❶ NandFlash中的ECC校验的作用是先向NandFlash中写数据再读出来比较二者的ECC值,还是怎么应用
ECC确实是写入 spare area, ECC的值是根据写入的数据计算出来的。读出数据以后用数据计算ECC值然后与从spare area读出的ECC值进行比较,如果不对则说明数据有问题。然后根据你具体使用多少位的ECC来判断错误了多少位,如果在ECC的纠错范围内数据是可以恢复出来的,超出了ECC的纠错范围则数据只能是unrecoverble 了
❷ 扰码是什么
扰码是作有规律的随机化处理后的信码。
扰码就是作有规律的随机化处理后的信码。作为现代通信的关键技术之一,扰码是为了提高传输数据的定时恢复能力和保密性而在比特层对需要传输的数据进行随机化处理的技术。
目的
扰码的目的是抑制线路码中的长连“0” 和长连“1” ,便于从线路信号中提取时钟信号。由于线路信号仅通过扰码,所以SDH的线路信号速率与SDH电口标准信号速率相一致,这样就不会增加发端激光器的光功率代价。
另外,扰码还可以将不同的终端或基站区分开来,同时,扰码还有助于提高通信的保密性。加扰不改变信号的带宽,只是将来自不同信源的信号区分开来。这样,即使多个发射机使用相同的码字扩频也不会出现问题。
以上内容参考网络-扰码
❸ 移动通信网络中交换网的定义和作用
移动通信是移动体之间的通信,或移动体与固定体之间的通信。移动体可以是人,也可以是汽车、火车、轮船、收音机等在移动状态中的物体。移动通信系统由两部分组成:
(1) 空间系统;
(2) 地面系统:①卫星移动无线电台和天线;②关口站、基站。
移动通信系统从20世纪80年代诞生以来,到2020年将大体经过5代的发展历程,而且到2010年,将从第3代过渡到第4代(4G)。到4G,除蜂窝电话系统外,宽带无线接入系统、毫米波LAN、智能传输系统(ITS)和同温层平台(HAPS)系统将投入使用。未来几代移动通信系统最明显的趋势是要求高数据速率、高机动性和无缝隙漫游。实现这些要求在技术上将面临更大的挑战。此外,系统性能(如蜂窝规模和传输速率)在很大程度上将取决于频率的高低。考虑到这些技术问题,有的系统将侧重提供高数据速率,有的系统将侧重增强机动性或扩大覆盖范围。
从用户角度看,可以使用的接入技术包括:蜂窝移动无线系统,如3G;无绳系统,如DECT;近距离通信系统,如蓝牙和DECT数据系统;无线局域网(WLAN)系统;固定无线接入或无线本地环系统;卫星系统;广播系统,如DAB和DVB-T;ADSL和Cable Modem。
移动通信的种类繁多。按使用要求和工作场合不同可以分为:
(1)集群移动通信,也称大区制移动通信。它的特点是只有一个基站,天线高度为几十米至百余米,覆盖半径为30公里,发射机功率可高达200瓦。用户数约为几十至几百,可以是车载台,也可是以手持台。它们可以与基站通信,也可通过基站与其它移动台及市话用户通信,基站与市站有线网连接。
(2)蜂窝移动通信,也称小区制移动通信。它的特点是把整个大范围的服务区划分成许多小区,每个小区设置一个基站,负责本小区各个移动台的联络与控制,各个基站通过移动交换中心相互联系,并与市话局连接。利用超短波电波传播距离有限的特点,离开一定距离的小区可以重复使用频率,使频率资源可以充分利用。每个小区的用户在1000以上,全部覆盖区最终的容量可达100万用户。
(3)卫星移动通信。利用卫星转发信号也可实现移动通信,对于车载移动通信可采用赤道固定卫星,而对手持终端,采用中低轨道的多颗星座卫星较为有利。
(4)无绳电话。对于室内外慢速移动的手持终端的通信,则采用小功率、通信距离近的、轻便的无绳电话机。它们可以经过通信点与市话用户进行单向或双方向的通信。
使用模拟识别信号的移动通信,称为模拟移动通信。为了解决容量增加,提高通信质量和增加服务功能,目前大都使用数字识别信号,即数字移动通信。在制式上则有时分多址(TDMA)和码分多址(CDMA)两种。前者在全世界有欧洲的GSM系统(全球移动通信系统)、北美的双模制式标准IS一54和日本的JDC标准。对于码分多址,则有美国Qualcomnn公司研制的IS-95标准的系统。总的趋势是数字移动通信将取代模拟移动通信。而移动通信将向个人通信发展。进入21世纪则成为全球信息高速公路的重要组成部分。移动通信将有更为辉煌的未来。
3G移动通信网络中室内信号覆盖解决方案设计
