sram讀寫命令線

⑴ sram存儲器的數據線如何確定

一片8bit的sram的話 數據線即8位， 若兩片串聯則地址增加一倍 位寬不變。
若並聯則16bit 數據， 一般還有根據lb,ub在 進行對應的8、16位的讀寫段選擇

⑵ sram存儲器的特點是什麼

關於SRAM存儲容量及基本特點。

半導體隨機存儲器晶元內集成有記憶功能的存儲矩陣，解碼驅動電路和讀/寫電路等等。
下面介紹幾個重要的概念：
讀寫電路：包括讀出放大器和寫入電路，用來完成讀/寫操作。
地址線：單向輸入，其位數與晶元的容量有關
片選線：確定哪個晶元被選中（用來選擇晶元）
數據線：雙向輸入，其位數與晶元可讀出或者寫入的位數有關，也與晶元容量有關。

存儲容量

通常我們將存儲容量表示為：字數X位數，比如64KX8位，其含義為，以8位構成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，後面理解題目很有用。

⑶ 我想知道ARM7和RM9的區別在那裡

系列處理器是英國ARM公司設計的主流嵌入式處理器
ARM7內核是0.9MIPS/MHz的三級流水線和馮•諾伊曼結構;
ARM9內核是5級流水線,提供1.1MIPS/MHz的哈佛結構。
ARM7沒有MMU,ARM720T是MMU的 ,ARM9主要包括ARM9TDMI和ARM9E-S等系列ARM9是有MMU的,ARM940T只有Memory protection unit.不是一個完整的MMU。
ARM9的時鍾頻率比ARM7更高,採用哈佛結構區分了數據匯流排和指令匯流排, ARM7處理器採用3級流水線，而ARM9採用5級流水線， 5級流水線能夠將每一個指令處理分配到5個時鍾周期內，在每一個時鍾周期內同時有5個指令在執行。在同樣的加工工藝下，ARM9TDMI處理器的時鍾頻率是ARM7TDMI的1．8～2．2倍。指令周期的改進,
指令周期的改進:
2．1 loads 指令矛n stores指令
指令周期數的改進最明顯的是loads指令和stores指令。從ARM7到ARM9這兩條指令的執行時間減少了30％。指令周期的減少是由於ARM7和ARM9兩種處理器內的兩個基本的微處理結構不同所造成的。
(1)ARM9有獨立的指令和數據存儲器介面，允許處理器同時進行取指和讀寫數據。這叫作改進型哈佛結構。而ARM7隻有數據存儲器介面，它同時用來取指令和數據訪問。
(2)5級流水線引入了獨立的存儲器和寫迴流水線，分別用來訪問存儲器和將結果寫回寄存器。
以上兩點實現了一個周期完成loads指令和stores指令。
2．2 互鎖(interlocks)技術
當指令需要的數據因為以前的指令沒有執行完而沒有準備好就會產生管道互鎖。當管道互鎖發生時，硬體會停止這個指令的執行，直到數據准備好為止。雖然這種技術會增加代碼執行時間，但是為初期的設計者提供了巨大的方便。編譯器以及匯編程序員可以通過重新設計代碼的順序或者其他方法來減少管道互鎖的數量。
2．3 分枝指令
ARM9和ARM7的分枝指令周期是相同的。而且ARM9TDMI和ARM9E-S並沒有對分枝指令進行預測處理。
ARM9結構及特點
以ARM9E-S為例介紹ARM9處理器的主要結構及其特點。
(1)32bit定點RISC處理器，改進型ARM／Thumb代碼交織，增強性乘法器設計。支持實時(real-time)調試；
(2)片內指令和數據SRAM，而且指令和數據的存儲器容量可調；
(3)片內指令和數據高速緩沖器(cache)容量從4K位元組到1M位元組；
(4)設置保護單元(protcction unit)，非常適合嵌入式應用中對存儲器進行分段和保護；
(5)採用AMBA AHB匯流排介面，為外設提供統一的地址和數據匯流排；
(6)支持外部協處理器，指令和數據匯流排有簡單的握手信令支持；
(7)支持標准基本邏輯單元掃描測試方法學，而且支持BIST(built-in-self-test)；
(8)支持嵌入式跟蹤宏單元，支持實時跟蹤指令和數據

⑷ SRAM 的工作原理

寫;For the write operation, assume the stored data in the SRAM
cell =1. We will change the cell to 0.

—At t=0:

—BL is connected to the Ground (Voltage=0V)

—/BL is connected to Vcc

—the word line is selected:

—PG are turned on.

—charge previously stored in node Bwill be discharged by BL
through T1.

—On the other side, node C will be charged by /BL through T2.

