名為「SPD」(Serial Presence Detect )的晶元。SPD存儲了內存條的各種相關工作參數等信息，系統會自動根據SPD中的數據中最保守的設置來確定內存的運行參數。如過要追求最優的性能，則需手動設置刷新周期的參數。一般說來，15.6us適用於基於128兆位內存晶元的內存（即單顆容量為16MB的內存），而7.8us適用於基於256兆位內存晶元的內存（即單顆容量為32MB的內存）。注意，如果tREF刷新周期設置不當，將會導致內存單元丟失其數據。

另外根據其他的資料顯示，內存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導致數據的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是bit。陣列中的每個bit都能被隨機地訪問。但如果不充電，數據只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數據就被重寫一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內存每刷新一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。

tREF和tRAS一樣，不是一個精確的數值。通常15.6us和3.9us都能穩定運行，1.95us會降低內存帶寬。很多玩家發現，如果內存質量優良，當tREF刷新周期設置為3120=200mhz(?.??s)時，會得到最佳的性能／穩定性比。

tWCL : Write CAS Latency
可選的設置：Auto，1-8

Write CAS Latency (tWCL)，表示「寫指令到行地址控制器延時」。SDRAM內存是隨機訪問的，這意味著內存控制器可以把數據寫入任意的物理地址，大多數情況下，數據通常寫入距離當前列地址最近的頁面。tWCL表示寫入的延遲，除了DDRII，一般可以設為1T，這個參數和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相對的，tCL表示讀的延遲。

DRAM Bank Interleave
可選的設置：Enable， Disable

DRAM Bank Interleave，表示「DRAM Bank交錯」。這個設置用來控制是否啟用內存交錯式(interleave)模式。Interleave模式允許內存bank改變刷新和訪問周期。一個bank在刷新的同時另一個bank可能正在訪問。最近的實驗表明，由於所有的內存bank的刷新周期都是交叉排列的，這樣會產生一種流水線效應。

雖然interleave模式只有在不同bank提出連續的的定址請求時才會起作用，如果處於同一bank，數據處理時和不開啟interleave一樣。CPU必須等待第一個數據處理結束和內存bank的刷新，這樣才能發送另一個地址。目前所有的內存都支持interleave模式，在可能的情況下我們建議打開此項功能。

Disable對將減少內存的帶寬，但使系統更加穩定。

DQS Skew Control
可選的設置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew

DQS Skew Control，表示「DQS時間差控制」。穩定的電壓可以使內存達到更高的頻率，電壓浮動會引起較大的時間差（skew），加強控制力可以減少skew，但相應的DQS（數據控制信號）上升和下降的邊緣會出現電壓過高或過低。一個額外的問題是高頻信號會引起追蹤延遲。DDR內存的解決方法是通過簡單數據選通脈沖來增加時鍾推進。

DDRII引進了更先進的技術：雙向的微分I/O緩存器來組成DQS。微分表示用一個簡單脈沖信號和一個參考點來測量信號，而並非信號之間相互比較。理論上提升和下降信號應該是完全對成的，但事實並非如此。時鍾和數據的失諧就產生了DQ-DQS skew。

同樣地，設置為Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在犧牲一定性能的情況下，可以增加穩定性。

DQS Skew Value
可選的設置：Auto，0-255，步進值為1。

當我們開啟了DQS skew control後，該選項用來設定增加或減少的數值。值越大，表示速度越快。

DRAM Drive Strength
可選的設置：Auto，1-8，步進值為1。

DRAM Drive Strength（也被稱為：driving strength），表示「DRAM驅動強度」。這個參數用來控制內存數據匯流排的信號強度，數值越高代表信號強度越高，增加信號強度可以提高超頻的穩定性。但是並非信號強度高就一定好，三星的TCCD內存晶元在低強度信號下性能更佳。

如果設為Auto，系統通常會設定為一個較低的值。對使用TCCD的晶元而言，表現會好一些。但是其他的內存晶元就並非如此了，一般說來，1、3、5 、7都是性能較弱的參數，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的設置，8提供了最強的信號強度。TCCD建議參數為3、5或7，其他晶元的內存建議設為6或8。

DRAM Data Drive Strength
可選的設置：Auto，1-4，步進值為1。

DRAM Data Drive Strength表示「DRAM數據驅動強度」。這個參數決定內存數據匯流排的信號強度，數值越高代表信號強度越高。它主要用於處理高負荷的內存讀取時，增加DRAM的駕馭能力。因此，如果你的系統內存的讀取負荷很高，則應將該值設置為高(Hi/High)。它有助於對內存數據匯流排超頻。但如果你並沒有超頻，提升內存數據線的信號強度，可以提高超頻後速度的穩定性。此外，提升內存數據匯流排的信號強度並不能增強SDRAM DIMM的性能。因此，除非你內存有很高的讀取負荷或試圖超頻DIMM，建議設置DRAM Data Drive Strength的值為低(Lo/Low)。

要處理大負荷的數據流時，需要提高內存的駕馭能力，你可以設為Hi或者High。超頻時，調高此項參數可以提高穩定性。此外，這個參數對內存性能幾乎沒什麼影響。所以，除非超頻，一般用戶建議設為Lo/Low。

Idle Cycle Limit
可選的設置：Auto，0-256，無固定步進值。

Idle Cycle Limit這個參數表示「空閑周期限制」。這個參數指定強制關閉一個也打開的內存頁面之前的memclock數值，也就是讀取一個內存頁面之前，強制對該頁面進行重充電操作所允許的最大時間。

BIOS中的該值設置為Auto時，實際上此時執行的是默認值256。質量好的內存可以嘗試16-32。Idle Cycle Limit值越低越好。

Dynamic Counter
可選的設置：Auto， Enable， Disable。

Dynamic Counter這個參數表示「動態計數器」。這個參數指定開啟還是關閉動態空閑周期計數器。如果選擇開啟（Enable），則會每次進入內存頁表(Page Table)就強制根據頁面沖突和頁面錯誤(conflict/page miss：PC/PM)之間通信量的比率而動態調整Idle Cycle Limit的值。這個參數和前一個Idle Cycle Limit是密切相關的，啟用後會屏蔽掉當前的Idle Cycle Limit，並且根據沖突的發生來動態調節。

BIOS中的該值設置為Auto和關閉和一樣的。打開該設置可能會提升性能，而關閉該設置，可以使系統的更穩定。

R/W Queue Bypass
可選的設置：Auto，2x，4x，8x，16x。

R/W Queue Bypass表示「讀／寫隊列忽略」。這個參數指定在優化器被重寫及DCI (設備控制介面：Device Control Interface)最後一次的操作被選定前，忽略操作DCI的讀/寫隊列的時間。這個參數和前一個Idle Cycle Limit是相類似，只是優化器影響內存中的讀／寫隊列。