室内覆盖作为3G网络建设的重要组成部分,虽然已经有为数不少的3G室内覆盖试点工程在不同城市完成了施工和测试,但是室内覆盖环境普遍较为复杂,不同试点工程的测试目标和工作重点也不尽相同,为了给后期的3G网络建设提供一个有实际参考价值的规划原则,结合我们在2G网络室内分布系统建设方面的丰富经验和3G系统自身的特点,我们制定了一套3G(以WCDMA为主)室内覆盖分布系统建设的规划原则。为了验证这套指导原则的合理性,我们按照指导原则组织了一次现场的工程改造,并对改造后的分布系统做了模拟覆盖效果测试,测试重点是考察工程改造原则是否适用。
3G工程考虑因素
WODMA系统需要提供给用户丰富的业务类型(如可视电话、多媒体、高速率下载等),高速率意味着高容量的无线网络,也意味着更高的服务质量和服务水平,这又直接和网络建设的投入相关联。由于不同的用户群需要的服务不一样,因此在网络规划初期就有必要按业务需求合理分配资源,以节省投资,并能加快网络建设速度。所以在WODMA网络建设方案实施前,需要对覆盖目标做详细的规划标准和所需要的服务等级,结合实际工程经验,一个合理的3G室内覆盖工程需要重点考虑以下几个因素:
1.目标覆盖区覆盖等级
按照不同区域对业务需求不同,根据需要提供的服务等级和规划目标可将目标覆盖区分为:
重要区域(384kbit/s高速数据密集区域):要求CS12.2K、0S64K、PS384K等业务的连续覆盖;
次重要区域(144kbit/s低速数据密集区域):要求CS12.2K、0864K、PSl28K等业务的连续覆盖;一般区域(64kbit/s语音电话、可视电话密集区,数据业务低发区):要求C312.2K、0S64K等业务的连续覆盖,可以考虑补充PS64K业务;
非重点考虑的区域(有普通语音电话需求,数据业务低发区):保证CS12.2K业务。
用信号强度和信号质量区分不同目标覆盖区覆盖等级是一种较为简单有效的策略,这也是目前普遍采用的设计指标标准:
重要区域:边缘导频功率≥-85dBm,Ec/Io≥-8dB;
次重要区域:边缘导频功率≥-90dBm,Ec/Io≥-10dB;
一般区域:边缘导频功率≥-95dBm,Ec/10≥-12d8;
非重点区:边缘导频功率≥-1 00dBm,Ec/1o≥-15dB。
2.信源的选择
由于实际WODMA网络中可能同时提供CSl 2.2kbit/s、OS64kbit/3、PS64kbit/3、PSl 28kbit/s、PSl 44kbit/s及PS384kbit/s业务,每种业务占用不同的网络资源,对信号质量的要求也不一样,要构建一个合理的满足话务需求的无线网络,就需要对业务需求做仔细考察。
从外场测试结果看,WODMA系统的容量较OSM系统大很多,考虑在建网初期网络用户较少,网络的广泛覆盖是网络建设的关键,在此前提下可以多使用直放站代替基站作为信源,这样不仅能加快网络建设速度,还可以有效转移大型宏基站的多余资源,能够降低初期建设投资;待日后话务量渐涨的情况下再将其更换为基站。
对于业务需求大、有条件建设专用机房的目标覆盖区,可优先考虑采用室内宏基站;对于建设条件有限(如没有专门的机房)的场合,则优先考虑使用微蜂窝。
信号源的选取,我们需要综合考虑话务量、覆盖面积、建筑结构、信号源方式等因素的影响,最终采用既可达到所需的覆盖要求又可合理控制成本的分布系统。
3.频率规划
WODMA系统中每个载频内的所有用户共享频率、时间和功率资源,用特征码(扰码和信道码)对信号作统计处理来区分信道,也即所说的码分多址技术。
虽然WODMA系统无需进行复杂的频率规划,信道间的隔离完全由特征码的统计特性的正交性来实现。但特征码的正交性并不理想,造成系统的信道隔离不如FDMA和TDMA好,而且使用的信道越多,其他信道信号对本信道的干扰就越强。如果功率配置、覆盖范围设置不合理,经常会出现导频污染现象。
导频污染是WCDMA系统独有的特性,是影响网络性能的一项重要因素。导频污染增加了网络的干扰,同时使得切换算法无法有效地工作,必须严格加以控制。
在室内覆盖工程中,因为有建筑物的屏蔽、阻挡作用,室外宏基站对室内信号的干扰一般较小,所以在大部分场合都可以尽量采用室内、室外同频信号的策略,以节省有限的频率资源但是在有较大业务需求而无线环境本来就复杂的区域(如密集城区的高层型建筑物内),室内、室外采用异频策略就能很好的解决增加容量和控制干扰的目的。
4.合理的切换区
WODMA系统由于软切换的引入,对抗了阴影衰落,引入了软切换增益,扩大了小区的覆盖范围,同时减少对于其它小区的干扰,并通过分集改善性能;但是软切换也带来了硬件的额外开销,基站一般需要多预留30%的信道单元。