—WL
turn off.

uThus the new data 0 is written into the SRAM cell

讀; 假設是0，–At t=0: •Both bit lines are precharged to Vcc. •If the data in the SRAM cell = 0, then node B is low and node C is high.

–When the word line is selected, the two transfer gate transistors T1 and T2 are turned ON. •The charge stored in the node B will be charged by the BL line to 0 through T1.

•On the other side, node C will discharge to the /BL line. The sense amplifier (SA) will detect the voltage difference between BL and /BL.

• Thus the data stored in the cell is read out to the bit lines.

既然你提問了，我覺得英文應該不是問題，有什麼問題可以繼續交流。

⑸ FPGA系統調用SRAM資源的方法

1 下載你的SRAM對應型號的數據手冊，看看一些信號定義。主要是片選/讀寫信號定義
2 SRAM很簡單，你輸出時鍾/片選/讀寫/地址/數據線 這幾個信號就可以了，看一下數據手冊的信號傳輸格式部分。
比如， 數據線輸出數字1，地址線輸出0，然後片選有效，讀寫信號保持為寫一個周期，那麼數字1就寫入了SRAM內部地址0處。注意寫信號不要一直有效，僅僅保持一個周期即可，如果是連續寫，那麼每個周期地址線數據線都要改變數據。
讀就簡單了，地址線輸出0，讀寫信號保持為讀，一般幾個周期（不同晶元不同頻率下延遲周期並不一致）後SRAM的輸出信號線上就有數據給你讀了。

⑹ FSMC接SRAM時地址線順序全亂了，是否對讀寫SRAM照成影響

對於這種非同步靜態存儲器，內部沒有地址自操作功能和猝發操作，所以，每一次操作都需要外部提供地址信息。因此，亂了，只是從物理上亂了，邏輯上還是正常的。只是對成果傳遞和查問題製造麻煩。應用中沒有任何問題。對於同步靜態存儲器和動態存儲器，可就麻煩了。

⑺ SRAM是緩存還是內存

SRAM是一種讀寫速度很優秀的存儲器（比DRAM速度快很多的存儲器），因為讀寫速度優秀，所以價格就貴，所以一般容量做的比較小，容量做大的話成本就會很高（因為計算機要親民啊，做的那麼貴誰買得起呢），所以一般不拿來當內存使用（就是平常說的內存條），一般用作TLB（快表）或者用來減少存取時間的高速緩存，而DRAM一般用來做內存，一般容量比較大，為什麼容量大呢，因為他比SRAM存儲器慢所以價格便宜，容量做大一點就沒關系啦

⑻ 怎樣實現stm32 自身sram數據讀寫

對絕對的地址空間進行讀寫即可。

比如STM32自身的SRAM地址空間范圍是0x20000000-0xXXXXXXXX(結束地址根據不同型號而不同，比如STM32F103ZET6的SRAM地址空間為0x20000000-0x2000FFFF共64KB)，對絕對地址進行訪問的C語言代碼是：
a = *(u8 *)0x20000000;//將地址為0x20000000的一個位元組數據讀取到變數a中
*(u8 *)0x20000100 = a; //將變數a的值放到地址0x20000100處
不過不推薦直接訪問絕對地址，因為這樣可能會破壞堆棧而導致程序跑亂跑飛等問題的出現。