Bypass Max
可選的設置：Auto， 0x-7x， 步進值為1。

Bypass Max表示「最大忽略時間」。這個參數表示優化器選擇否決之前，最後進入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被優化器忽略的時間。

BIOS中的該值默認為7x。建議4x或7x，兩者都提供了很好的性能及穩定性。如果你的系統穩定，則保留該值。但如果不穩定，或者要超頻，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。該值越大，則說明系統性能越強，該值越小，則會是系統越穩定。

32 Byte Granulation
可選的設置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。

32 Byte Granulation表示"32位顆粒化"。當該參數設置為關閉(Disable)時，就可以選擇突發計數器，並在32位的數據存取的情況下，最優化數據匯流排帶寬。因此該參數關閉後可以達到最佳性能的目的。

絕大多數情況下，建議選擇Disable(8burst)選項。開啟Enable (4burst)可以使系統更穩定一些

㈣ SDRAM DDR DDR2的詳細性能指標

DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。

此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

DDR2與DDR的區別：

1、延遲問題：

從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。

這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。

2、封裝和發熱量：

DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。

DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。

DDR2採用的新技術：

除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。

ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。

Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。

採用雙通道運行，速度是DDR的2倍。

總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。

㈤ 什麼是CPU的時序

CPU的時序是指CPU中的一個時序信號產生器。計算機一旦被啟動，在時鍾脈沖的作用下，CPU開始取指令並執行指令，操作控制器就利用定時脈沖的順序和不同的脈沖間隔，有條理、有節奏地指揮機器各個部件按規定時間動作，規定在這個脈沖到來時做什麼，在那個脈沖到來時又做什麼，給計算機各部分提供工作所需的時間標志。為此，需要採用多級時序體制。

(5)sdram激活命令時間間隔擴展閱讀：

CPU時序的工作原理

當CPU從內存讀取一個32或64位的數（指令或者數據），要求32位同時讀入，不能有先後順序。所以僅僅靠簡單的邏輯運算是做不到的。所謂的「同時讀32個bit」，就需要有同一個時鍾控制，在同一個上升沿或下降沿去讀取，然後到下一個上升沿或下降沿前什麼都不做，但是能保持住讀進來的數值。

做加法的時候，就同時把2個值放到邏輯計算面前，邏輯電路則可以在電平的下一個上升沿或下降沿去做加法（或者讀在上升沿，加法在下降沿）。

數值的上升沿讀入，其他時間保持，就是寄存器。因為有了寄存器，保證了邏輯運算的時候，輸入的1和0是穩定的，不是變化的。這就是時鍾的基本作用。如果沒有時鍾，可能32位讀入有時間順序的差異，哪怕是納秒的差異，也會讓結果不穩定，不可預期。

如果有復雜的計算，可能需要多次讀入（例如計算2個64位整數的加法），讀入指令一次，讀入A一次，讀入B一次，相加輸出再一次。每一次就是一個時鍾的上升沿或下降沿操作。