在室内分布系统建设中,室内系统会引入了新的信源,这样肯定要在目标覆盖区边缘形成新的切换区。因为无线信号传播特性和实际环境有很大影响,工程开通后实际的切换区可能会较大,这样就需要通过大量的测试及优化工作,如果采用室内、室外同频策略,需要将软切换区控制在我们需要的合理范围内;如果采用室内、室外异频策略,则更需要仔细设计切换区,既要保证有足够的切换区间供系统完成硬切换,还不能让切换区过大以避免频繁的硬切换。
5.天线的布放及功率分配
表1是WCDMA室内覆盖系统中同一天线覆盖范围内不同业务有效覆盖半径的测试结果。
因为3G室内覆盖区域基本都需要保证CS64K业务的连续覆盖,结合上表测试数据,设计的分布系统中室内全向天线的有效覆盖半径建议控制在8—12m范围内。
另外,WCDMA系统是白干扰系统,理论分析UE发射功率的动态变化量会造成小区内的干扰,其原因是在室内WODMA覆盖系统中,如果手机接收的信号强度足够强,由于功率控制会使手机的发射功率达到最低,如果这个时候用户的发射功率达到最低而用户还是离天线越来越近,那么就会对其它手机造成干扰,使其它手机不得不抬高发射功率。
从图1的仿真结果可以看出,当最小耦合损耗MOL(Minlmum Couplinc Loss,可以认为是手机在位于离天线最近时候的路径损耗)为45dB,它引起了约9dB的噪声抬高,这意味着基站端所需要的功率的升高9dB,或者保证服务的最小比特率的降低;当MOL高于65dB时,由uE最小发射功率所引起的噪声电子的抬高将忽略不计。
经测试,普通全向吸顶天线空间耦合损耗大约为25—30dB,为了保证MOL≥65dB,则从基站到天线入口
的链路损耗需要35dB以上,即天线入口导频功率应不大于33-35=-2dBm。考虑到楼内天线安装高度普遍在2.2m以上,而用户实际持手机高度不会超过2m,所以建议实际天线入口导频功率不超过3dBm,以控制天线的最大覆盖半径不至于太小。
6.干扰
在3G室内分布系统建设中,因为要尽量共用室内分布系统,各系统的有源设备在发射有用信号的同时,在它的工作频带外还会产生杂散、谐波、互调等无用信号,这些信号落到其他系统的工作频带内,就会对其他系统形成干扰。
通过理论分析,对于整个系统的各种干扰信号的抑制,只能通过多频合路器的通道隔离度来实现。在无源器件的使用上,需要严格选取。
7.其他
在GSM移动通信系统中,上下行增益平衡是比较重要的问题。若下行增益远大于上行增益,会导致手机接收到场强很高,却打不通电话;若上行增益远大于下行增益,导致覆盖范围缩小。
WCDMA系统中,上行链路和下行链路的平衡并非网络设计目标。基站功率在下行由小区所有用户及信令共享, 因而不会成为覆盖受限链路。相反,手机发射功率是在规范中加以定义的。由于手机发射功率有限,上行链路则成为WCDMA系统覆盖的受限链路。也就是说,小区的最大半径取决于功率上限最小的一类手机。所以WODMA系统的链路预算通常是指上行链路预算,即从最大允许的上行损耗中除掉路径损耗以外的其他损耗和增益,从而得到最大允许的路径损耗,再将最大允许的路径损耗值带入传播模型中,得到预期的小区覆盖半径和覆盖面积。由于WCDMA的覆盖区域不像GSM那样由信号电平的绝对值来决定,它的覆盖与系统的负载或干扰水平相关,加入负载和邻近小区干扰后,小区半径会作相应的收缩。在实际工程中,这些问题都还需要经过大量的测试及优化工作才能有效控制。
试点工程测试内容
为验证以上思路的合理性,对审计署大楼的室内分布系统进行了改造和模拟测试,本次测试场景是比较典型的办公环境,单层面积约600m2。
测试的主要目的是验证整个室内分布系统按前述方案改造后是否能够满足设计指标要求。 信源:Agilent E4438C,输出64信道WODMA信号,导频信号占总功率的1 0%,Ec/Io=-10dB;
路测仪:TSMU(ROHDE&SCHWA2Z)&Notebook(已安装ROMES)。
测试结果
每个天线入口导频功率约5dBm,3副天线都接入分布系统中的测试图和测试结果
总 结
从测试结果看,改造后的工程基本能够达到3G信号覆盖标准的要求。但在3G工程改造中还应注意以下两点:首先由于原GSM室内分布系统普遍采用大功率、少天线的设计思路(这种设计方式在20网络中基本都可以达到设计要求,并且能大幅度降低工程成本,因此被广泛采用),但该类设计易造成室内信号功率分配不均;其次2G室内分布系统基本没有采用分区覆盖的方式,如果3G系统室内采用2小区以上配置,将很难设置切换区; 因此在原有室内分布系统基础上增加天线数量、更改天线位置等简单改造既不能明显改善原2G系统的覆盖质量,而且改造工程的施工难度较大,耗费更多;建议这类工程采用全部改造方式(即拆除原系统新建)。
❹ TD中下行同步码和扰码的作用有什么区别