⑼ 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理

個人電腦的主要結構:
顯示器
主機板
CPU
(微處理器)
主要儲存器
(記憶體)
擴充卡
電源供應器
光碟機
次要儲存器
(硬碟)
鍵盤
滑鼠
盡管計算機技術自20世紀40年代第一台電子通用計算機誕生以來以來有了令人目眩的飛速發展，但是今天計算機仍然基本上採用的是存儲程序結構，即馮·諾伊曼結構。這個結構實現了實用化的通用計算機。
存儲程序結構間將一台計算機描述成四個主要部分：算術邏輯單元（ALU），控制電路，存儲器，以及輸入輸出設備（I/O）。這些部件通過一組一組的排線連接（特別地，當一組線被用於多種不同意圖的數據傳輸時又被稱為匯流排），並且由一個時鍾來驅動（當然某些其他事件也可能驅動控制電路）。
概念上講，一部計算機的存儲器可以被視為一組「細胞」單元。每一個「細胞」都有一個編號，稱為地址；又都可以存儲一個較小的定長信息。這個信息既可以是指令（告訴計算機去做什麼），也可以是數據（指令的處理對象）。原則上，每一個「細胞」都是可以存儲二者之任一的。
算術邏輯單元（ALU）可以被稱作計算機的大腦。它可以做兩類運算：第一類是算術運算，比如對兩個數字進行加減法。算術運算部件的功能在ALU中是十分有限的，事實上，一些ALU根本不支持電路級的乘法和除法運算（由是使用者只能通過編程進行乘除法運算）。第二類是比較運算，即給定兩個數，ALU對其進行比較以確定哪個更大一些。
輸入輸出系統是計算機從外部世界接收信息和向外部世界反饋運算結果的手段。對於一台標準的個人電腦，輸入設備主要有鍵盤和滑鼠，輸出設備則是顯示器，列印機以及其他許多後文將要討論的可連接到計算機上的I/O設備。
控制系統將以上計算機各部分聯系起來。它的功能是從存儲器和輸入輸出設備中讀取指令和數據，對指令進行解碼，並向ALU交付符合指令要求的正確輸入，告知ALU對這些數據做那些運算並將結果數據返回到何處。控制系統中一個重要組件就是一個用來保持跟蹤當前指令所在地址的計數器。通常這個計數器隨著指令的執行而累加，但有時如果指令指示進行跳轉則不依此規則。
20世紀80年代以來ALU和控制單元（二者合成中央處理器，CPU）逐漸被整合到一塊集成電路上，稱作微處理器。這類計算機的工作模式十分直觀：在一個時鍾周期內，計算機先從存儲器中獲取指令和數據，然後執行指令，存儲數據，再獲取下一條指令。這個過程被反復執行，直至得到一個終止指令。
由控制器解釋，運算器執行的指令集是一個精心定義的數目十分有限的簡單指令集合。一般可以分為四類：1）、數據移動（如：將一個數值從存儲單元A拷貝到存儲單元B）2）、數邏運算（如：計算存儲單元A與存儲單元B之和，結果返回存儲單元C）3）、條件驗證（如：如果存儲單元A內數值為100，則下一條指令地址為存儲單元F）4）、指令序列改易（如：下一條指令地址為存儲單元F）
指令如同數據一樣在計算機內部是以二進制來表示的。比如說，10110000就是一條Intel
x86系列微處理器的拷貝指令代碼。某一個計算機所支持的指令集就是該計算機的機器語言。因此，使用流行的機器語言將會使既成軟體在一台新計算機上運行得更加容易。所以對於那些機型商業化軟體開發的人來說，它們通常只會關注一種或幾種不同的機器語言。
更加強大的小型計算機，大型計算機和伺服器可能會與上述計算機有所不同。它們通常將任務分擔給不同的CPU來執行。今天，微處理器和多核個人電腦也在朝這個方向發展。
超級計算機通常有著與基本的存儲程序計算機顯著區別的體系結構。它們通常由者數以千計的CPU，不過這些設計似乎只對特定任務有用。在各種計算機中，還有一些微控制器採用令程序和數據分離的哈佛架構（Harvard
architecture）。

⑽ SRAM晶元 其容量是1024*8位,除電源和接地端外,改晶元引腳的最小數目是，20 這個答案是怎麼來的

除電源和接地端外，改晶元引腳的最小數目是20根，主要是10根地址線加上8根數據線再加上2根讀寫線，所以說12+8+2=20，所以說晶元引腳的最小數目是20根。

址線是用來傳輸地址信息用的。舉個簡單的例子：cpu在內存或硬碟裡面尋找一個數據時先通過地址線找到地址，然後再通過數據線將數據取出來。1024*8位=2^10B=1K，所以說需要10根地址線。

數據線是用來傳輸數據的。因為晶元為8位，所以說需要8根數據線。除了正常的地址線和數據線還需要讀寫的線，所以說除了電源和接地端還需要20根線，所以引腳的最小數目為20。

(10)sram讀寫命令線擴展閱讀：

SRAM主要用途：

SRAM主要用於二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數據。

與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存。

SRAM晶元與DRAM區別：

DRAM支持地址線的復用，所以DRAM的地址線可以減半，但是SRAM不支持地址線的復用，所以說，SRAM地址線算出即為所用的地址線，不需要減半。

地址接收步驟：

在兩種多處理器模式中，接收步驟如下：

1、在接收地址塊時，SCI埠喚醒並申請中斷，讀取地址塊的第一幀，該幀包含目的處理器的地址。

2、通過中斷檢查接收的地址啟動軟體常式，然後比較內存中存放的器件地址和接收到數據的地址位元組。

3、如果上述地址相吻合表明地址塊與DSP的地址相符，則CPU清除SLEEP位並讀取塊中剩餘的數據；否則，退出軟體子程序並保持SLEEP置位，直到下一個地址塊的開始才接收中斷。

參考資料來源：網路-SRAM

參考資料來源：網路-地址線