㈥ BIOS設置詳解

BIOS 設置詳解
AWARD BIOS
AWARD BIOS是目前應用最為廣泛的一種BIOS。本文將詳細介紹一下AWARD BIOS中的有關設置選項的含義和設置方法，在AWARD BIOS的主菜單中主要有以下幾個菜單項：
Standard CMOS Setup（標准CMOS設定）：
這個選項可以設置系統日期、時間、IDE設備、軟碟機A與B、顯示系統的類型、錯誤處理方法等。
（1）在IDE設備設置中，用戶可以在Type（類型）和Mode（模式）項設為Auto，使每次啟動系統時BIOS自動檢測硬碟。也可以在主菜單中的IDE HDD Auto Detection操作來設置。用戶還可以使用User選項，手動設定硬碟的參數。必須輸入柱面數（Cyls），磁頭數（Heads），寫預補償（Precomp），磁頭著陸區（Landz），每柱面扇區數（Sectorxs），工作模式（Mode）等幾種參數。硬碟大小在上述參數設定後自動產生。
（2）顯示類型可選EGA/VGA（EGA、VGA、SEGA、SVGA、PGA顯示適配卡選用）、CGA40（CGA顯示卡，40列方式）、CGA80（CGA顯示卡，80列方式）、MONO（單色顯示方式，包括高解析度單顯卡）等四種，以現在我們使用的計算機來看，絕大多數都屬於EGA/VGA顯示類型。
（3）暫停的出錯狀態選項有：All Errors（BIOS檢測到任何錯誤，系統啟動均暫停並且給出出錯提示）、No Errors（BIOS檢測到任何錯誤都不使系統啟動暫停）、All But Keyboard（BIOS檢測到除了磁碟之外的錯誤後使系統啟動暫停，磁碟錯誤暫停）、All But Disk/Key（BIOS檢測到除了鍵盤或磁碟之外的錯誤後使系統啟動暫停。
BIOS Features Setup（BIOS功能設定）
該項用來設置系統配置選項清單，其中有些選項由主板本身設計確定，有些選項用戶可以進行修改設定，以改善系統的性能。常見選項說明如下：
（1）Virus Warning（病毒警告）：這項功能在外部數據寫入硬碟引導區或分配表的時候，會提出警告。為了避免系統沖突，一般將此功能關閉，置為Disable（關閉）。
（2）CPU Internal Cache（CPU Level 1 catch）：預設為Enable（開啟），它允許系統使用CPU內部的第一級Cache。486以上檔次的CPU內部一般都帶有Cache，除非當該項設為開啟時系統工作不正常，此項一般不要輕易改動。該項若置為Disable，將會嚴重影響系統的性能。
（3）External Cache（CPU Level 1 catch）：預設設為Enable，它用來控制主板上的第二級（L2）Cache。根據主板上是否帶有Cache，選擇該項的設置。
（4）BIOS Update：開啟此功能則允許BIOS升級，如關閉則無法寫入BIOS。
（5）Quick Power On Self Test：預設設置為Enable，該項主要功能為加速系統上電自測過程，它將跳過一些自測試。使引導過程加快。
（6）Hard Disk Boot From（HDD Sequence SCSI/IDE First）:選擇由主盤、從盤或SCSI硬碟啟動。
（7）Boot Sequence：選擇機器開電時的啟動順序。有些BIOS將SCSI硬碟也列在其中，此外比較新的主板還提供了LS 120和ZIP等設備的啟動支持，一般BIOS，都有以下四種啟動順序：C，A（系統將按硬碟，軟碟機順序尋找啟動盤）；A，C（系統將按軟碟機，硬碟順序尋找啟動盤）；CDROM，C，A（系統按CDROM，硬碟，軟碟機順序尋找啟動盤）；C，CDROM，A（系統按硬碟，CDROM，軟碟機順序尋找啟動盤）。
（8）Swap Floppy Drive:（交換軟盤驅動器）預設設定為Disable。當它Disable時，BIOS把軟碟機連線扭接端子所接的軟盤驅動器當作第一驅動器。當它開啟時，BIOS將把軟碟機連線對接端子所接的軟盤驅動器當作第一驅動器，即在DOS下A盤當作B盤用，B盤當作A盤用。
（9）Boot Up Floppy Seek：當Enable時，機器啟動時BIOS將對軟碟機進行尋道操作。
（10）Floppy Disk Access Contol：當該項選在R/W狀態時，軟碟機可以讀和寫，其它狀態只能讀。
（11）Boot Up Numlock Strtus:該選項用來設置小鍵盤的預設狀態。當設置為ON時，系統啟動後，小鍵盤的預設為數字狀態；設為OFF時，系統啟動後，小鍵盤的狀態為箭頭狀態。
（12）Boot Up System Speed：該選項用來確定系統啟動時的速度為HIGH還是LOW。
（13）Typematic Rate Setting:該項可選Enable和Disable。當置為Enable時，如果按下鍵盤上的某個鍵不放，機器按你重復按下該鍵對待；當置為Disable時，如果按下鍵盤上的某個鍵不放，機器按鍵入該鍵一次對待。
（14）Typematic Rate:如果Typematic Rate Setting選項置為Enable，那麼可以用此選項設定當你按下鍵盤上的某個鍵一秒鍾，那麼相當於按該鍵6次。該項可選6、8、10、12、15、20、24、30。
（15）Typematic Delay：如果Typematic Rate Setting選項置為Enable，那麼可以用此選項設定按下某一個鍵時，延遲多長時間後開始視為重復鍵入該鍵。該項可選250、500、750、1000，單位為毫秒。
（16）Security Option:選擇System時，每次開機啟動時都會提示你輸入密碼，選擇Setup時，僅在進入BIOS設置時會提示你輸入密碼。
（17）PS/2 Mouse Function Control：當該項設為Enable，機器提供對於PS/2類型滑鼠的支持，AUTO可以在系統啟動是自動偵測PS/2 Mouse，分配IRQ。
（18）Assign PCI IRQ For VGA:選Enable時，機器將自動設定PCI顯示卡的IRQ到系統的DRAM中，以提高顯示速度和改善系統的性能。
（19）PCI/VGA Palett Snoop：該項用來設置PCI/VGA卡能否與MPEG ISA/VESA VGA卡一起用。當PCI/VGA卡與MPEG ISA/VESA VGA卡一起用或使用其他非標准VGA時，該項應設為Enable。
（20）OS Select For DRAM>64MB：如果使用OS/2操作系統，使用64MB以上的內存。該項選為OS2。
（21）System BIOS Shadow:該選項的預設設置默認為Enable，當它開啟時，系統BIOS將拷貝到系統Dram中，以提高系統的運行速度和改善系統的性能。
（22）Video BIOS Shadow:預設設定為開啟（Enable），當它開啟時，顯示卡的BIOS將拷貝到系統DRAM中，以提高顯示速度和改善系統的性能。
（23）C8000－CBFFF Shadow/DFFFF Shadow:這些內存區域用來作為其他擴充卡的ROM映射區，一般都設定為禁止（Disable）。如果有某一擴充卡ROM需要映射，則用戶應搞清楚該ROM將映射地址和范圍，可以將上述的幾個內存區域都置為Enable;但這樣將造成內存空間的浪費。因為映射區的
地址空間將佔用系統的640K～1024K之間的某一段內存。
Chipset Features Setup（晶元組功能設定）
該項用來設置系統板上晶元的特性。常見選項如下：
（1）ISA Bus Clock frequency（PCICLK/4）ISA傳輸速率設定。設定值有：PCICLK/3；PCICLK/4。
（2）Auto Configuration（Enabled）自動狀態設定。
當設定為Enabled時BIOS依最佳狀況狀態設定，此時BIOS會自動設定DRAM Timing，所以會無法修改DRAM的細項時序，強烈建議選用Enabled，因為任意改變DRAM的時序可能造成系統不穩或不開機。
（3）Aggressive Mode（Disabled）高級模式設定。
若想獲得較好的效能時，而且系統在非常穩定狀態下，可以嘗試Enabled此項功能以增加系統效能，不過必須使用速度較快DRAM（60ns以下）。
Power Management Setup（節電功能設定）
該項為電源管理設定，用來控制主板上的「綠色」功能。該功能定時關閉視頻顯示和硬碟驅動器以實現節能的效果。
實現節電的模式有以下四種：
1.Doze模式，當設定時間一到，CPU時鍾變慢，其他設備照常運作；
2.Standby模式，當設定時間一到，硬碟和顯示將停止工作，其他設備照常運作；
3.Suspend模式，當設定時間一到，除CPU以外的所有設備都將停止工作；
4.HDD Power Down模式，當設定時間一到，硬碟停止工作，其他設備照常運作。
本菜單項下可供選擇的內容如下：
（1）Power Management節電模式的主控項，有四種設定：
