单片机flash编程

❶ Flash在单片机中的用法

1、用来装单片机自身运行的程序。
2、某些单片机可以用自身的flash代替eeprom用来存储数据。
3、不同的单片机使用的方法不同，有特殊的指令针对flash（解锁、上锁、擦除、写入等）。

❷ 如何用单片机读写FLASH

W25X_16吗？SPI接口，要看你是何种单 片机，有硬件SPI接口和没有配件SPI接口的区别在于读写一个字节的方法不一样，其余上层函数是一样的。如果是STM32单片机，野火和正点原子例程里的都有完整的源文件。

❸ 单片机是直接从Flash里读取指令的吗

单片机是直接从Flash里读取指令,好多单片机的程序存储器FLASH比较大，而SRAM则要小得多，不大可能把程序先装入SRAM中再执行，有的单片机虽可以预取指令，但这是属于内部结构上的特点，编程人员并不可控．现今多数51和AVR单片机都有内部RAM和片上RAM,相当于CPU的一级缓存和二级缓存，但由于在多数应用中它们就没有外扩RAM,也就没有人明确提出什么是单片机cache的定义，一般笼统地把内部RAM和片上RAM合称为内存。

❹ 怎样对51单片机内的FLASH和EEPROM编程

程序代码是存放在flash里，中间变量放在RAM里的吧。。。如果你想把变量数据放到EEPROM中，可以在程序中指定操作放入Flash或者EEPROM中。单纯编译是将程序放到FLASH中的。

❺ 单片机编程语句: if(Flash_Count%5==0) 如果什么的时候执行{}里的程序

Flash_Count%5是取 5 的余数，就是整除后余下的数，取余数打个比方：
Flash_Count = 14 那么，Flash_Count / 5 = 2 余 4
2*5=10 ，14-10=4，4就是余数
Flash_Count = 15 那么，Flash_Count / 5 = 3 余 0
3*5=15 ，15-15=0，0 就是余数
等于 0 的时候，if(Flash_Count%5==0) 满足条件，这个时候执行 {} 里面的程序

❻ AVR单片机中如何写flash，目前能够读出来，就是不知道怎么将变量写到flash任意地址中

如果是在单片机程序中写Flash，这是一个很复杂的过程，
Atmega单片机
Flash分为两个区：可读写区(RWW)，不可读写区(NRWW)
RWW:
read-while-write，也就是常说的
bootloader
区，
NRWW:no-read-while-write
一般的应用程序是在NRWW区的，也就是说不可以对flash进行操作，但是你可以写一段
程序下载
到RWW区，然后这一段的程序可能对整个Flash进行读写操作，所以你要实现写Flash的话，你的应用程序必须跳转到RWW区，将要写的地址传给它，然后由该部分的程序去完成操作，然后再跳回你的应用程序

❼ 单片机中Flash是什么意思

FLASH闪存 闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种，是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

❽ MC908GP32单片机的Flash存储器的编程过程

在HC08系列单片机中，对Flash进行擦除或写入操作需要遵循一定的时序和步骤。对于整个MC68HC908系列的各个型号，这些步骤是一样的，但时序要求可能略有不同，针对具体型号的Flash进行编程时应参考相应的芯片手册。同时需要注意的是，一些型号的监控ROM内含有Flash编程子程序，用户可直接调用，例如MC68HC908JL3；有的型号则没有，例如MC908GP32，这种情况需自行编制子程序。下面介绍MC908GP32的Flash编程的基本操作。 下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节)：
①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位)：进行页面擦除。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0。
④延时tnvs(>10µs)。
⑤$A→FLCR(1→HVEN位)。
⑥延时terase(>1ms)。
⑦$8→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延时tnvh(>5µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延时trcv(>1µs)，完成一页的擦除操作。 下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。
①$6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位)：进行整体擦除。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0。
④延时tnvs(>10µs)。
⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)。
⑥延时tMerase(>4ms)。
⑦$C→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延时tnvhl(>100µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)。
⑩延时trcv(>1µs)，完成整体擦除操作。 MC908GP32的Flash编程操作以行(64字节)为单位进行的。当然，一次写入可以小于一行，但不能大于一行。对于已经写过的部分，未经擦除不能重新写入变更其数据，否则将引起数据出错。写入过程如下:
①$1→FLCR(1→PGM位)。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行，以下的目标地址必须在这一行中。
④先延时tnvs(>10µs)；再将$9→FLCR(1→HVEN位)。
⑤先延时tpgs(>5µs)；再将待写数据写入对应的Flash地址。
⑥延时tprog(>30µs)，完成一个字节的写入(编程)工作。
⑦重复⑤、⑥，直至同一行内各字节写入完毕。
⑧$8→FLCR(0→PGM位)。
⑨先延时tnvh(>5µs)；再将$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延时trcv(>1µs)以后，完成本行写入工作，可以读出校验。