。其中下行导频码一共有32个,用于区分不同的小区 ,上行导频码共有256个,由UE在随机接入过程中使用,每个小区的下行导频码对应8个上行导频码。 每个下行导频码对应4个扰码,小区的下行导频码确定后可以从中选择一个作为本小区的扰码 。而midamble码用作每个信道进行信道估计,基本midamble与扰码一一对应,OVSF扩频码由系统根据RRM算法进行分配,每个信道对应的midamble码由基本midamble码经过循环移位产生,可以用来标识用户。 由于采用联合检测技术,对于单小区来说,采用不同的扰码,解调性能基本是相同的。对于小区间不同的扰码组合,其干扰情况与信道环境有很大关系。 扰码是对信道中的数据部分进行加扰处理,标识数据的小区属性,下行同步码可以用来区分小区,但扰码的主要作用是避免小区间干扰 。在TD系统中,下行导频时隙DwPTS内的下行导频码SYNC-DL是用于标识小区的,每个小区用一个SYNC_DL码,一共有32个SYNC_DL码。由于DwPTS是占用专门时隙的,所以,标识小区的意义只在下行同步时用到。在做业务的时候,为了区分小区,就要在数据用OVSF扩频之后,再乘上一个与扩频速率一样的扰码(Scramble Code),这个扰码是用于用户对接收到的业务数据区分小区用的。 所以,下行同步码是用专门的时隙来用作下行同步区分小区的。而扰码是用户在业务时隙(码道)上用以区分小区的。 总的来说:1、长度为16的扰码来区分不同的小区; 2、扰码和长度为144码片的midamble序列来区分不同的UE; 3、当不同运营商组网的时候,如果SYNC_DL相同,可以通过基本midamble和扰码区分不同运营商的小区; 4、下行同步码可以用来区分小区,但扰码的主要作用是避免小区间干扰。
❺ 在MATLAB的sift算法中,怎么用一个模板与多幅图像进行匹配
(1) 尺度不变特征变换(SIFT算法)概要
是一种计算机视觉的算法,用来侦测与描述影像中的局部性特征,它在空间尺度中寻找极值点,并提取出其位置、尺度、旋转不变量。
此算法由 David Lowe 在1999年所发表,2004年完善总结。其应用范围包含物体辨识、机器人地图感知与导航、影像缝合、3D模型建立、手势辨识、影像追踪和动作比对。此算法有其专利,专利拥有者为 英属哥伦比亚大学。
局部影像特征的描述与侦测可以帮助辨识物体,SIFT 特征是基于物体上的一些局部外观的兴趣点而与影像的大小和旋转无关。 对于光线、噪声、些微视角改变的容忍度也相当高。基于这些特性,它们是高度显着而且相对容易撷取,在母数庞大的特征数据库中,很容易辨识物体而且鲜有误认。使用 SIFT特征描述对于部分物体遮蔽的侦测率也相当高,甚至只需要3个以上的SIFT物体特征就足以计算出位置与方位。在现今的电脑硬件速度下和小型的特征数据库条件下,辨识速度可接近即时运算。SIFT特征的信息量大,适合在海量数据库中快速准确匹配。
(2 ) Matlab代码主要功能函数如下: match.m:测试程序
功能:该函数读入两幅(灰度)图像,找出各自的 SIFT 特征, 并显示两连接两幅图像中被匹配的特征点(关键特征点(the matched keypoints)直线(将对应特征点进行连接)。判断匹配的准则是匹配距离小于distRatio倍于下一个最近匹配的距离( A match is accepted only if its distance is less than distRatio times the distance to the second closest match. 该程序返回显示的匹配对的数量。( It returns the number of matches displayed.) 调用实例: match('desk.jpg','book.jpg');
( 假如,想测试一个含有一本书的桌面的图像 和一本书的图像之间特征匹配) 调用方法和参数描述:略。 注意:(1)图像为灰度图像,如果是彩色图像,应该在调用前利用rgb2gray转换为灰度图像。
(2)参数distRatio 为控制匹配点数量的系数,这里取 0.6,该参数决定了匹配点的数量,在Match.m文件中调整该参数,获得最合适的匹配点数量。 sift.m :尺度不变特征变换(SIFT算法)的核心算法程序
功能:该函数读入灰度图像,返回SIFT 特征关键点( SIFT keypoints.) 调用方法和参数描述:
调用方式:[image, descriptors, locs] = sift(imageFile) 输入参数( Input parameters):
imageFile: 图像文件名.