Max Saving（最大節電）在一個較短的系統不活動的周期（Doze、Standby、Suspend、HDD Power Down四種模式的預設值均為1分鍾）以後，使系統進入節電模式，這種模式節電最大。
MIN Saving（最小節電）在一段較長的系統不活動的周期在這種情況下，（Doze，Standby，Suspend三種模式的預設值均為1小時，HDD Power Down模式的預設值為15分鍾）後，使系統進入節電模式。
Disable關閉節電功能，是預設設置。
User Defined（用戶定義）允許用戶根據自己的需要設定節電的模式。
（2）Video Off Method（視頻關閉）該選項可設為V/H Sync＋Blank、Dpms、Blank Screen三種。 V/H Sync＋Blank將關閉顯示卡水平與垂直同步信號的輸出埠，向視頻緩沖區寫入空白信號。 DPMS（顯示電源管理系統）設定允許BIOS在顯示卡有節電功能時，對顯示卡進行節能信息的初始化。只有顯示卡支持綠色功能時，用戶才能使用這些設定。如果沒有綠色功能，則應將該行設定為Blank Screen（關掉屏幕）。
Blank Screen（關掉屏幕）當管理關掉顯示器屏幕時，預設設定能通過關閉顯示器的垂直和水平掃描以節約更多的電能。沒有綠色功能的顯示器，預設設定只能關掉屏幕而不能終止CRT的掃描。
（3）PM Timers（電源管理記時器）下面的幾項分別表示對電源管理超時設置的控制。Doze，Stand By和Suspend Mode項設置分別為該種模式激活前的機器閑置時間，在MAX Saving模式，它每次在一分鍾後激活。在MIN Saving模式，它在一小時後激活。
（4）Power Down和Resume Events（進入節電模式和從節電狀態中喚醒的事件）。該項下面所列述的事件可以將硬碟設在最低耗電模式，工作、等待和懸掛系統等非活動模式中若有事件發生，如敲任何鍵或IRQ喚醒、滑鼠動作、MODEM振鈴時，系統自動從電源節電模式下恢復過來。
PNP/PCI Configuration Setup（即插即用與PCI狀態設定）
該菜單項用來設置即插即用設備和PCI設備的有關屬性。
（1）PNP OS Installed：如果軟體系統支持Plug&Play，如Win95，可以設置為YES。
（2）Resources Controlled By：AWARD BIOS支持「即插即用」功能，可以檢測到全部支持「即插即用」的設備，這種功能是為類似Win95操作系統所設計的，可以設置Auto（自動）或Manual（手動）。
（3）Resources Configuration Data：預設值是Disabled，如果選擇Enabled，每次開機時，Extend System Configuration Data（擴展系統設置數據）都會重新設置。
（4）IRQ3/4/5/7/9/10/11/12/14/15：在預設狀態下，除了IRQ3/4，所有的資源，都設計為被PCI設備佔用，如果某些ISA卡要佔用某資源可以手動設置。
Intergrated Peripherals Setup（外部設備設定）
該菜單項用來設置集成主板上的外部設備的屬性。
（1）IDE HDD Block Mode：如果選擇Enable，可以允許硬碟用快速塊模式（Fast Block Mode）來傳輸數據。
（2）IDE PIO Mode：這個設置取決於系統硬碟的速度，共有AUTO，0，1，2，3，4五個選項，Mode4硬碟傳輸速率大於是16.6MB/s，其它模式的小於這個速率。不要選擇超過硬碟速率的模式，這樣會丟失數據。
（3）IDE UMDA（Ultra DMA）Mode：Intel 430TX晶元提供了Ultra DMA Mode，它可以把傳輸速率提高到一個新的水準。
Load BIOS Defaults（裝入BIOS預設值）
主機板的CMOS中有一個出廠時設定的值。若CMOS內容被破壞，則要使用該項進行恢復。由於BIOS預設設定值可能關掉了所有用來提高系統的性能的參數，因此使用它容易找到主機板的安全值和除去主板的錯誤。該項設定隻影響BIOS和Chipset特性的選定項。不會影響標準的CMOS設定。移動游標到屏幕的該項然後按下Y或Enter鍵，屏幕顯示是否要裝入BIOS預設設定值，鍵入Y即裝入，鍵入N即不裝入。選擇完後，返回主菜單。
Supervisor Password And User Password Setup（超級用戶與普通用戶密碼設定）
User Passowrd Setting功能為設定密碼。如果要設定此密碼，首先應輸入當前密碼，確定密碼後按Y，屏幕自動回到主畫面。輸入User Passowrd可以使用系統，但不能修改CMOS的內容。輸入Supervisor Password可以輸入、修改CMOS BIOS的值，Supervisor Password是為了防止
他人擅自修改CMOS的內容而設置的。用戶如果使用IDE硬碟驅動器，該項功能可以自動讀出硬碟參數，並將它們自動記入標准CMOS設定中，它最多可以讀出四個IDE硬碟的參數。
以上介紹了Award BIOS Setup的常用選項的含義及設置辦法。更改設置後，選Save and Exit Setup項或按F10鍵保存，使所修改的內容生效。
AWARD BIOS是一種比較常用的BIOS，各主板製造商都其基礎根據主板特性上進行了調整。因而本文只介紹了AWARD BIOS的一些最普遍的設置，以供參考，讀者還應仔細閱讀隨主板附帶的說明書。
AMI BIOS
BIOS是英文Basic Input/Output System(基本輸入/輸出系統)的縮寫，其程序儲存在主板上的 EPROM或Flash ROM 內，作用是測試裝在主板上的部件能否正常工作，並提供驅動程序介面，設定系統相關配備的組態。當你的系統配件與原CMOS參數不符合時，或CMOS參數遺失時，或系統不穩定時，就需要進入BIOS設定程序，以重新配置正確的系統組態。
進入AMI BIOS設定程序
1. 打開系統電源或重新啟動系統，顯示器屏幕將出現自我測試的信息；
2. 當屏幕中間出現"Press to enter setup"提示時，按下 鍵，就可以進入BIOS設定程序。
3. 以方向鍵移動至你要修改的選項，按下鍵即可進入該選項的子畫面；
4. 使用 方向鍵及〈Enter〉鍵即可修改所選項目的值，也可用滑鼠（包括PS/2滑鼠）選擇BIOS選項並修改。
5. 任何時候按下鍵即可回到上一畫面；
6. 在主畫面下，按下鍵，選擇「Saving Changes And Exit"即可儲存你的新設定並重新啟動系統。選擇「Exit Without Saving"，則會忽略你的改變而跳出設定程序。
Standard Setup（標准設定）窗口
Date/Time: 顯示當前的日期/時間，可修改。
Floppy Drive A，B: 設定軟盤驅動器類型為None/720K/1.2M/1.44M/2.88M 。
Pri Master/Slave以及Sec Master/Slave: 此選項可設定:
HDD Type（硬碟類型）: Auto(自動檢測)、SCSI(SCSI HDD)、CD－ROM驅動器、Floptical(LS－120大容量軟碟機)或是Type 1～47等IDE設備。
LBA/Large: 硬碟LBA/Large 模式是否打開。目前540M以上的硬碟都要將此選項打開(On)，但在Novell Netware 3.xx或4.xx版等網路操作系統下要視情況將它關掉(Off)。
Block Mode: 將此選項設為On，有助於硬碟存取速度加快，但有些舊硬碟不支持此模式，必須將此選項設為Off。32 Bit Mode: 將此選項設為On，有助於在32位的操作系統（如WIN95/NT）下加快硬碟傳輸速度，有些舊硬碟不支持此模式，必須將此選項設為Off。
PIO Mode: 支持PIO Mode0～Mode5(DMA/33)。用BIOS程序自動檢查硬碟時，會自動設置硬碟的PIO Mode。
注意：當你在系統中接上一台IDE設備（如硬碟、光碟機等）時，最好進入BIOS，讓它自動檢測。如果使用的是抽屜式硬碟的話，可將Type設成Auto，或將Primary以及Secondary的Type都改成 Auto 即可。所謂Primary指的是第一IDE介面，對應於主板上的IDE0插口，Secondary指的是第二IDE介面，對應於主板上的IDE1插口。每個IDE介面可接Master/Slave（主/從）兩台IDE設備。
Advanced Setup（高級設定）窗口
1st/2rd/3rd/4th Boot Device: 開機啟動設備的順序，可選擇由IDE0～3、SCSI、光碟機、軟碟機、 Floptical (LS－120大容量軟碟機)或由Network(網路)開機。
S.M.A.R.T For HardDisk: 開啟（Enable）硬碟S.M.A.R.T 功能。如果硬碟支持，此功能可提供硬碟自我監控的功能。
Quick Boot: 開啟此功能後，可使開機速度加快。