❾ 如何用单片机读写FLASH

就是这段程序了。我一直用的。不懂的可以找我

#define CMD_IDLE 0
#define CMD_READ 1
#define CMD_PROGRAM 2
#define CMD_ERASE 3
#define ENABLE_IAP 0X82// SYSCLK<24M
#define IAP_ADDRESS 0X0000

void IAP_Disable()//Make MCU if safe state
{
//关闭IAP 功能, 清相关的特殊功能寄存器,使CPU 处于安全状态,
//一次连续的IAP 操作完成之后建议关闭IAP 功能,不需要每次都关
IAP_CONTR = 0; //关闭IAP 功能
IAP_CMD = 0; //清命令寄存器,使命令寄存器无命令,此句可不用
IAP_TRIG = 0; //清命令触发寄存器,使命令触发寄存器无触发,此句可不用
IAP_ADDRH = 0x80; // ??? 0x80 ????
IAP_ADDRL = 0;
}
//读一字节，调用前需打开IAP 功能，入口:DPTR = 字节地址，返回:A = 读出字节
uchar Byte_Read(uint addr)
{
IAP_CONTR=ENABLE_IAP; //打开IAP 功能, 设置Flash 操作等待时间
IAP_CMD=CMD_READ; //IAP/ISP/EEPROM 字节读命令
IAP_ADDRL=addr; //设置目标单元地址的高8 位地址
IAP_ADDRH=addr>>8; //设置目标单元地址的低8 位地址
IAP_TRIG=0X5A;//先送 5Ah,再送A5h 到ISP/IAP 触发寄存器,每次都需如此
IAP_TRIG=0XA5;//送完A5h 后，ISP/IAP 命令立即被触发起动
_nop_();
IAP_Disable();//关闭IAP 功能, 清相关的特殊功能寄存器,使CPU 处于安全状态
return IAP_DATA;
}

//字节编程，调用前需打开IAP 功能，入口:DPTR = 字节地址, A= 须编程字节的数据
void Byte_Program(uint addr,uchar dat)
{
IAP_CONTR=ENABLE_IAP;//打开 IAP 功能, 设置Flash 操作等待时间
IAP_CMD=CMD_PROGRAM;//IAP/ISP/EEPROM 字节编程命令
IAP_ADDRL=addr;//设置目标单元地址的高8 位地址
IAP_ADDRH=addr>>8; //设置目标单元地址的低8 位地址
IAP_DATA=dat;//要编程的数据先送进IAP_DATA 寄存器
IAP_TRIG=0X5A;//先送 5Ah,再送A5h 到ISP/IAP 触发寄存器,每次都需如此
IAP_TRIG=0XA5; //送完A5h 后，ISP/IAP 命令立即被触发起动
_nop_();
IAP_Disable();//关闭IAP 功能, 清相关的特殊功能寄存器,使CPU 处于安全状态,
}
void Sector_Erase(uint addr) //擦除扇区, 入口:DPTR = 扇区地址
{
IAP_CONTR=ENABLE_IAP;
IAP_CMD=CMD_ERASE;
IAP_ADDRL=addr;
IAP_ADDRH=addr>>8;
IAP_TRIG=0X5A;
IAP_TRIG=0XA5;
_nop_();
IAP_Disable();
}

❿ 单片机FLASH编程中，向FLASH写入数据是否可以用循环结构写入

可以呀，不过要注意地址的递增，否则会出错的。如STC如果向非零的FLASH中写数据，就是不允许的。