输出或返回参数( Returned):
image: 是具有double format格式的图像矩阵
descriptors: 一个 K-by-128 的矩阵x, 其中每行是针对找到的K个关键特征点(the K keypoints)的不变量描述子. 这个描述子(descriptor)是一个拥有128个数值并归一化为单位长度向量.
locs: 是K-by-4 矩阵, 其中的每一行具有四个数值,表示关键点位置信息 (在图像中的行坐标,列坐标(row, column) ,注意,一般图像的左上角为坐标原点), 尺度scale,高斯尺度空间的参数,其中该参数也决定了frame(结构)确定的图像disk的大小, 最后一个参数是方向orientation). 方向参数的范围是[-PI, PI] 单位为弧度.
appendimages.m: 该函数创建一个新的图像分别包含两个匹配的图像和他们之间
的匹配对的连接直线. (3) 实际案例执行结果:
程序代码使用matlab和c混合编程。用matlab打开文件中的sift_match.m文件,并执行。如下图所示:
❻ 在手机论坛中常可以看到“NAND”,“NAND”是什么
NAND技术
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技术Flash Memory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储,主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,并正成为闪速磁盘技术的核心。
NAND技术Flash Memory具有以下特点:(1) 以页为单位进行读和编程操作,1页为256或512B(字节);以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。(2) 数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。(3) 芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器,将很快突破每兆字节1美元的价格限制。(4) 芯片包含有失效块,其数目最大可达到3~35块(取决于存储器密度)。失效块不会影响有效块的性能,但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1Gb NAND技术闪速存储器。据称这种Flash Memory可以存储560张高分辨率的照片或32首CD质量的歌曲,将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。Samsung采用了许多DRAM的工艺技术,包括首次采用0.15μm的制造工艺来生产这颗Flash。已经批量生产的K9K1208UOM采用0�18μm工艺,存储容量为512Mb。
UltraNAND
AMD与Fujistu共同推出的UltraNAND技术,称之为先进的NAND闪速存储器技术。它与NAND标准兼容:拥有比NAND技术更高等级的可靠性;可用来存储代码,从而首次在代码存储的应用中体现出NAND技术的成本优势;它没有失效块,因此不用系统级的查错和校正功能,能更有效地利用存储器容量。
与DINOR技术一样,尽管UltraNAND技术具有优势,但在当前的市场上仍以NAND技术为主流。UltraNAND 家族的第一个成员是AM30LV0064,采用0.25μm制造工艺,没有失效块,可在至少104次擦写周期中实现无差错操作,适用于要求高可靠性的场合,如电信和网络系统、个人数字助理、固态盘驱动器等。研制中的AM30LV0128容量达到128Mb,而在AMD的计划中UltraNAND技术Flash Memory将突破每兆字节1美元的价格限制,更显示出它对于NOR技术的价格优势。
3 AND技术
AND技术是Hitachi公司的专利技术。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技术的Flash Memory。AND技术与NAND一样采用“大多数完好的存储器”概念,目前,在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。