Floppy Drive Swap: 若將此功能Enable，可使A驅與B驅互換。
PS/2 Mouse Support : 是否開啟PS/2滑鼠口，若設定為Enable，則開機時，將IRQ12保留給PS/2滑鼠使用，若設定為Disable，則IRQ12留給系統使用。
Password Check: 設定何時檢查Password(口令)，若設定成Setup時，每次進入BIOS設定時將會要求輸入口令，若設定成Always時，進入BIOS或系統開機時，都會要求輸入口令，但先決條件是必須先設定口令(Security窗口中的User選項)。
Primary Display: 設定顯示卡的種類。
Internal Cache: 是否開啟CPU內部高速緩存（L1 Cache），應設為Enable。
External Cache: 是否開啟主板上的高速緩存（L2 Cache），應設為Enable。
System BIOS Cacheable: 是否將系統BIOS程序復制到內存中，以加快BIOS 存取速度。
C000－DC00，16K Shadow: 此8項是將主內存的UpperMemory（上位內存區）開啟，將所有插卡上 ROM程序映射到內存中，以加快CPU對BIOS的執行效率。Disable:不開啟本功能；Enable:開啟，且可提供讀寫區段功能；Cached:開啟，但不提供讀寫功能。
Chipset Setup（晶元組設定）窗口
本功能中的選項有助於系統效率的提升，建議使用默認值。若將某些Chipset、DRAM/SDRAM或SRAM 部分的Timing值設得過快，可能會導致系統"死機"或運行不穩定，這時可試著將某些選項的速度值設定慢一點。
USB Function Enabled: 此選項可開啟USB介面的功能，如沒有USB設備，建議將此選項設為Disable， 否則會浪費一個IRQ資源。
DRAM Write Timing: 設定DRAM的寫入時序，建議值如下: 70ns DRAM: X－3－3－3； 60ns DRAM: X－2－2－2。
Page Mode DRAM Read Timing: 設定DRAM讀取時序，建議值如下 : 70ns DRAM: X－4－4－4； 60ns DRAM: X－3－3－3。
RAS Precharge Period: 設定DRAM/EDO RAM的Precharge（預充電）時間，建議設成4T。
RAS to CAS Delay Time: 設定DRAM中RAS到CAS延遲時間，建議設定成3T。
EDO DRAM Read Timing: 設定EDO DRAM讀取時序，建議值如下: 70ns DRAM : X－3－3－3； 60ns DRAM : X－2－2－2。
DRAM Speculative Read: 此選項是設定DRAM推測性的引導讀取時序，建議設定成Disable。
SDRAM CAS Latency: 設定SDRAM的CAS信號延遲時序，建議設定值如下 :
15ns(66MHz)/12ns(75MHz) SDRAM: 3
10ns(100MHz) SDRAM: 2。
SDRAM Timing: 設定SDRAM(同步內存)的時序，建議設定值如下:
15ns(66MHz)/12ns(75MHz) SDRAM: 3－6－9
10ns(100MHz) SDRAM: 3－4－7。
注意：若系統使用SDRAM不穩時，建議將SDRAM速度調慢。
SDRAM Speculative Read : 此選項是設定SDRAM推測性的引導讀取時序，建議設定成Disable。
Pipe Function: 此選項設定是否開啟Pipe Function（管道功能），建議設定成Enable。
Slow Refresh: 設定DRAM的刷新速率，有15/30/60/120us ，建議設在60us。
Primary Frame Buffer: 此選項保留，建議設定成Disable。
VGA Frame Buffer: 設定是否開啟VGA幀緩沖，建議設為Enable。
Passive Release: 設定Passive Release（被動釋放）為Enable時，可確保CPU與PCI匯流排主控晶元（PCI Bus Master）能隨時重獲對匯流排的控制權。
ISA Line Buffer: 是否開啟ISA匯流排的Line Buffer，建議設為Enable。
Delay Transaction: 設定是否開啟晶元組內部的Delay Transaction（延時傳送），建議設成 Disable。
AT Bus Clock: 設定ISA匯流排時鍾，建議設成Auto。
Power Management Setup（能源管理）窗口
能源管理功能可使大部份周邊設備在閑置時進入省電功能模示，減少耗電量，達到節約能源的目的。電腦在平常操作時，是工作在全速模式狀態，而電源管理程序會監視系統的圖形、串並口、硬碟的存取、鍵盤、滑鼠及其他設備的工作狀態，如果上述設備都處於停頓狀態，則系統就
會進入省電模式，當有任何監控事件發生，系統即刻回到全速工作模式的狀態。省電模式又分為「全速模式(Normal)、打盹模式 (Doze)、待命模式(Standby)、沉睡模式(Suspend)"，系統耗電量大小順序:Normal>Doze> Standby > Suspend。
Power Management/APM: 是否開啟APM省電功能。若開啟(Enable)，則可設定省電功能。
Green PC Monitor Power State/Video Power Down Mode/Hard Disk Power Down Mode :設定顯示器、顯示卡以及硬碟是否開啟省電模式，可設定成Standby、Suspend以及Off(即不進入省電模式)。
Video Power Down Mode: 設定顯示器在省電模式下的狀態 isable: 不設定 ；Stand By: 待命模式；Suspend: 沉睡模式。
Hard Disk Power Down Mode: 設定硬碟在省電模式下的狀態。（同上）
Standby Timeout/Suspend Timeout: 本選項可設定系統在閑置幾分鍾後，依序進入Standby Mode/Suspend Mode等省電模式。
Display Activity: 當系統進入Standby Mode時，顯示器是否進入省電模示，Ingroe:忽略不管；Monitor:開啟。
Monitor Serial Port/Paralell Port/Pri－HDD/Sec－ HDD/VGA /Audio/Floppy: 當系統進入省電模式後，是否監視串並行口、主從硬碟、顯示卡、音效卡、軟碟機的動作。Yes:監視，即各設備如有動作，則系統恢復到全速工作模式；N不監視。
Power Button Override: 是否開啟電源開關功能。
Power Button Function: 此選項是設定當使用ATX電源時，電源按扭（SUS－SW） 的作用。
Soft Off: 按一次就進入Suspend Mode，再按一次就恢復運行。Green: 按第一下便是開機，關機時要按住4秒。
Ring resume From Soft Off:是否開啟Modem喚醒功能。
RTC Alarm Resume From Soft Off: 是否設定BIOS 定時開機功能。
PCI/PnP Setup窗口
此選項可設定即插即用(PnP)功能。
OnBoard USB: 是否開啟晶元組中的USB功能。
Plug and Play Aware OS: 如你的操作系統(OS)具有PnP功能(如 Win95)，此項應選Yes；若不是，則選No。如某些 PnP卡無法檢測到時，建議設成No。
PCI Latency Timer: 此選項可設定PCI時鍾的延遲時序。
Offboard PCI IDE Card: 如使用了其它的PCI IDE卡，則此項必須設定，這要視你的PCI IDE卡是插在哪個Slot(1－4)上而定，並設定以下各IDE IRQ 值。Slot5、6以及Hardwared為保留選項。
Offboard PCI IDE Primary IRQ: 設定PCI IDE卡上IDE 0所要佔用的INT＃ ，一般都是設定成INT＃A。
Offboard PCI IDE Secondary IRQ: 設定PCI IDE卡上IDE 1所要佔用的INT＃，一般都是設定成 INT＃B。
Assign IRQ to PCI VGA Card: 指定一個IRQ給VGA卡使用，一般不用指定IRQ給VGA卡。
IRQ 3、4、5、7、9、10、11、12、14、15/DMA Channel 0、1、3、5、6、7:本選項是設定各IRQ/DMA 是否讓PnP卡自動配置，若設定成PCI/PnP，則BIOS檢測到PnP卡時，會挑選你所有設成PCI/PnP狀態的其中一個IRQ/DMA來使用；反之，若設成ISA/EISA，則BIOS 將不會自動配置。一般設為PCI/PnP。
Peripheral Setup（外圍設備設定）窗口

㈦ sdr sdram的突發讀寫速度能達到多少

sdr= single data rate。
單速率話，100MHz時鍾單個輸入輸出管腳速率是100Mpbs。
突發讀寫BL可以是1、2、4、8等，這個一般跟時鍾頻率有關。
讀寫一般都有潛伏期，即讀寫命令和讀寫操作有時間間隔，根據不同的器件潛伏期不一樣。
突發讀寫速度是： 一次讀寫的數據位數/讀寫存儲周期
，具體值你可以查器件的數據手冊。O(∩_∩)O~

㈧ 內存條DDR1在單位時間內一次處理2次，DDR2單位時間內一次處理4次，那DDR3呢，他們之間區別

DDR2/3/4/5和DDR1一樣，每周期傳輸2次數據，內存只存儲數據，不處理數據，也沒有DDR1處理2次數據，DDR2處理4次數據的說法。簡單總結一下一些顆粒的區別，DDR4/5現在只有顯存顆粒（GDDR4/5），沒有內存顆粒：

SDR：每周期傳1次數據，預讀取位數是2bit，單顆晶元位寬4bit；
DDR：每周期傳2次數據，預計取位數是2bit，單顆晶元位寬8bit；
DDR2：每周期傳2次數據，預讀取位數是4bit，單顆晶元位寬16bit；
DDR3：每周期傳2次數據，預讀取位數8bit，DDR3單顆晶元16bit，GDDR3為32bit；
DDR4：每周期傳2次數據，預讀取位數8bit，GDDR4單顆晶元32bit；
DDR5：每周期傳2次數據，預讀取位數8bit，GDDR5單顆晶元32bit，雙匯流排技術（類似於雙通道）。

可以看出，幾代顆粒的發展思路都是，在保證較低的內核頻率的基礎上提高等效時鍾頻率。
內核頻率*預計取位數=I/O頻率；
I/O頻率*每周期傳輸次數=等效時鍾頻率（DDR5採用雙匯流排技術，就在此基礎上再*2）。
較低的內核頻率可以有效控制晶元的功耗和電壓，也有利於提高晶元的成品率。
比如GDDR5-3600MHz，內核頻率為3600/2/2/8=112.5MHz，比DDR2-1000MHz的內核頻率還要低。（DDR2-1000MHz的內核頻率為125MHz）

至於單顆晶元的位寬提升，則可以減少晶元的使用數量；
內存位寬=單顆位寬*顆粒數量；
內存容量=數據深度*單顆位寬/8；
比如8顆16X32的GDDR3顯存，其容量為512M，位寬為256位。
比如同樣是64位的內存位寬，DDR需要使用8顆晶元，而DDR2則可以使用4顆晶元（當然，有內存疊加技術，一根64位的內存條也可以使用8顆或16顆晶元，在保證位寬不變的情況下可以增大內存容量），有利於降低成本。

㈨ 內存怎樣超頻

：關於內存超頻與設置的基礎知識

在我們進行內存的選購之前，我們要對影響內存性能的一些基本知識進行一個了解，下面這十點，使筆者通過反復論證得到的結果，請大家務必了解。

1、對內存的優化要從系統整體出發，不要局限於內存模組或內存晶元本身的參數，而忽略了內存子系統的其他要素。

2、目前的晶元組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請盡量選擇雙 P-Bank 的內存模組以增加系統內存的頁面數量。但怎麼分辨是單 P-Bank 還是雙 P-Bank 呢？就目前市場上的產品而言 ，256MB 的模組基本都是單 P-Bank 的，雙面但每面只有 4 顆晶元的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。

3、頁面數量的計算公式為： P-Bank 數量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台，則還要除以 2。比如兩條單面 256MB 內存，就是 2X4=8 個頁面，用在 875 上組成雙通道就成了 4 個頁面。

4、CL、tRCD、tRP 為絕對性能參數，在任何平台下任何時候，都應該是越小越好，調節的優化順序是 CL → tRCD → tRP。

5、當內存頁面數為 4 時 ，tRAS 設置短一些可能會更好，但最好不要小於 5。另外，短 tRAS 的內存性能相對於長 tRAS 可能會產生更大的波動性，對時鍾頻率的提高也相對敏感。

6、當內存頁面數大於或等於 8 時，tRAS 設置長一些會更好。

7、對於 875 和 865 平台，雙通道時頁面數達到 8 或者以上時，內存性能更好。

8、對於非雙通道 Pentium4 與 AMD 64 平台，tRAS 長短之間的性能差異要縮小。

9、Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台下 ，BL=4 大多數情況下是更好的選擇，其他情況下 BL=8 可能是更好的選擇，請根據自己的實際應用有針對的調整。

10、適當加大內存刷新率可以提高內存的工作效率，但也可能降低內存的穩定性。

二、BIOS中內存相關參數的設置要領

Automatic Configuration「自動設置」（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）