Hitachi和Mitsubishi公司采用0.18μm的制造工艺,并结合MLC技术,生产出芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory,再利用双密度封装技术DDP(Double Density Package Technology),将2片512Mb芯片叠加在1片TSOP48的封装内,形成一片1Gb芯片。HN29V51211T具有突出的低功耗特性,读电流为2mA,待机电流仅为1μA,同时由于其内部存在与块大小一致的内部RAM 缓冲区,使得AND技术不像其他采用MLC的闪速存储器技术那样写入性能严重下降。Hitachi公司用该芯片制造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡,用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。
4 由EEPROM派生的闪速存储器
EEPROM具有很高的灵活性,可以单字节读写(不需要擦除,可直接改写数据),但存储密度小,单位成本高。部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory,如ATMEL、SST的小扇区结构闪速存储器(Small Sector Flash Memory)和ATMEL的海量存储器(Data-Flash Memory)。这类器件具有EEPROM与NOR技术Flash Memory二者折衷的性能特点:(1) 读写的灵活性逊于EEPROM,不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除,但与NOR技术Flash Memory的块结构相比其页尺寸小,具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。(2) 与EEPROM比较,具有明显的成本优势。(3) 存储密度比EEPROM大,但比NOR技术Flash Memory小,如Small Sector Flash Memory的存储密度可达到4Mb,而32Mb的DataFlash Memory芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势,使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。
Small Sector Flash Memory采用并行数据总线和页结构(1页为128或256B),对页执行读写操作,因而既具有NOR技术快速随机读取的优势,又没有其编程和擦除功能的缺陷,适合代码存储和小容量的数据存储,广泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的专利产品,采用SPI串行接口,只能依次读取数据,但有利于降低成本、增加系统的可靠性、缩小封装尺寸。主存储区采取页结构。主存储区与串行接口之间有2个与页大小一致的SRAM数据缓冲区。特殊的结构决定它存在多条读写通道:既可直接从主存储区读,又可通过缓冲区从主存储区读或向主存储区写,两个缓冲区之间可以相互读或写,主存储区还可借助缓冲区进行数据比较。适合于诸如答录机、寻呼机、数字相机等能接受串行接口和较慢读取速度的数据或文件存储应用。
三、 发展趋势
存储器的发展都具有更大、更小、更低的趋势,这在闪速存储器行业表现得尤为淋漓尽致。随着半导体制造工艺的发展,主流闪速存储器厂家采用0�18μm,甚至0.15μm的制造工艺。借助于先进工艺的优势,Flash Memory的容量可以更大:NOR技术将出现256Mb的器件,NAND和AND技术已经有1Gb的器件;同时芯片的封装尺寸更小:从最初DIP封装,到PSOP、SSOP、TSOP封装,再到BGA封装,Flash Memory已经变得非常纤细小巧;先进的工艺技术也决定了存储器的低电压的特性,从最初12V的编程电压,一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V单电压供电。这符合国际上低功耗的潮流,更促进了便携式产品的发展。
另一方面,新技术、新工艺也推动Flash Memory的位成本大幅度下降:采用NOR技术的Intel公司的28F128J3价格为25美元,NAND技术和AND技术的Flash Memory将突破1MB 1美元的价位,使其具有了取代传统磁盘存储器的潜质。
世界闪速存储器市场发展十分迅速,其规模接近DRAM市场的1/4,与DRAM和SRAM一起成为存储器市场的三大产品。Flash Memory的迅猛发展归因于资金和技术的投入,高性能低成本的新产品不断涌现,刺激了Flash Memory更广泛的应用,推动了行业的向前发展。