可能出現的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調整你的內存時序，你應該關閉它，之後會自動出現詳細的時序參數列表。

Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）

這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內存晶元都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少定址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank信息來自動設置的）。

Burst Length「突發長度」（可能的選項：4/8）

一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平台，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平台，建議設為4。但具體的情況要視具體的應用而定。

CAS Latency 「列地址選通脈沖潛伏期」（可能的選項：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate「首命令延遲」（可能的選項：1/2）

這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的定址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然後才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行激活命令，單位是時鍾周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制晶元組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長 。目前的大部分主板都會自動設置這個參數，而從上文的ScienceMark 2.0測試中，大家也能察覺到容量與延遲之間的關系。

RAS Precharge Time 「行預充電時間」（可能的選項：2/3/4）

BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。

RAS-to-CAS Delay「行定址至列定址延遲時間」（可能的選項：2/3/4/5）

BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。

Active to Precharge Delay「行有效至行預充電時間」（可能的選項：1……5/6/7……15）

BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根據上文的分析，這個參數要根據實際情況而定，具體設置思路見上文，並不是說越大或越小就越好。

三、認清影響內存性能的關鍵

在講完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之後，我們現在要重要分析一下 SDRAM 的時序與性能之間的關系，它不再局限於晶元本身，而是要從整體的內存系統去分析。這也是廣大 DIYer 所關心的話題。比如 CL 值對性能的影響有多大幾乎是每個內存論壇都會有討論，今天我們就詳細探討一下。這里需要強調一點，對於內存系統整體而言，一次內存訪問就是對一個頁 （Page）的訪問。由於在 P-Bank 中，每個晶元的定址都是一樣的，所以可以將頁訪問「濃縮」等效為對每晶元中指定行的訪問，這樣可能比較好理解。但為了與官方標准統一，在下文中會經常用頁來描述相關的內容，請讀者注意理解。

可能很多人還不清楚頁的概念，在這里有必要先講一講。從狹義上講，內存晶元晶元中每個 L-Bank 中的行就是頁，即一行為一頁。但從廣義上說，頁是從整體角度講的，這個整體就是內存子系統。

對於內存模組，與之進行數據交換的單位就是 P-Bank 的位寬。由於目前還沒有一種內存晶元是 64bit 位寬的，所以就必須要用多個晶元的位寬來集成一個 P-Bank。如我們現在常見的內存晶元是 8bit 位寬的，那麼就需要 8 顆晶元組成一個 P-Bank 才能使系統正常工作。而 CPU 對內存的定址，一次就是一個 P-Bank，P-Bank 內的所有晶元同時工作，這樣對 P-Bank 內所有的晶元的定址都是相同的。比如定址指令是 B1、C2、R6，那麼該 P-Bnak 內的晶元的工作狀態都是打開 B1 的 L-Bank 的第 C2 行。好了，所謂廣義上的頁就是指 P-Bank 所包括的晶元內相同 L-Bank 內的相同工作行的總集合 。頁容量對於內存子系統而言是一個很重要的指標。這個參數取決於晶元的容量與位寬的設計。由於與本文的關系不大，就不具體舉例了。

早期 Intel 845 晶元組 MCH 的資料：它可以支持 2、4、8、16KB 的頁容量

總之，我們要知道，由於定址對同一 L-Bank 內行地址的單一性，所以一個 L-Bank 在同一時間只能打開一個頁面，一個具有 4 個 L-Bank 的內存晶元，可以打開 4 個頁面。這樣，以這種晶元組成的 P-Bank，也就最後具備了 4 個頁面，這是目前 DDR SDRAM 內存模中每個 P-Bank 的頁面最大值。

1、影響性能的主要時序參數

在講完內存的基本操作流程與相關的 tRP、tRCD、CL、BL 之後，我們就開始深入分析這些參數對內存性能的影響。所謂的影響性能是並不是指 SDRAM 的帶寬，頻率與位寬固定後，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內存的工作周期內，不可能總處於數據傳輸的狀態，因為要有命令、定址等必要的過程。但這些操作佔用的時間越短，內存工作的效率越高，性能也就越好。

非數據傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數對內存的性能影響至關重要，它們是 tRCD、CL 和 tRP。按照規定，每條正規的內存模組都應該在標識上註明這三個參數值，可見它們對性能的敏感性。

以內存最主要的操作——讀取為例。tRCD 決定了行定址（有效）至列定址（讀 / 寫命令）之間的間隔 ，CL 決定了列定址到數據進行真正被讀取所花費的時間，tRP 則決定了相同 L-Bank 中不同工作行轉換的速度。現在可以想像一下對某一頁面進行讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮 CL 即可）：

1、要定址的行與 L-Bank 是空閑的。也就是說該 L-Bank 的所有行是關閉的，此時可直接發送行有效命令，數據讀取前的總耗時為 tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中 （PH，Page Hit）。

2、要定址的行正好是現有的工作行，也就是說要定址的行已經處於選通有效狀態，此時可直接發送列定址命令，數據讀取前的總耗時僅為 CL，這就是所謂的背靠背 （Back to Back）定址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。

3、要定址的行所在的 L-Bank 中已經有一個行處於活動狀態（未關閉），這種現象就被稱作定址沖突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行發送行有效命令。結果，總耗時就是 tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失 （PM，Page Miss）。

顯然，PFH 是最理想的定址情況，PM 則是最糟糕的定址情況。上述三種情況發生的機率各自簡稱為 PHR —— PH Rate、PFHR —— PFH Rate、PMR —— PM Rate。因此，系統設計人員（包括內存與北橋晶元）都盡量想提高 PHR 與 PFHR，同時減少 PMR，以達到提高內存工作效率的目的。

2、增加 PHR 的方法

顯然，這與預充電管理策略有著直接的關系，目前有兩種方法來盡量提高 PHR。自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之後進行預充電，從而減少了日後對同一 L-Bank 不同行定址時發生沖突的可能性。但是，如果要在當前行工作完成後馬上打開同一 L-Bank 的另一行工作時，仍然存在 tRP 的延遲。怎麼辦？ 此時就需要 L-Bank 交錯預充電了。

早期非常令人關注的VIA 4路交錯式內存控制，就是在一個L-Bank工作時，對另一個L-Bank進行預充電或者定址（如果要定址的L-Bank是關閉的)。這樣，預充電與數據的傳輸交錯執行，當訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進入行有效狀態了，如果配合得理想,那麼就可以實現無間隔的L-Bank交錯讀/寫（一般的，交錯操作都會用到自動預充電）,這是比PFH更好的情況，但它只出現在後續的數據不在同一頁面的時時候。當時VIA聲稱可以跨P-Bank進行16路內存交錯，並以LRU（Least Recently Used，近期最少使用）演算法進行 交錯預充電/定址管理。

L-Bank 交錯自動預充電 / 讀取時序圖： L-Bank 0 與 L-Bank 3 實現了無間隔交錯讀取，避免了 tRP與tRCD對性能的影響 ，是最理想的狀態

3、增加 PFHR 的方法

無論是自動預充電還是交錯工作的方法都無法消除同行（頁面）定址時tRCD 所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進行預充電前盡可能多的接收工作命令，以達到背靠背的效果，此時就只剩下 CL 所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。

如何做到這一點呢？這就是北橋晶元的責任了。現在我們就又接觸到 tRAS 這個參數，在 BIOS 中所設置的 tRAS 是指行有效至預充電的最短周期，在內存規范中定義為 tRAS（min），過了這個周期後就可以發出預充電指令。對於 SDRAM 和 DDR SDRAM 而言，一般是預充電命令至少要在行有效命令 5 個時鍾周期之後發出，最長間隔視晶元而異（目前的 DDR SDRAM 標准一般基本在 70000ns 左右），否則工作行的數據將有丟失的危險。那麼這也就意味著一個工作行從有效（選通）開始，可以有 70000ns 的持續工作時間而不用進行預充電。顯然，只要北橋晶元不發出預充電（包括允許自動預充電）的命令，行打開的狀態就會一直保持。在此期間的對該行的任何讀寫操作也就不會有 tRCD 的延遲。可見，如果北橋晶元在能同時打開的行（頁）越多，那麼 PFHR 也就越大。需要強調的是，這里的同時打開不是指對多行同時定址（那是不可能的），而是指多行同時處於選通狀態。我們可以看到一些 SDRAM 晶元組的資料中會指出可以同時打開多少個頁的指標，這可以說是決定其內存性能的一個重要因素。

但是，可同時打開的頁數也是有限制的。從 SDRAM 的定址原理講，同一L-Bank 中不可能有兩個打開的行（讀出放大器只能為一行服務），這就限制了可同時打開的頁面總數。以 SDRAM 有 4 個 L-Bank，北橋最多支持 8 個 P-Bank（4 條 DIMM）為例，理論上最多隻能有 32 個頁面能同時處於打開的狀態。而如果只有一個 P-Bank，那麼就只剩下 4 個頁面，因為有幾個 L-Bank 才能有同時打開幾個行而互不幹擾 。Intel 845 的 MHC 雖然可以支持 24 個打開的頁面，那也是指 6 個 P-Bank 的情況下（845MCH 只支持 6 個 P-Bank）。可見 845 已經將同時打開頁數發揮到了極致。

不過，同時打開頁數多了，也對存取策略提出了一定的要求。理論上，要盡量多地使用已打開的頁來保證最短的延遲周期，只有在數據不存在（讀取時）或頁存滿了（寫入時）再考慮打開新的指定頁，這也就是變向的連續讀 / 寫。而打開新頁時就必須要關閉一個打開的頁，如果此時打開的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話 （如果已經達到極限，就關閉有沖突的L-Bank內的頁面即可），就需要一個替換策略，一般都是用 LRU 演算法來進行，這與 VIA 的交錯控制大同小異。

回到正題，雖然 tRAS 代表的是最小的行有效至預充電期限，但一般的，北橋晶元一般都會在這個期限後第一時間發出預充電指令（自動預充電時，會在tRAS之後自動執行預充電命令），只有在與其他操作相沖突時預充電操作才被延後（比如，DDR SDRAM 標准中規定，在讀取命令發出後不能立即發出預充電指令）。因此，tRAS 的長短一直是內存優化發燒友所爭論的話題，在最近一兩年，由於這個參數在 BIOS 選項中越來越普及，所以也逐漸被用戶所關注。其實，在 SDRAM 時代就沒有對這個參數有刻意的設定，在 DDR SDRAM 的官方組織 JEDEC 的相關標准中，也沒有把其列為必須標明的性能參數 （CL、tRCD、tRP 才是），tRAS 應該是某些主板廠商炒作出來的，並且在主板說明書上也註明越短越好。

其實，縮小 tRAS 的本意在於，盡量壓縮行打開狀態下的時間，以減少同 L-Bank 下對其他行進行定址時的沖突，從內存的本身來講，這是完全正確的做法，符合內存性能優化的原則，但如果放到整體的內存系統中，伴隨著主板晶元組內存頁面控制管理能力的提升，這種做法可能就不見得是完全正確的，在下文中我們會繼續分析 tRAS 的不同長短設置對內存性能所帶來的影響。

4、BL 長度對性能的影響

從讀 / 寫之間的中斷操作我們又引出了 BL（突發長度）對性能影響的話題。首先，BL 的長短與其應用的領域有著很大關系，下表就是目前三個主要的內存應用領域所使用的 BL，這是廠商們經過多年的實踐總結出來的。

BL與相應的工作領域

BL 越長，對於連續的大數據量傳輸很有好處，但是對零散的數據，BL 太長反而會造成匯流排周期的浪費，雖然能通過一些命令來進行終止，便也佔用了控制資源。以 P-Bank 位寬 64bit 為例 ，BL=4 時，一個突發操作能傳輸 32 位元組的數據，為了滿足 Cache Line 的容量需求，還得多發一次，如果是 BL=8，一次就可以滿足需要，不用再次發出讀取指令。而對於 2KB 的數據 ，BL=4 的設置意味著要每隔 4 個周期發送新的列地址，並重復 63 次。而對於 BL=256，一次突發就可完成，並且不需要中途再進行控制，但如果僅傳輸 64 位元組，就需要額外的命令來中止 BL=256 的傳輸。而額外的命令越多，越佔用內存子系統的控制資源，從而降低總體的控制效率。從這可以看出 BL 對性能的影響因素，這也是為什麼 PC 上的內存子系統的 BL 一般為 4 或 8 的原因。但是不是 8 比 4 好，或者 4 比 8 好呢？並不能統一而論，這在下文會分析到。

到此，大家應該有一些優化的眉目了吧。我們可以先做一下界定，任何情況下，只要數值越小或越大（單一方向），內存的性能會越好的參數為 絕對參數 ，而數值越小或越大對性能的影響不固定的參數則為 相對參數。那麼，CL、tRCD、tRP 顯然就是絕對參數，任何情況下減少它們的周期絕對不會錯。而且從上文的分析可以發現 ，從重要性來論，優先優化的順序也是 CL → tRCD → tRP，因為 CL 的遇到的機會最多，tRCD 其次，tRP 如果頁面交錯管理的好，大多不受影響。而 BL、tRAS 等則可以算是相對參數。也正是由於這些相對參數的存在，才使得內存優化不再那麼簡單。